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公开(公告)号：CN104852154A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510205187.3
申请日：2015-04-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种确定网状反射面天线无源互调量的方法，属于星载微波部件空间特殊效应技术领域。本发明通过建立实际网状反射面天线的等效网孔模型简化计算，将电大尺寸网状反射面天线的时域计算变为可能，同时保证了计算准确度，结合非线性电路模型的无源互调分析方法，通过一次仿真得到不同频率输入时产生每一阶的无源互调输出量，通过理想电路模型消除由于输入大信号对无源互调量小信号的湮没效应，消除时域分析中积累误差对无源互调量小信号的湮没效应，成功解决了电大尺寸网状反射面天线准确的电磁场分布计算与无源互调分析难题，填补了网状反射面天线无源互调分析技术空白，具有广阔的技术市场与应用前景。
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公开(公告)号：CN104569014A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410583366.6
申请日：2014-10-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明提供一种测试全入射角下材料二次电子发射系数的方法和装置。方法包括：步骤1，将待测样品放入真空腔体内的样品台，并将腔体抽真空，收集部分为四分之一球壳的电子收集装置位于上半空间；步骤2，旋转样品台，使待测样品倾斜所需测试角度θ，测试电子收集装置上流过的电流，记为I1；步骤3，旋转样品台，使待测样品沿相反的方向倾斜角度θ，测试电流，记为I2；步骤4，保持待测样品不动，将电子收集装置旋转至下半空间，测试电流，记为I3；步骤5，测试入射电子电流，记为Ip；得出入射角度θ下的二次电子发射系数δ为：本发明通过改变样品角度和收集装置的角度，能够收集所有出射的电子，具有测试结果精确，操作简单的优势。
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公开(公告)号：CN102515085B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110359776.9
申请日：2011-11-14
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法，包括以下步骤：在微波部件基体的良导体层上形成金属纳米结构；选定不同的测试条件，该测试条件包括纳米结构的孔隙率、深宽比以及纳米结构的形状；利用蒙特-卡洛方法模拟在不同测试条件下，电子入射在纳米结构中的碰撞、吸收及其所产生二次电子的碰撞、吸收和逃逸过程，得到理论上单个纳米结构中的二次电子发射产额；根据上述二次电子发射产额规律，利用多种表面处理工艺调节微波部件表面纳米结构的形状，深宽比及孔隙率，使其二次电子发射产额最小。该方法能够将的电化学银镀层表面处理微波部件的微放电阈值大幅度提高；更易于实现高深宽比二次电子陷阱结构，对表面粗糙度的影响一定程度上可以忽略，解决目前大粗糙度结构表面抑制SEY带来的负面效应。
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公开(公告)号：CN102925893B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210431364.6
申请日：2012-10-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23F1/00
Abstract: 本发明公开了一种抑制微波部件微放电效应的微刻蚀工艺方法，这一方法的核心是在保证微波部件良好导电性的基础上，利用化学方法微刻蚀铝合金镀银表面，使微波部件光滑的镀银表面形成纳米微陷阱结构，从而抑制微波部件表面的二次电子发射，以达到提高微放电阈值，抑制微放电的目的。该方法主要包括以下处理步骤：微波部件经必要清洗后，利用Fe(NO3)3溶液进行刻蚀，在部件镀银表面形成纳米微结构；然后在50％的盐酸中浸泡去除Fe3+。该方法与现有的微波部件处理工艺衔接良好，微波部件表面的二次电子发射系数受到明显抑制，部件的微放电阈值也有显著提高。
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公开(公告)号：CN102795591A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210215615.7
申请日：2012-06-27
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种利用规则阵列结构抑制金属表面SEY的方法。该规则阵列结构利用半导体器件领域的图形光刻工艺实现，典型阵列结构可以采用圆孔或者矩形槽结构，结构尺寸在几微米至几十微米。规则阵列结构形状决定于所设计的掩膜版，规则陷阱的深宽比决定于刻蚀时间。在相同深宽比及孔隙率条件下，圆孔陷阱表面SEY抑制效果优于矩形槽陷阱表面；对于同一种阵列结构，深宽比越大，孔隙率越大，SEY抑制效果越好。该技术对于卫星载荷中金属微波部件和粒子加速器中微放电效应抑制具有潜在的应用价值，即在不改变部件表面金属材料前提下，通过表面图形化光刻技术降低其表面SEY，从而较大幅度抑制微放电效应。同时，该技术还适用于行波管收集极等多种需要进行金属表面SEY抑制的特殊应用场合，具有一定的普适性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102567780A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110460925.0
