公开(公告)号：CN102015937B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN200980114076.4

申请日：2009-04-21

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 金世罗 ,  白允贞 ,  金章淳 ,  孙贤喜 ,  洪宗完 ,  朴炫佑

IPC: C09J5/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/006 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00 ,  C09J2467/006 ,  C09J2475/006 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  Y10T428/1476 ,  Y10T428/264 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/2887 ,  Y10T428/2891

Abstract: 本发明涉及一种压敏粘合剂膜和一种使用该压敏粘合剂膜的半导体晶片背磨方法。本发明提供了一种压敏粘合剂膜，由于该压敏粘合剂膜在半导体制备过程中具有优越的切割性能和粘合性能且具有优异的减震性能，其可以在半导体制备过程的晶片背磨中显著地提高生产效率。此外，本发明提供了兼具提供优异的耐水性和对晶片具有优越剥离性能和再剥离性能和润湿性的压敏粘合剂膜，还提供了使用该压敏粘合剂膜的背磨方法。

公开(公告)号：CN101848974B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200880114602.2

申请日：2008-10-28

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 柳贤智 ,  金章淳 ,  洪宗完 ,  朴孝淳 ,  高东汉

IPC: H01L21/78

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08G59/621 ,  C08K3/36 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/13 ,  C08K5/3445 ,  C09J7/35 ,  C09J7/385 ,  C09J133/068 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0615 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/2891 ,  Y10T428/31515 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/06 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体封装工艺的切割模片粘合膜和应用该切割模片粘合膜的半导体器件。设置该切割模片粘合膜，从而使晶片和模片粘合部分的粘合层之间的粘合力X与模片粘合部分和切割部分的粘性层之间的粘性力Y的比值X/Y为0.15-1，并且模片粘合部分的粘合层在常温下的储能模量为100-1000Mpa。根据本发明的切割模片粘合膜在切割工艺中能减少毛刺的产生，由此制备的半导体器件具有优异的可靠性并且没有由于覆盖结合区的毛刺而因差的连接可靠性所导致的劣化。