-
公开(公告)号：CN119987119A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510249622.6
申请日：2025-03-04
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供亚分辨率辅助图形及其形成方法，光刻图形中至少包括相邻的一个第一目标图形和一个第二目标图形，第二目标图形的关键尺寸大于第一目标图形的关键尺寸；依次添加第一亚分辨率辅助图形和第二亚分辨率辅助图形，形成第二亚分辨率辅助图形的禁止区域；判断第二亚分辨率辅助图形的禁止区域与第二目标图形是否接触，若是，则将第二亚分辨率辅助图形移除。本发明在插入第二亚分辨率辅助图形后直接长出一个禁止区域，若禁止区域接触到第二目标图形就把第二亚分辨率辅助图形自身移除。利用此方法不仅不会影响到其他亚分辨率辅助图形摆放，也即不会误删除其他需要的亚分辨率辅助图形，也不用在后续设计规则检测时耗费太多资源。
-
公开(公告)号：CN119322424A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411662360.8
申请日：2024-11-20
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种OPC后的检测模型及其建立方法、优化OPC验证的方法，所述OPC后的检测模型的建立方法，包括：获取OPC后的第一样品图形，第一样品图形在光刻后容易出现光刻胶顶部形貌失真；获取第一样品图形的光学模型及对应的失真等级；对光学模型采用不同曝光参数进行光刻仿真以获得不同失真等级的量测数据和量测图像，量测数据及量测图像包括反映光刻胶曝光后的顶部形貌的线宽及图像；将光学模型在不同曝光参数下对应的失真等级、量测数据和量测图像投入样品图形库建立检测模型，用于判定OPC后的版图数据中是否存在光刻胶的顶部形貌异常的图形。本发明用于优化对部分热点缺陷的检出效果及检出效率。
-
公开(公告)号：CN118838110A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411091526.5
申请日：2024-08-09
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种掩膜版图形及其优化方法，该优化方法为在初始图形包括并排排列且长度不等的密集图形和稀疏图形时，通过在位于密集图形宽度方向至少一侧的稀疏图形末端增加曝光辅助图形，使其沿稀疏图形长度方向延伸，且密集图形长度与稀疏图形的始端和曝光辅助图形的末端之间的距离的差值为密集图形长度的±10％之间，使得集成电路版图中图形密度程度相差减小，密集图形的末端因为有曝光辅助图形的遮挡不会接收到更多的曝光能量，所以不会由于光学临近效应发生“端部膨胀”现象。从而在衬底上转移得到和原始的掩膜版上图形设计相同的图案，减少集成电路版图中因图形密度不同引起的工艺差异，从而解决由此导致的接触孔功能性不良和短路等工艺缺陷。
-
公开(公告)号：CN119620526A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411899648.7
申请日：2024-12-23
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，提供一种辅助图形添加方法、系统及终端，辅助图形添加方法包括以下步骤：获取目标图形；获取辅助图形，辅助图形至少包括第一辅助图形组和第二辅助图形组，第一辅助图形组包括若干第一辅助子图形，第二辅助图形组包括第二辅助子图形；获取第一辅助子图形和第二辅助子图形的添加优先级，以更新预设的添加规则；基于更新后的添加规则，将辅助图形添加至目标图形中。通过在添加规则中设置辅助图形的添加优先级，并根据添加优先级依次添加辅助图形，能够使辅助图形的添加结果在转角等复杂区域内准确可控，有效防止辅助图形添加错误导致不可控的情况发生，保证了对工艺窗口的改善效果。
-
公开(公告)号：CN119535913A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411980543.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，提供一种聚焦深度测量方法，包括以下步骤：提供掩膜图形和待测试件，掩膜图形包括若干第一图形和第二图形，第一图形与相邻第二图形之间的距离小于或等于第一距离；对待测试件曝光显影将掩膜图形转移至待测试件上；根据第二图形，对待测试件进行第一类测量，得到待测试件上第二图形的聚焦深度；对待测试件进行第二类测量，得到待测试件上第一图形的聚焦深度；实现了在极小量测范围内同时精准测量待测试件上密集图形和孤立图形的聚焦深度，无需对较为临近的两种图形分开进行两次量测，并降低或避免了密集图形发生失真的风险，后续对密集图形进行切片检查时，能够更精准的反应密集图形的轮廓结构及尺寸。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119439602A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411415442.2
