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公开(公告)号：CN105002465B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510496271.5
申请日：2015-08-14
Applicant: 西安工业大学
IPC: C23C14/26
Abstract: 本发明涉及真空镀膜技术领域，具体涉及一种热蒸发镀膜方法及其装置。所述镀膜的实现方法是：从蒸发源扩散出来的膜料粒子，在其传输到基片表面的过程中，允许部分的膜料粒子通过通道传输到基片表面，实现薄膜沉积，其余的膜料粒子受到遮挡，无法沉积到基片上，通道位于基片和蒸发源之间，调节通道通‑阻的比例和变换快慢，实现对膜料粒子的扩散控制。本发明同时提供可以实现该方法的装置。本发明的方法和装置结构简单，成本低廉，系统紧凑，能根据需要对沉积频率和占空比进行调节，实现对膜厚和结构的有效控制。
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公开(公告)号：CN100590221C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200810018369.X
申请日：2008-06-03
Applicant: 西安工业大学
IPC: C23C14/24 , H01L21/3065 , C23F4/00 , H01J37/08
Abstract: 本发明涉及一种能输出单一离子能量的离子束发射源，以克服现有技术存在的引出离子并非具有单一能量，对薄膜质量影响较大，难以实现离子束辅助的重复性的问题。其技术方案是：包括气体放电室、聚焦磁场产生单元、离子能量选择器和扩束磁场产生单元，气体放电室中包括阳极、阴极和引出栅极板；所述离子能量选择器包括相对设置的上磁极板、下磁极板以及相对设置的第一电极板和第二电极板构成的选择筒，上磁极板、第一电极板、下磁极板和第二电极板之间夹设有极板绝缘件，选择筒两端的入口盖板和出口盖板中部均设置有能带限制通孔。与现有技术相比，本发明的优点是：1、能够产生、引出单一能量的离子；2、离子能量可调；3、制造工艺简单。
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公开(公告)号：CN116818285B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310801959.4
申请日：2023-06-30
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及空气等离子体闪光持续时间的确定方法及装置，该方法包括：建立计算激光诱导薄膜表面空气等离子体闪光持续时间tc的模型，通过测量空气等离子体爆轰波在薄膜表面上产生的压强，获得激光诱导薄膜表面空气等离子体闪光持续时间tc；本发明装置包括气压计、刀口式光斑分析仪和操作控制台，以及沿光路依次设置的激光器、衰减器、聚焦系统、分束器和样片台，薄膜固定在样片台上，在薄膜的表面边缘布设压力传感器。本发明方法和装置可以准确地确定空气等离子体闪光持续时间，对激光诱导薄膜击穿过程中的空气等离子体闪光研究，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116481769B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202310441258.4
申请日：2023-04-23
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01M11/00
Abstract: 本发明提供了一种球面元件激光损伤阈值测试方法及其装置。解决了对球面元件激光损伤阈值无法测量的技术问题。本发明将球面元件放置在该机构中通过上述的复合运动，首先是元件的平移运动，作用是让球面元件球心和机构的运动轴心重合，再通过俯仰机构和旋转机构进行后续俯仰和旋转运动；使激光能垂直入射到球面元件的表面进行辐照。从而在球面元件表面完成足够数量的损伤点，最终通过计算得到球面元件的激光损伤阈值。本发明装置结构科学合理,结合球面元件面型特点，使激光可垂直入射到球面元件表面，通过俯仰机构和旋转机构控制球面元件完成球面元件激光损伤阈值的测试，为球面元件抗激光损伤能力的提高奠定了技术基础。
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公开(公告)号：CN112935528B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202110125403.9
申请日：2021-01-29
Applicant: 西安工业大学
IPC: B23K26/04 , B23K26/06 , B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/70
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种针对厚度较大晶圆进行高质量切割的方法和装置。以解决现有技术对厚晶圆的材料有厚度有要求、切割速度慢，崩边严重的问题。本发明采用的技术方案为：让不同波长的激光分别聚焦在厚晶圆不同位置，以厚晶圆内部热应力膨胀，辅助表面晶格断裂的方式，让应力及时向外传导，从而实现厚晶圆快速、高质量的切割。
