太阳能电池
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103178132A

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201210300871.6

    申请日:2012-07-18

    Inventor: 李景洙 崔亨旭

    CPC classification number: H01L31/068 H01L31/022425 Y02E10/547

    Abstract: 本发明公开一种太阳能电池。根据实施方式的太阳能电池包括:半导体衬底;形成在半导体衬底的前表面和后表面中的至少一个上的发射极层;形成在半导体衬底的后表面上的后表面场层;形成在发射极层上的第一电极;以及形成在后表面场层上的第二电极。后表面场层包括:形成在不形成第二电极的部分并且具有第一电阻的第一部分,以及与第二电极接触并具有低于第一电阻的第二电阻的第二部分。第二电极包括彼此平行并且间隔约0.1mm到约1mm的距离并且具有约50μm到约70μm的宽度的多个指状电极。

    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN106910781B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201611272896.4

    申请日:2016-12-19

    Abstract: 太阳能电池及其制造方法。本文公开了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池模块包括:半导体基板;第一钝化膜,其位于半导体基板的前表面上;第二钝化膜,其位于半导体基板的后表面上;前电场区,其位于半导体基板的前表面上的第一钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相同;发射极区,其位于半导体基板的后表面上的第二钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相反;第一电极,其导电地连接至前电场区;以及第二电极,其导电地连接至发射极区。

    空调器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1742183A

    公开(公告)日:2006-03-01

    申请号:CN02830196.X

    申请日:2002-12-18

    CPC classification number: F24F13/224 F24F1/027 F24F2013/205 F24F2013/225

    Abstract: 本发明公开了一种空调器,该空调器包括具有室内空间区(210)和室外空间区(310)的壳体(100);安装在室内空间区的室内单元(200),它抽吸空气并通过第一热交换器(220)冷却被吸入的空气;安装在室外空间区的室外单元(300),它抽吸空气并通过第二热交换器(320)将热量释放到外部;及安装在室外空间区内的涡轮风扇(330),它用于形成气流,以使空气流向第二热交换器。

    制造太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN107039540A

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201611177471.5

    申请日:2016-12-19

    Inventor: 李景洙 朴相昱

    Abstract: 本发明涉及制造太阳能电池的方法。公开了一种太阳能电池的制造方法,包括形成包括无定形半导体层的光电转换器,形成连接到光电转换器的电极,并且通过向光电转换器和电极提供光而执行后处理。

    制造太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN107039540B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201611177471.5

    申请日:2016-12-19

    Inventor: 李景洙 朴相昱

    Abstract: 本发明涉及制造太阳能电池的方法。公开了一种太阳能电池的制造方法,包括形成包括无定形半导体层的光电转换器,形成连接到光电转换器的电极,并且通过向光电转换器和电极提供光而执行后处理。

    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN106910781A

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201611272896.4

    申请日:2016-12-19

    Abstract: 太阳能电池及其制造方法。本文公开了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池模块包括:半导体基板;第一钝化膜,其位于半导体基板的前表面上;第二钝化膜,其位于半导体基板的后表面上;前电场区,其位于半导体基板的前表面上的第一钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相同;发射极区,其位于半导体基板的后表面上的第二钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相反;第一电极,其导电地连接至前电场区;以及第二电极,其导电地连接至发射极区。

    太阳能电池
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103178132B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201210300871.6

    申请日:2012-07-18

    Inventor: 李景洙 崔亨旭

    CPC classification number: H01L31/068 H01L31/022425 Y02E10/547

    Abstract: 本发明公开一种太阳能电池。根据实施方式的太阳能电池包括:半导体衬底;形成在半导体衬底的前表面和后表面中的至少一个上的发射极层;形成在半导体衬底的后表面上的后表面场层;形成在发射极层上的第一电极;以及形成在后表面场层上的第二电极。后表面场层包括:形成在不形成第二电极的部分并且具有第一电阻的第一部分,以及与第二电极接触并具有低于第一电阻的第二电阻的第二部分。第二电极包括彼此平行并且间隔约0.1mm到约1mm的距离并且具有约50μm到约70μm的宽度的多个指状电极。

Patent Agency Ranking