公开(公告)号：CN1321441C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200410069162.7

申请日：2004-07-05

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 内仓和一 ,  西元和男 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  矢野博之 ,  松井之辉 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  仓嶋延行

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。

公开(公告)号：CN1276959C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200410073976.8

申请日：2004-09-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044

Abstract: 本文公开了一种抛光方法，包括：使半导体基片的抛光面与含有树脂作主要组分并连接到转盘上的抛光垫接触，并向抛光垫滴加CMP浆料以打磨抛光面，该CMP浆料含有树脂微粒、无机微粒、可聚合组分和聚合引发剂。

公开(公告)号：CN1626600A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410096136.3

申请日：2004-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  福岛大 ,  山本进 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 公开了一种CMP浆料，包括Cu氧化剂，形成Cu有机络合物的络合剂，表面活性剂，无机微粒，以及树脂微粒，该树脂微粒含有聚苯乙烯，在其表面上具有与无机微粒的极性相同的功能基，并且平均微粒直径小于100nm，以小于1重量％的浓度加入所述树脂微粒。

公开(公告)号：CN1616573A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410073976.8

申请日：2004-09-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044

Abstract: 本文公开了一种抛光方法，包括：使半导体基片的抛光面与含有树脂作主要组分并连接到转盘上的抛光垫接触，并向抛光垫滴加CMP浆料以打磨抛光面，该CMP浆料含有树脂微粒、无机微粒、可聚合组分和聚合引发剂。

公开(公告)号：CN1885489A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610093142.2

申请日：2006-06-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福岛大 ,  南幅学 ,  矢野博之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76829 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7684

Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在衬底的顶面处形成薄膜；抛光所述衬底的背面；以及在抛光所述背面后，抛光形成在所述衬底的所述顶面处的所述薄膜。

公开(公告)号：CN1292477C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN03153617.4

申请日：2003-08-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 仓嶋延行 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘膜，提供在基板上并具有最多为预定值的相对介电常数；第二绝缘膜，提供在第一绝缘膜的表面上并具有大于预定值的相对介电常数；布线，提供在用于布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内；以及虚拟布线，提供在用于虚拟布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内，位于与提供布线的区域隔开的预定区域中。

公开(公告)号：CN1551304A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410038315.1

申请日：2004-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/00 ,  C09K3/14 ,  C09G1/00 ,  B24B1/00

CPC classification number: C09K3/1409 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法。本发明公开了一种CMP浆料，其包含复合型颗粒和树脂颗粒，其中复合型颗粒含有复合化的树脂成分和无机成分，所述CMP浆料具有小于10MPaS的粘度。

公开(公告)号：CN1521226A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410004329.1

申请日：2004-02-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井之辉 ,  南幅学 ,  矢野博之

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本文公开了一种CMP用料浆，其包含溶剂、磨料颗粒及其HLB值为7至20的基于硅氧烷的表面活性剂。

公开(公告)号：CN1854225A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610076096.5

申请日：2006-04-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  福岛大 ,  仓嶋延行 ,  山本进 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  C08J5/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt％的重量平均分子量不小于20,000的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。

公开(公告)号：CN1264201C

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200310120519.5

申请日：2003-12-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福岛大 ,  南幅学 ,  矢野博之 ,  竖山佳邦

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3205 ,  B24B1/00

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 提供一种研磨方法及半导体装置的制造方法。该研磨方法包括：供给研磨液，研磨在具有规定图形的槽的层上、以埋入上述槽的方式形成的作为被研磨膜的Cu、Al、W或Ag膜的上层部，进行第一研磨；上述第一研磨后，一边供给从纯水及清洗液选择的一种，一边研磨上述被研磨膜，进行清洗研磨；上述清洗研磨后，供给研磨液，研磨残留在上述槽的外部的上述被研磨膜的残余部分，进行第二研磨。