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公开(公告)号：CN101598905B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200910159503.2
申请日：2009-05-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·G·N·H·M·科林 , N·坦凯特 , N·R·凯姆波 , M·K·斯达文哥 , E·H·E·C·奥姆梅伦 , M·瑞鹏 , O·V·伊利西瓦 , T·W·M·冈特 , M·C·范德维肯
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/70716 , G03F7/70733
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备及器件制造方法。所述光刻设备包括台、遮蔽构件、流体处理结构和流体抽取系统。所述流体处理结构可以被配置用于将液体供给并限制在投影系统和(i)衬底、或(ii)所述台、或(iii)遮蔽构件的表面或(iv)从(i)至(iii)选择的组合之间。所述遮蔽构件的表面可临接所述台的表面和可与所述台的表面共平面。所述遮蔽构件和所述台的表面可被间隙间隔开。所述流体抽取系统可被配置用于从所述间隙移除液体。
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公开(公告)号：CN101923291A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010213165.9
申请日：2010-06-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： D·J·M·迪莱克斯 , N·R·凯姆波 , D·M·H·菲利普斯 , M·瑞鹏 , C·J·G·范德顿根 , M·A·C·斯凯皮斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种浸没光刻设备、控制所述设备的方法以及使用光刻设备制造器件的方法。所述浸没光刻设备包括：衬底台，被配置以支撑衬底；投影系统，被配置以将图案化的辐射束投影到衬底上；液体处理系统，被配置以将浸没液体供给和限制到投影系统与衬底、或衬底台、或衬底和衬底台两者之间所限定的空间；和控制器，用于基于所述路径上的转弯之间的距离在衬底台穿过路径在液体处理系统下面移动期间控制衬底台相对于液体处理系统的移动速度。
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公开(公告)号：CN101598905A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910159503.2
申请日：2009-05-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·G·N·H·M·科林 , N·坦凯特 , N·R·凯姆波 , M·K·斯达文哥 , E·H·E·C·奥姆梅伦 , M·瑞鹏 , O·V·伊利西瓦 , W·M·冈特 , M·C·范德维肯
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/70716 , G03F7/70733
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备及器件制造方法。所述光刻设备包括台、遮蔽构件、流体处理结构和流体抽取系统。所述流体处理结构可以被配置用于将液体供给并限制在投影系统和(i)衬底、或(ii)所述台、或(iii)遮蔽构件的表面或(iv)从(i)至(iii)选择的组合之间。所述遮蔽构件的表面可临接所述台的表面和可与所述台的表面共平面。所述遮蔽构件和所述台的表面可被间隙间隔开。所述流体抽取系统可被配置用于从所述间隙移除液体。
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公开(公告)号：CN109478026B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201780045786.0
申请日：2017-06-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·瑞鹏 , P·P·A·A·布洛姆 , R·J·赫尔特门斯
Abstract: 一种在辐射源中使用的碎片减少系统。所述碎片减少系统包括污染物陷阱。所述污染物陷阱包括碎片接收表面，所述碎片接收表面被布置成接收从辐射源的等离子体形成区域发射的液态金属燃料碎片。所述碎片接收表面由下述材料构成：该材料与所述液态金属燃料碎片反应以在所述碎片接收表面上形成金属间化合层。
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公开(公告)号：CN103365117B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310268012.8
申请日：2009-12-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： N·R·凯姆皮尔 , R·N·J·范巴莱高吉 , M·M·P·A·沃姆伦 , M·瑞鹏 , M·W·范登胡威尔 , P·P·J·博克文斯 , C·德米特森阿尔 , J·M·W·范登温凯尔 , C·M·诺普斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , F01N1/023 , G03F7/709
Abstract: 本发明公开了一种用于抽取光刻设备中的两相流体的流体抽取系统，所述流体抽取系统包括：抽取通道，其用于使两相流体流从其中通过；和分离储槽，其与所述抽取通道流体连接，并且被配置用于接收来自所述抽取通道的所述两相流体流，其中，所述抽取通道的壁的至少一部分和/或所述分离储槽的壁的至少一部分包括柔性边界部分，所述柔性边界部分被配置以响应于在其上的压力差的变化发生变形，以便减小所述流体抽取系统中的所述两相流体的压力波动。另外，本发明还公开了包括该流体抽取系统的浸没式光刻设备的流体处理系统、浸没式光刻设备以及用于减小浸没式光刻设备中所使用的浸没液体的压力波动的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102880007B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210238864.8