申请日：2024-10-11
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种OPC模型构建方法及装置、存储介质和终端，其中方法包括对测试掩模进行光学曝光模拟以获取初步模拟数据，基于第一筛选条件对初步模拟数据中单元图案进行筛选获取初步单元图案信息；获取基于初步单元图案信息所建立的初步机台量测程式，基于初步机台量测程式收集待测晶圆的初步实际晶圆CD数据，基于预设建模条件对初步实际晶圆CD进行判断建立初始OPC模型；基于初始OPC模型对测试掩模进行模拟获取再次模拟数据，基于第二筛选条件对再次模拟数据中单元图案进行筛选以获取再次单元图案信息；基于再次单元图案信息获取最终OPC模型。采用智能量测方式在对现有人工参与量测方式进行优化的同时，提高了量测效率并减少人为因素产生的误差。
-
公开(公告)号：CN119247684A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411400988.0
申请日：2024-10-09
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种掩膜版及形成方法，通过定义掩膜版上多个区域中的待改善区域；在待改善区域内加入亚分辨率填充图案，亚分辨率填充图案位于初始光刻OPC图案两侧，以形成新的掩膜版图案，亚分辨率填充图案用于增加待改善区域的光刻图案密度。本发明先定义掩膜版上的待改善区域，以准确改善需要增加光刻图案密度的区域。以及亚分辨率填充图案是虚拟图案，不可以在芯片上曝光出图案，本发明提高了每个区域的光刻OPC图案的图案密度的均匀度，优化光掩膜上的工艺制作进而提升光刻OPC图案的线宽的精准度，也即解决了掩膜版上各区域的光刻OPC图案密度不均匀的问题。
-
公开(公告)号：CN119903804A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411989443.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F16/23 , G06F16/2458
Abstract: 本发明提供一种利用OPC修正数据库的OPC修正方法、系统、终端及介质，通过首先对各版图的每个layer层进行切分，提取出各个layer层的单元元素，进而构建起一个全面的基础图形库。随后，对基础图形库中的每个单元元素实施OPC修正，形成OPC修正数据库。在面对新进版图时，本发明利用已建立的OPC修正数据库，对版图中与基础图形库相匹配的单元元素进行快速修正，并对未匹配部分执行额外修正。这种方法为不同客户的个性化需求提供了一种高效的版图修正解决方案，有效减少了运行时间，提升了研发效率以及生产稳定性。
-
公开(公告)号：CN119738997A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510094525.4
申请日：2025-01-21
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供OPC模型的修正方法、制作光掩模版的方法及光刻方法，OPC模型的修正方法先建立初始OPC模型；修正初始OPC模型以获得修正后的OPC模型，并对修正后的OPC模型进行收敛度检查直至修正后的OPC模型收敛再进入下一步骤。本发明在修正所述初始OPC模型的步骤中根据修正后的OPC模型的收敛度调整修正次数，达成在不影响OPC模型修正准确度的情况下减少运行时间的效果，也即每一种客户版图文件对应不同的OPC模型修正次数，当OPC模型的修正次数小于标准文件中的修正次数时，无需修正多余的次数，当OPC模型的修正次数大于标准文件中的修正次数时，避免了在修正次数不够，OPC模型没有修正到位的情况下浪费时间跑OPCV的问题。
-
公开(公告)号：CN119147548A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411080051.X
申请日：2024-08-07
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G01N21/956 , G06T7/00
Abstract: 一种掩膜的检测方法及装置、计算机可读存储介质、计算机程序产品、终端，所述方法包括：获取目标掩膜，所述目标掩膜是经过光学邻近校正后的掩膜；获取光罩图像，所述光罩图像是基于所述目标掩膜制作得到的掩膜版的图像；根据所述光罩图像和所述目标掩膜的图像差异，检测所述光罩图像和所述目标掩膜的一致性。通过本公开方案能够在二维上实现对掩膜的品质管控，以助于改善掩膜的制作质量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.024 seconds)