申请日：2011-12-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06N3/00
Abstract: 一种空间微波部件低气压放电数值模拟方法，它包括建立了空间微波部件低气压放电数值模型，针对低气压放电中带电粒子的运动过程和总的电子数目进行了精确的数值分析，得到空间微波部件的低气压放电阈值。本发明考虑了空间微波部件金属表面的二次电子倍增效应，能够分析真空环境下放电与高气压环境下放电之间交叉阶段的低气压环境下的放电阈值。同时考虑了微波部件内部气体空间中占主导地位的所有碰撞类型，确保了空间微波部件中低气压放电数值模拟方法的准确性。本发明可以避免通过反复的实验获得空间微波部件的低气压放电阈值，缩短设计周期，减少研制成本，非常适用于空间微波部件中低气压放电的数值分析。
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公开(公告)号：CN102515085A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110359776.9
申请日：2011-11-14
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法，包括以下步骤：在微波部件基体的良导体层上形成金属纳米结构；选定不同的测试条件，该测试条件包括纳米结构的孔隙率、深宽比以及纳米结构的形状；利用蒙特-卡洛方法模拟在不同测试条件下，电子入射在纳米结构中的碰撞、吸收及其所产生二次电子的碰撞、吸收和逃逸过程，得到理论上单个纳米结构中的二次电子发射产额；根据上述二次电子发射产额规律，利用多种表面处理工艺调节微波部件表面纳米结构的形状，深宽比及孔隙率，使其二次电子发射产额最小。该方法能够将的电化学银镀层表面处理微波部件的微放电阈值大幅度提高；更易于实现高深宽比二次电子陷阱结构，对表面粗糙度的影响一定程度上可以忽略，解决目前大粗糙度结构表面抑制SEY带来的负面效应。
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公开(公告)号：CN119753628A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411836384.0
申请日：2024-12-13
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种抑制空间行波管微小放电的方法，包括空间行波管，该方法是采用多种前驱体交替的作用方式在陶瓷原样表面上沉积三氧化二铝薄膜；陶瓷原样为空间行波管的陶瓷表面未沉积任何薄膜。多种前驱体为三甲基铝和水；沉积温度为250℃～350℃。本发明中利用在陶瓷原样表面沉积三氧化二铝薄膜的方式实现了陶瓷原样表面的二次电子发射系数的降低和沿面闪络电压的提高，从而降低了空间行波管微小放电发生的概率，在解决空间行波管微小放电的方面有较好的应用前景，对于提高航天器中空间行波管的可靠性具有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN118158878A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410215527.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子体面阵的强电磁脉冲防护装置及方法，强电磁脉冲防护装置包括基板及在基板上阵列排布的气体放电管，气体放电管内设置有正偏置电极和负偏置电极，正偏置电极和负偏置电极连接电源正负极，在正偏置电极和负偏置电极间形成偏置电压。本发明创造性地提出预置偏置电极与偏置电压的方法，解决了直接应用等离子体管能耗高、电磁信号截止等问题。通过构造气体放电管面阵，扩大了有效防护面积和应用范围；二者相结合，可有效弥补传统气体放电管及直接应用等离子体管的不足，从而可实现对卫星载荷射频通道的自适应强电磁脉冲防护，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117856865A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311798788.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H04B7/185 , H04L1/00 , G06F30/337
Abstract: 本发明提供了一种适用于星载ASIC芯片开发的LDPC T1码编码资源优化方法，该中继终端星载ASIC芯片的LDPC T1码编码资源优化方法，包括：RAM读写控制模块、RAM调用模块、组帧模块、数据接收模块。RAM用于对接收模块处理后的待编码数据进行存储；RAM读写控制模块根据LDPC T1码指定码长和指定信息序列长度的编码需求产生对RAM的读写地址及读写使能信号；RAM调用模块根据目前状态对例化RAM进行调用，RAM大小为64b，输入输出数据位宽均为1位；组帧模块对RAM输出后的数据进行格式编排；针对以上RAM大小和数量，ASIC设计时采用底层寄存器搭建RAM的方式。
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