公开(公告)号：CN103811556B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410060321.0

申请日：2014-02-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  赵亚秋 ,  张玉明 ,  黄海栗 ,  雷天民 ,  胡彦飞

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种硅衬底的三氧化二铝栅介质双栅石墨烯晶体管及制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯晶体管沟道载流子迁移率低及载流子散射的问题。其实现步骤是：在外延于Si衬底上的3C?SiC表面淀积一层Al2O3，并光刻出双栅图形；将刻蚀后的样片置于石英管中，通过Cl2与SiC反应，生成碳膜，再将将该碳膜样片置于Ar气中退火，生成石墨烯；然后将石墨烯样片上距导电沟道60?400nm处的两侧Al2O3刻蚀掉，形成双栅槽；最后在石墨烯样片上淀积金属层并刻蚀成晶体管金属接触。本发明制作出的双栅石墨烯晶体管具有载流子迁移率高，抑制散射效应性能好，能更好调制沟道载流子浓度的优点，可用于制作大规模集成电路。

公开(公告)号：CN104064245A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410300662.0

申请日：2014-06-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  赵亚秋 ,  王悦湖 ,  宋庆文 ,  张玉明

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种外延GaN的PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决当前α辐照电池能量转化率及输出功率低的问题。其实现步骤是：在清洗后的4H-SiC衬底上依次外延生长N型低掺杂SiC外延层和P型高掺杂GaN外延层；再在P型高掺杂GaN外延层上淀积P型Ti/Au欧姆接触电极，在SiC衬底未外延背面淀积Ni欧姆接触电极；然后在P型Ti/Au电极上光刻沟槽窗口，并刻蚀沟槽；最后在沟槽中放置α放射源，得到外延GaN的PIN结构α辐照电池。本发明制作出的电池具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电流和电压大的优点，可为微小电路持久供电，或在需长期供电但无人看守的场合下供电。

公开(公告)号：CN104051050A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410301092.7

申请日：2014-06-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  赵亚秋 ,  王悦湖 ,  张艺蒙 ,  张玉明

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种并联式PIN型α辐照电池及其制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：并联的上、下两个PIN结和α放射源；下PIN结自下而上依次为，N型欧姆接触电极、N型高掺杂4H-SiC衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层和P型欧姆接触电极，上PIN结自上而下的结构分布与下PIN结自下而上的结构分布相同；每个PIN结中有至少两个沟槽，每个沟槽内均放置有α放射源；两个PIN结通过P型欧姆接触电极相接触,上下沟槽镜面对称且相互贯通。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电，或为极地、沙漠等场合供电。

公开(公告)号：CN104051045A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410299971.0

申请日：2014-06-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  赵亚秋 ,  宋庆文 ,  王悦湖 ,  张玉明

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决现有技术中制作碳化硅辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型外延层欧姆接触电极、N型高掺杂外延层、P型低掺杂外延层、P型高掺杂SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结包括N型欧姆接触电极、N型高掺杂SiC衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层、P型外延层欧姆接触电极；每个PIN结中包含多个沟槽，这两个PIN结通过其外延层欧姆接触电极相接触，上下沟槽镜像对称且相互贯通，每个沟槽内均放置α放射源。本发明具有核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电。

公开(公告)号：CN103811556A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410060321.0

申请日：2014-02-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  赵亚秋 ,  张玉明 ,  黄海栗 ,  雷天民 ,  胡彦飞

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66045 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明公开了一种硅衬底的三氧化二铝栅介质双栅石墨烯晶体管及制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯晶体管沟道载流子迁移率低及载流子散射的问题。其实现步骤是：在外延于Si衬底上的3C-SiC表面淀积一层Al2O3，并光刻出双栅图形；将刻蚀后的样片置于石英管中，通过Cl2与SiC反应，生成碳膜，再将将该碳膜样片置于Ar气中退火，生成石墨烯；然后将石墨烯样片上距导电沟道60-400nm处的两侧Al2O3刻蚀掉，形成双栅槽；最后在石墨烯样片上淀积金属层并刻蚀成晶体管金属接触。本发明制作出的双栅石墨烯晶体管具有载流子迁移率高，抑制散射效应性能好，能更好调制沟道载流子浓度的优点，可用于制作大规模集成电路。