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公开(公告)号：CN113517032B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110564970.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法，通过第一性原理的计算获取材料的能量损失函数和表面功函数，然后使用蒙特卡罗的模拟方法根据所述能量损失函数和表面功函数对材料内每个电子的每次散射碰撞过程进行跟踪，通过统计所有出射电子便可以获得材料的二次电子产额。本发明对二次电子的计算不过不再需要对实验数据的依赖，而材料相关的参数如果通过实验获得成本高昂，本发明打破了这种对瓶颈，同时并不采用实验测量二次电子发射系数的反推式拟合方法，具有很好的通用型和推广价值。
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公开(公告)号：CN116825598A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310628627.0
申请日：2023-05-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01J37/32 , C01B32/194
Abstract: 一种基于石墨烯转移的电子轰击诱发释气抑制方法，首先，对一致性较好、缺陷少的铜基石墨烯样品采用PMMA(聚甲基丙稀酸甲酯)旋涂的方式制备石墨烯柔性聚合物载体，通过对石墨烯附着在载体上的质量进行表征，优化PMMA旋涂工艺；然后采用氯化铁溶液对铜基进行刻蚀以获得只含有石墨烯的柔性载体；在经过转移目标微波材料的表面活化后，通过旋转并加热的辅助方式对石墨烯进行转移，以获得质量较好的石墨烯修饰微波材料表面；最后，通过XRD和拉曼光谱测量表征转移石墨烯质量后，在电子轰击诱发释气的测试设备中获得表面修饰对释气的改善情况。
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公开(公告)号：CN116770267A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310639832.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/26 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供了一种抑制星载微波部件微放电效应的薄膜及沉积工艺，包括在星载微波部件表面先后以原子层沉积方式制备目标厚度的氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，所述氮化钛薄膜的目标厚度为15～20nm；所述无定形碳薄膜的目标厚度为5～8nm。在星载微波部件表面先后沉积氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，能够实现微波部件表面微放电效应的抑制，并具有强的膜基结合力、良好的表面抗氧化性、复杂微波部件表面保形性和优异的电学特性。
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公开(公告)号：CN115639237A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211177005.2
申请日：2022-09-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2273 , G01N1/32 , G01B21/18
Abstract: 一种原位监测辐照放电表面成键态断层剖面的方法，在设定的真空度环境下，包括：将样品底部连接示波器，判定不同能量电子辐照下样品表面是否发生放电，确定电子辐照门限值；采用原位Ar+离子刻蚀的方法对样品表面的断层剖面进行刻蚀，并标定刻蚀速率；选择辐照条件超过电子辐照门限值，对样品进行辐照；然后对样品表面进行逐步刻蚀，采用XPS获得不同刻蚀深度剖面的表面结合能谱。本发明所提出的原位成键态剖面的测试方法，极大的突破了电子辐照放电后原位表征的限制，能获得前所未有的测试结果。
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公开(公告)号：CN113517032A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110564970.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法，通过第一性原理的计算获取材料的能量损失函数和表面功函数，然后使用蒙特卡罗的模拟方法根据所述能量损失函数和表面功函数对材料内每个电子的每次散射碰撞过程进行跟踪，通过统计所有出射电子便可以获得材料的二次电子产额。本发明对二次电子的计算不过不再需要对实验数据的依赖，而材料相关的参数如果通过实验获得成本高昂，本发明打破了这种对瓶颈，同时并不采用实验测量二次电子发射系数的反推式拟合方法，具有很好的通用型和推广价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119363050A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411146854.0
申请日：2024-08-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种多端口放大器幅相不平衡校正方法，属于卫星通信技术领域。该方法采用信号源给第一输入端口加点频信号，测量各输出端口的功率，以最后一个输出端口为基准，计算其余各输出端口的实测隔离度，再以理论隔离度与实测隔离度的偏差最小为目标，对幅相不平衡值进行了遍历性搜索，找到绝对误差最小值对应的幅相不平衡值，即为实际需要校正的幅相不平衡量，根据幅度和相位的不平衡量来调整高功率放大器的增益和移相值来进行幅相补偿。本发明适用性更强、效率更高，对于MPA子系统级和整星级测试均适用，不受整星级通道多级变频影响，仅通过简单功率测量和计算即可得到幅相不平衡值，大大缩减了MPA幅相校正的效率。
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公开(公告)号：CN115631815A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211203577.3
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F113/26
Abstract: 本发明公开了一种确定随机点阵二次电子发射系数的方法，包括：建立点阵空间结构三维位置模型；确定标准入射电子集；计算得到初始入射能量为E0、初始入射角度为θ0的N个入射电子入射到点阵空间结构三维位置模型时产生的二次电子的数量；计算得到点阵空间结构三维位置模型在初始入射能量为E0、初始入射角度为θ0时的二次电子发射系数；获取实验得到的二次电子发射系数实验值，并确定修正系数；改变入射电子的初始入射能量和初始入射角度，计算得到点阵空间结构三维位置模型在不同初始入射能量Ek、不同初始入射角度θk时的二次电子发射系数并进行修正后输出。本发明实现了3D打印随机点阵二次电子发射系数的确定，具有物理结构稳定、与器件结合度优异的优势。
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公开(公告)号：CN115372722A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210910141.1
申请日：2022-07-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明提供了一种微波载荷低气压放电空间电位的轻量化确定方法：定义任一空间直角坐标系作为放电空间坐标系，获得微波载荷低气压放电空间的电荷分布；考虑空间电荷位置在电场和磁场推进下的动态变化，解算瞬时变化后微波载荷低气压放电空间的空间电荷分布；将瞬时变化后微波载荷低气压放电空间的所有电荷进行三维线性单元网格化归，得到空间网格电荷分布；采用高斯定理获得每一个网格点上元电荷的空间电位形式，将单元网格划归的空间网格电荷分布与空间元电荷的电位数据进行对应乘积叠加，获得所有电荷合成后的空间电位；对放电空间坐标系三个坐标轴方向的电位差分，获得空间电荷场分布。
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公开(公告)号：CN111748769B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202010495917.9
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110323527B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910549745.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，所述第一谐振器和第二谐振器并排设置，通过位于两个谐振器之间的所述侧壁耦合介质窗连接形成一体结构，所述一体结构外表面设有银镀层。该谐振结构使滤波器具有小型化、低插损和轻重量等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
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