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公开(公告)号：CN117254800A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311251871.6
申请日：2023-09-26
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种鉴频鉴相器，包括：启动控制电路，用于基于外部使能信号的控制调整输入参考信号和待锁定信号的状态，并输出信号CLK_ref和CLK_fb；鉴频鉴相器电路，包括两个基于TSPC的D锁存器D1和D2、两条交叉耦合的复位支路R1和R2以及两个Latch锁存结构L1和L2；其中，锁存器D1、复位支路R1以及Latch锁存结构L1用于对输入的信号CLK_ref进行相位检测，并输出差分信号UP和UPb；锁存器D2、复位支路R2以及Latch锁存结构L2用于对输入的信号CLK_fb进行相位检测，并输出差分信号DN和DNb。该鉴频鉴相器的鉴相范围可以达到±2π，能够满足DLL对鉴相范围的设计要求。
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公开(公告)号：CN117118217A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310980845.0
申请日：2023-08-04
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种应用于DC/DC转换器的软启动周期时间控制电路，包括：时钟信号产生电路，用于产生第一时钟信号；时钟周期扩展电路，用于对第一时钟信号的周期进行扩展得到第二时钟信号；软启动电路，用于在T内持续输出一固定电压；阶梯电压产生电路，用于根据固定电压在T内生成阶梯电压；在软启动时间内，DC/DC转换器响应于第一PWM信号控制其功率管的导通与关断实现软启动；在软启动时间之后，DC/DC转换器响应于第二PWM信号控制其功率管的导通与关断实现电压变换；第一PWM信号根据反馈电压与阶梯电压的比较结果生成。该软启动周期时间控制电路易于集成、软启动过程有效和稳定，且软启动结束后电压切换过程稳定。
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公开(公告)号：CN116583163A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310527890.0
申请日：2023-05-11
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种采用柔性互连的半导体制冷器的制备方法，包括：提供第一基板和第二基板；对第一基板和第二基板进行刻蚀，形成第一导电结构和第二导电结构；提供第一N型半导体颗粒和第一P型半导体颗粒，将其装填在石墨工装中，将第一N型半导体颗粒和第一P型半导体颗粒与第一导电结构进行焊接；提供第二N型半导体颗粒和第二P型半导体颗粒，将其装填在石墨工装中，将第二N型半导体颗粒和第二P型半导体颗粒与第二导电结构进行焊接；在第一N型半导体颗粒与第二N型半导体颗粒之间、及在第一P型半导体颗粒与第二P型半导体颗粒之间焊接铜线。本发明能够保证半导体制冷器的制备品质。
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公开(公告)号：CN114035641A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111296272.7
申请日：2021-11-03
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种具有高性能的带隙基准电路，所述电路包括：带隙核心电路、多级运放闭环电路、基极电流补偿电路、Trim电路以及自偏置电流源电路；其中，所述自偏置电流源电路，用于根据启动电流输出偏置电流，以控制所述多级运放闭环电路进入工作状态；所述多级运放闭环电路，用于控制带隙核心电路产生参考电压；所述基极电流补偿电路用于向所述带隙核心电路输出补偿电流；所述基极电流补偿电路和所述Trim电路，用于调整所述参考电压等于目标电压，以得到最终电压。本发明能够在工艺、电压、温度变化等环境中保证电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN117787192A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311829583.4
申请日：2023-12-27
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC: G06F30/394 , G06F30/398
Abstract: 本发明涉及一种先进工艺CMOS集成电路多层互连的热等效电路简化方法，通过绘制先进工艺CMOS集成电路多层互连三维模型的结构剖面图；根据内部热流传递规律绘制初步简化的热流传递示意图，再绘制初步简化热等效电路；对结构进行热仿真和结果可视化处理；结合可视化热仿真结果与传热学原理对初步简化的热流传递示意图进行分析和再次简化得到结构的热流传递简化图；根据该热流传递简化图对结构的初步简化的热等效电路分析和再次简化，并根据热仿真结果验证和优化得到最终的热等效电路。本发明能够将与集成电路与相关的复杂热传导问题转化为电学问题，极大程度地提高工程中解决先进工艺CMOS集成电路多层互连结构的热学问题的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114389615B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111517920.7