申请日：2012-07-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70483 , G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种用于光刻设备的流体处理结构、一种光刻设备和一种器件制造方法。所述流体处理结构在配置用于将浸没流体限制在流体处理结构之外的区域的空间的边界处具有：弯液面钉扎特征，用以抵抗浸没流体沿径向向外方向离开所述空间；线性阵列形式的多个气体供给开口，其至少部分地围绕弯液面钉扎特征并且在弯液面钉扎特征的径向向外位置处；和气体回收开口，其在线性阵列形式的所述多个气体供给开口的径向向外位置处。
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公开(公告)号：CN101762986B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200910253279.3
申请日：2009-12-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： N·R·凯姆皮尔 , R·N·J·范巴莱高吉 , M·M·P·A·沃姆伦 , M·瑞鹏 , M·W·范登胡威尔 , P·P·J·博克文斯 , C·德米特森阿尔 , J·M·W·范登温凯尔 , C·M·诺普斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , F01N1/023 , G03F7/709
Abstract: 本发明公开了一种流体处理系统、一种光刻设备和一种器件制造方法。所述光刻设备典型地包括流体处理系统。流体处理系统通常包括两相流体抽取系统，其被配置以从给定的位置移除气体和液体的混合物。因为抽取流体包括两相，所以可以改变抽取系统中的压力。这种压力变化可以穿过浸没液体并且导致曝光的错误。为了减小抽取系统中的压力波动，可以使用缓冲腔。这种缓冲腔可以连接至流体抽取系统，以便提供减小压力波动的气体体积体。可替代地或另外地，可以在流体抽取系统中的一些位置上提供柔性壁。柔性壁可以响应于流体抽取系统中的压力变化来改变形状。通过改变形状，柔性壁可以帮助减小或消除压力波动。
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公开(公告)号：CN103064258A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210391367.1
申请日：2012-10-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·瑞鹏
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/2041
Abstract: 本发明公开了一种流体处理结构、光刻设备和器件制造方法。用于光刻设备的流体处理结构用以将液体限制到空间，所述流体处理结构在围绕所述空间的下表面上具有液体供给开口用以供给液体到流体处理结构的下表面上，并且相对于液体供给开口的空间在径向内侧具有液体抽取开口的二维阵列，用以抽取来自所述空间的液体和抽取下表面上的来自液体供给开口的液体。
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公开(公告)号：CN101840158B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010118075.1
申请日：2010-02-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·K·斯达文卡 , N·R·凯姆普 , M·H·A·里恩德尔斯 , P·M·M·里布莱格特斯 , J·C·H·缪尔肯斯 , E·H·E·C·尤米伦 , R·莫尔曼 , M·瑞鹏 , S·舒勒普伍 , G-J·G·J·T·布朗德斯 , K·斯蒂芬斯 , J·W·克洛姆威吉克 , R·J·梅杰尔斯 , F·伊凡吉里斯塔 , D·贝山姆斯 , 李华 , M·乔詹姆森 , P·L·J·岗特尔 , F·W·贝尔 , E·威特伯格 , M·A·J·斯米特斯 , 马振华
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备、控制该设备的方法及器件制造方法。具体地，公开了一种操作光刻设备的方法。该方法包括相对于投影系统移动支撑衬底的衬底台，和调整在对衬底的边缘处或附近的预定区域中的目标成像期间衬底台和投影系统之间的扫描速度，或调整在衬底的边缘处或附近的预定区域中的相邻目标位置之间的步进速度，或上述两者。所述调整扫描和/或步进速度可以包括降低速度。投影系统被配置以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
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公开(公告)号：CN102880007A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210238864.8
申请日：2012-07-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70483 , G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种用于光刻设备的流体处理结构、一种光刻设备和一种器件制造方法。所述流体处理结构在配置用于将浸没流体限制在流体处理结构之外的区域的空间的边界处具有：弯液面钉扎特征，用以抵抗浸没流体沿径向向外方向离开所述空间；线性阵列形式的多个气体供给开口，其至少部分地围绕弯液面钉扎特征并且在弯液面钉扎特征的径向向外位置处；和气体回收开口，其在线性阵列形式的所述多个气体供给开口的径向向外位置处。
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