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公开(公告)号：CN115745575B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202211517926.9
申请日：2022-11-30
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种氧化物复合粉体及其制备方法与应用。本发明的氧化物复合粉体按照重量百分比计，包含氧化镨0.1～30％、氧化铟20～70％、氧化锌5～30％、氧化镓3～15％和氧化锡1～10％，其制备方法包括：向氯化锡溶液中滴加氢氧化钠在pH值为6～8.5条件下沉淀，得到氢氧化锡前驱体，并进行水热处理，处理完成后加入氯化锌、氯化铟、氯化镓、氯化镨混合溶液和碱性物质在pH值为7～9下反应，反应完成后，得氧化物复合粉前驱体；将氧化物复合粉前驱体置于800℃～900℃下煅烧，即得氧化物复合粉体。采用本发明的制备方法制得的氧化物复合粉体烧结活性好，且在较低的烧结温度下即可获得高密度且均一性好的氧化物靶材。
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公开(公告)号：CN115849896A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211520371.3
申请日：2022-11-30
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/645 , C23C14/08
摘要： 本发明公开了一种氧化锌靶材及其制备方法与应用。本发明的氧化锌靶材的制备方法，包括以下步骤：包括以下步骤：将氧化锌粉体模压成型，经冷等静压、脱脂和烧结后，即得氧化锌靶材；其中，所述氧化锌粉体的粒径为10μm‑20μm；所述烧结的温度为1000℃‑1200℃；所制得的氧化锌靶材的密度为5.3g/cm3‑5.6g/cm3。本发明的氧化锌靶材的制备方法简单，成本低，采用该方法能够制备出高密度、高纯度和颜色均一的氧化锌靶材，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117096244A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310988767.9
申请日：2023-08-08
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法与应用。涉及LED芯片技术领域。上述LED芯片，包括相互连接的I区结构与II区结构：其中，I区结构包括：衬底；缓冲层；N‑GaN层；量子阱层；P‑GaN层；透明导电层a；透明导电层b；第一钝化层；P型电极；其中，II区结构包括与I区结构共用的衬底、缓冲层和N‑GaN层；所述N‑GaN层的上表面设有第二钝化层，所述第二钝化层与所述量子阱层连接；所述第二钝化层中设有N型电极。本发明通过调控透明导电层a和透明导电层b之间的功函数差异，以适配P‑GaN和P型电极膜，降低TCO薄膜与它们之间的接触电阻，使该芯片具有高的发光效率。
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公开(公告)号：CN113410362B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110573499.5
申请日：2021-05-25
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法与应用，该LED芯片包括底层，所述底层表面设有N型半导体层(3)；所述N型半导体层(3)分为第一区域和第二区域；所述第一区域表面设有中间层；所述中间层表面设有P型透明导电层；所述P型透明导电层和第二区域表面设有顶层；其中，所述P型透明导电层由包括SnO2复合材料和Cu2O复合材料的一种；所述SnO2复合材料包括SnO2与In2O3；所述Cu2O复合材料包括Cu2O与NiO。本发明通过在外延片的表面沉积P型透明导电层，提高了P型透明导电层中“空穴”向外延片的注入效率，降低了LED芯片正向电压，提升了LED芯片亮度。
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公开(公告)号：CN115261805A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210872835.0
申请日：2022-07-21
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种平面靶材的绑定方法，属于光电功能材料技术领域。该方法包括以下步骤：S1、将靶材绑定面与背板绑定面依次进行喷砂和等离子清洗；制得表面处理后的靶材和表面处理后的背板；S2、将所述表面处理后的靶材及所述表面处理后的背板升温至170℃～180℃后，进行超声波焊接铟；S3、在步骤S2处理后的背板绑定面上制作3mm～5mm深的铟池；S4、将步骤S2处理后的靶材放入所述铟池中，直至完全浸入铟池；S5、对步骤S4处理后的靶材表面采用超声波进行震动；S6、将步骤S5处理后靶材施加作用力后冷却；S7、将步骤S6处理后靶材拼接缝隙中的铟去除后，再次冷却。本发明的绑定方法最终达到99％以上的贴合率。
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公开(公告)号：CN112750929A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110102443.1
申请日：2021-01-26
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种P‑GAN层改性的LED芯片及其制作方法，该LED芯片从下至上依次包括以下各层：外延片、ITO透明导电层和顶层；其中，所述外延片上表面为P‑GaN层；所述P‑GaN层需经过等离子体轰击改性处理。其通过对P‑GaN层进行改性，破坏了P‑GaN层表面的晶体结构，降低了ITO透明导电层与P‑GaN层表面的界面能，提高了ITO透明导电层的“空穴”注入效率，从而降低了LED芯片正向电压和提升了LED芯片亮度。
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公开(公告)号：CN112209626A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011001960.1
申请日：2020-09-22
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C03C17/245 , G02F1/1333
摘要： 本发明公开了一种高阻膜及其制备方法与应用，所述高阻膜的膜层方阻在107Ω/□～1010Ω/□之间且在550nm下透光率不低于97％。本发明方案的高阻膜具有较好的抗静电作用，同时还具备在可见光区内的良好透光性，且不影响器件的触控功能；本发明方案的高阻膜可较好地满足In‑cell方式液晶盒减薄后屏蔽层的性能需求，从而更好地促进显示屏尤其是内嵌式触摸屏领域的发展。
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公开(公告)号：CN115650701B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202211396319.1
申请日：2022-11-09
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/638 , H10K71/00
摘要： 本发明公开了一种氧化镍基靶材的制备方法与应用，包括以下制备步骤：步骤S1、将氧化镍基粉末材料、分散剂、粘结剂和水制成浆料，经喷雾造粒后得到球型氧化镍基颗粒；步骤S2、将所述球型氧化镍基颗粒进行模压成型、冷等静压后得毛坯靶材；步骤S3、将所述毛坯靶材进行脱胶处理，然后经分段烧结后降温即得。采用本发明方法制得的氧化镍基靶材相对密度高，不易开裂，可广泛应用于太阳能电池的制备。
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公开(公告)号：CN116288181A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211101976.9
申请日：2022-09-09
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , B22F5/00 , B22F3/02 , B22F3/10 , H10K71/00 , H01L33/00 , H10K59/12 , H01L27/15
摘要： 本发明公开了一种镧系金属掺杂IZO靶材及其制备方法与应用。本发明的镧系金属掺杂IZO靶材按照质量百分比计包括：Ln系金属氧化物0.5％～10％、氧化铟60％～87％和氧化锌5％～15％，所述Ln系金属选自镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥中的至少一种。本发明通过控制镧系金属掺杂IZO靶材中各成分的占比并结合化学共沉淀所制得的镧系金属掺杂IZO靶材具有致密性高、颜色均匀且溅射过程不易结瘤等优点，具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN116288180A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211100981.8
申请日：2022-09-09
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , H01L31/0224 , H01L31/072
摘要： 本发明公开了一种氧化物靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用。本发明的氧化物靶材含有In2O3、SnO2和ZnO，其中，按照原子摩尔比计，In：Sn：Zn＝9.7711：(A+N)：N；其中，0＜N＜4.386，0.3＜A≤1.2，所述氧化物靶材的密度大于99％。本发明的氧化物靶材密度高、颜色均一，且在连续使用后不会结瘤。采用本发明氧化物靶材制得的氧化物薄膜表面粗糙度低，且导电性和光透过率好，具有广泛的应用价值。
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