申请日：2021-12-13
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种基于环形放大器的MDAC，该MDAC呈上下对称的伪差分结构，本实施例的环形放大器没有内部极点，相比传统多级米勒补偿运放，在实现相同带宽下所用功耗更低，即能效更高；并且本发明的环形放大器在第三级引入增益补偿MOS管，在输出电压接近电源轨时，增益补偿MOS管形成的正反馈机制会补偿输出电压接近电源轨时的增益下降，从而得到一个范围更大更平坦的开环增益与输出电压的曲线，相比传统运放，在相同的线性度指标下，本实施例的环形放大器的输出摆幅更大。同时本发明的环形放大器在电源轨之间堆叠的MOS管最多是三个，适用于低压的先进工艺。
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公开(公告)号：CN117081549A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311055186.6
申请日：2023-08-21
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC: H03K4/50 , H03K6/04 , H04N25/766
Abstract: 本发明公开了一种应用于图像传感器的斜坡发生器，该斜坡发生器包括带隙基准电压源、电压‑电流转换电路和开关电容阵列；开关电容阵列包括充电电容阵列和非充电电容阵列，充电电容阵列和非充电电容阵列相连；带隙基准电压源的输出端与电压‑电流转换电路的输入端连接，电压‑电流转换电路的输出端与充电电容阵列连接，充电电容阵列和非充电电容阵列的输出端输出同一斜坡信号。本发明的斜坡发生器能够获得一个稳定的斜率精准度高的斜坡信号，应用于不同位数的模数转换器中，拓展斜坡发生器的应用范围。
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公开(公告)号：CN117040249A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310967228.7
申请日：2023-07-31
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种应用于DC/DC转换器的自适应导通时间产生电路，该电路包括输入电压转换模块、SW电压转换模块、电压比较模块、电容C1以及开关管MQ。自适应导通时间产生电路的主要作用是根据输入输出电压的值，产生控制功率管导通时间的信号，以保证DC/DC转换器在正常工作时，开关频率不受到输入输出电压变化的影响。输入电压Vin经过输入电压转换模块转换为电流为电容C1充电，SW电压Vsw经过SW电压转换模块转换为一固定电压，两个电压通过电压比较模块进行比较得到控制DC/DC转换器中功率管开关的信号。
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公开(公告)号：CN116938240A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310671704.0
申请日：2023-06-07
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于SAR ADC中split开关时序的电容失配自校准方法，包括：设定校准起始位；在校准采样阶段：将待校准电容CL(q+1)p的下极板由电源电压切换至接地端，待校准电容CL(q+1)ns的下极板由接地端切换至电源电压，并获取电容上极板的电压变化量；校准量化阶段：由最低位电容到第q位电容组成的校准子DAC进行量化得到数字码，并根据数字码得到当前待校准电容的校准值；依次校准第二电容阵列和第四电容阵列中的电容，当第二电容阵列和第四电容阵列中的电容均校准完后，计算实际级间增益并根据实际级间增益校准第一电容阵列和第三电容阵列中的电容；计算并存储级间增益误差和校准系数。
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公开(公告)号：CN114499525A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111566914.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种用于UWB系统的高速采样缓冲器电路，包括驱动模块、栅压自举开关模块和采样模块，其中，驱动模块用于输入待采样差分信号并降低待采样差分信号的输出阻抗，以提高后续对栅压自举开关模块和采样模块的驱动能力；栅压自举开关模块用于控制采样开关的打开和闭合，控制采样开关的栅压变化跟踪在驱动模块的输出差分信号的变化并使采样开关的栅源电压在输出差分信号变化的过程中保持恒定；采样模块用于在采样开关打开时对待采样差分信号进行采样，以获得采样信号。该缓冲器电路由驱动模块、栅压自举开关模块和采样模块，驱动模块由高线性度的共漏极放大器构成，提高了采样电路的线性度，采样模块与驱动模块采用电荷翻转型结构实现采样。
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