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公开(公告)号：CN111599669B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202010397246.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L21/288 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种适用于发热涂层材料欧姆电极的制作方法。为防止制作发热涂层材料的欧姆电极的触点接触不良、触电打火或者引出线脱离电极等引起的损坏和安全事故，本发明的制作方法为处理好基底，在要制作欧姆电极的区域使用手持式低温等离子体发生器进行轰击，或放置金属微孔阵列板，使用低温等离子体在真空条件下轰击陶瓷基底，在陶瓷表面形成微孔阵列；涂覆碳基材料，并使浆料沉积进入小孔，在真空条件下进行梯度加热；碳基材料固化后，涂覆一层高纯导电银浆，将多芯铜丝附着在小孔上，再次涂覆导电银浆，使导电银浆与小孔内壁充分接触，在真空条件下进行梯度加热，制作完成一种接触稳定，比接触面积大，引出线抗拉强度大的电极。
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公开(公告)号：CN113504588A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110763474.1
申请日：2021-07-06
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备方法，该器件是将介质薄膜作为红外增透层与石墨烯薄膜组合，构建三明治结构的红外增透薄膜器件；利用石墨烯网栅叠加红外增透薄膜的方法实现兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备。对其透明电磁屏蔽性能进行测试分析，本发明薄膜器件保持了红外增透膜的高透过率，同时具备良好的电磁屏蔽性能，能够解决现有装备窗口不能同时满足红外增透和电磁屏蔽的问题，研究成果可广泛的应用于各类装备窗口表面并为新型多功能复合薄膜的应用奠定技术基础。
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公开(公告)号：CN110106470B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910348527.6
申请日：2019-04-28
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种低应力类金刚石薄膜的制备方法。本发明的目的是要在保证DLC薄膜的光学透过率及硬度的基础上，减小其应力。所提供的技术方案是：一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法，是在DLC及介质薄膜的表面形成具有闭环的磁通路，且使闭环的磁通量具有最大的梯度。所提供的装置包括导磁外框，在外框内设置有一对永磁铁，第一永磁铁和第二永磁铁，第一永磁铁和第二永磁铁的距离可调。利用本发明的方法，对于DLC薄膜可以将损伤阈值从0.57 J/cm2提高到1.23 J/cm2。对于介质薄膜，可以使激光损伤面积减少50%左右。
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公开(公告)号：CN109001122A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201811149497.8
申请日：2018-09-29
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明涉及一种梯度或渐变折射率薄膜的光学常数的测量装置及方法。所述装置包括真空系统、椭偏参数检测系统、膜厚监控系统和离子源，所述真空系统包括真空室和样品台；所述膜厚监控系统包括石英晶振膜厚仪；所述样品台安装在真空室顶部，离子源安装在真空室底部，离子源的离子束输出口正对样品台设置。测量方法是：先测量梯度折射率薄膜样品的初始椭偏参数，用离子束对薄膜进行减薄，再测量减薄后薄膜的椭偏参数，反复进行减薄、测试步骤，直到薄膜减薄到设定步长以下，即可得到最后一薄层的折射率和消光系数，在此基础上可依次得到其上各薄层的光学常数，最终获得薄膜样品沿厚度方向的光学常数分布，实现梯度折射率薄膜光学常数的测量。
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公开(公告)号：CN105200389B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201510727119.3
申请日：2015-10-30
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明提供一种提高氧化物薄膜激光损伤阈值的热处理设备与方法。该设备包括：样品台，位于腔室的内部，设有石英玻璃衬底和氧化物光学薄膜，该薄膜经由真空热蒸发技术或磁控溅射进行镀膜处理制成；加热装置，位于样品台的上方以及两侧，用于对样品台进行加热；输入气路管，用于将高纯度氧气充入腔室；真空泵，用于对腔室进行抽真空处理，使真空度达到2.0×10‑4Pa；以及负偏压电路，电性耦接至样品台。相比于现有技术，本发明的负偏压电路将电压电位调至500V，施加的电场使充入的高纯度氧气进行辉光放电，形成的氧离子对薄膜表面进行轰击，从而使薄膜晶化并可减少氧化物光学薄膜的表面缺陷。
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