一种可调整形态的气动软体抓手

    公开(公告)号:CN112476472B

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202011314956.0

    申请日:2020-11-21

    Abstract: 一种可调整形态的气动软体抓手,包括抓手固定架,抓手固定架上安装有多个可转动的抓手转动架,抓手转动架上连接有可改变位置的滑动块,滑动块下方固定安装连接块上部分、连接块下部分,连接块上部分和连接块下部分之间夹紧有软体手指;本发明能够根据被抓取物体的特点调整多种形态,而且制作成本低,适应恶劣环境能力强。

    一种可变刚度软体执行器系统及控制方法

    公开(公告)号:CN113427469A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110786662.6

    申请日:2021-07-12

    Abstract: 本发明公开的一种可变刚度软体执行器系统,包括至少一个软体执行器,其包括硅胶主体,以及设置其上的双螺旋结构的纤维线、真空腔和气腔;在硅胶主体上设置多个独立控制的气腔,通过控制气腔的气压使软体执行器实现弯曲,利用软体执行器的弯曲变形能力进入狭小空间进行探测。同时在硅胶主体上设置真空腔,并在其内部填充柔性填充物,通过抽真空对填充物进行挤压使其具有移动的刚度,进而改变软体执行器的强度,使其保持在当前的状态下,其次将多个软体执行器进行首尾连接,增加软体执行器的长度提高探测范围。解决现有软体末端执行器的形状功能单一、刚性不足等问题,加快了软体机器人的应用与发展。

    一种二硫化锗材料的相变方法及其在相变存储领域应用

    公开(公告)号:CN111129301A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN202010065707.6

    申请日:2020-01-20

    Abstract: 一种二硫化锗材料的相变方法及其在相变存储领域应用,选择二硫化锗材料作为相变存储材料;利用沿单轴方向加载应变的方法实现二硫化锗材料两相之间的转变;其中沿着平行于层状结构的长轴方向加载单轴压应变可实现稳定相向正方相的相变,沿着y方向加载单轴拉应变可实现正方相向稳定相的相变。本发明能够通过单轴应变的方法实现相变,并借助其两相之间的电阻差异实现数据存储,这种相变方法及应用将会有效延长相变存储器的使用寿命,在该领域具有潜在的应用前景。

    用于台阶孔的加工刀具及其冷却方法

    公开(公告)号:CN110026590A

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201910255282.2

    申请日:2019-03-29

    Inventor: 王永国 王旭东

    Abstract: 公开了一种用于台阶孔的加工刀具及其冷却方法,所述用于台阶孔的加工刀具包括:刀具本体,其包括用于加工台阶孔的主孔的主切削刃、用于加工台阶孔的沉孔的副切削刃和柄部,第一冷却通道,其布置于所述主切削刃,所述第一冷却通道配置成输送冷却液以冷却主切削刃,第二冷却通道,其布置于所述副切削刃,所述第二冷却通道配置成输送冷却液以冷却副切削刃,供液通道,其布置于所述柄部,所述供液通道连通所述第一冷却通道和第二冷却通道以提供冷却液,弹簧片,其布置于所述供液通道底部,阀芯,其间隙配合地布置于所述供液通道,所述阀芯在弹簧片和液压作用下可移动以开闭第二冷却通道。

    一种冷却装置和集成组件
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119915021A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202311435042.3

    申请日:2023-10-30

    Abstract: 本申请实施例公开了一种冷却装置和集成组件,其中,该冷却装置包括壳体、制冷剂供给单元和压力控制单元。壳体内具有密封腔室,壳体用于安装待冷却器件,待冷却器件例如可以为光学镜片、芯片、电池、处理器、服务器、大科学装置中的精密元器件等。待冷却器件具有至少一个待冷却面,待冷却面能够位于密封腔室中。制冷剂供给单元用于向密封腔室内提供制冷剂,该制冷剂例如可以为水、或者其他含有特定成分的水溶液等。压力控制单元和密封腔室相连通,用于将密封腔室内的压力调节为小于或者等于制冷剂的闪蒸压力,以实现闪蒸冷却,可提升制冷效力。壳体还配置有制冷剂出口部,用于气态制冷剂的排出,有利于后续进入壳体内的制冷剂继续进行闪蒸。

    一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用

    公开(公告)号:CN111952448B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202010806609.3

    申请日:2020-08-12

    Abstract: 一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用,包括相变层和阻隔层,所述相变层和阻隔层交替堆垛,所述相变层至少两层,阻隔层至少一层,所述相变层为锗锑碲薄膜,阻隔层为IV族碲化物薄膜。该薄膜中锗锑碲材料与IV族碲化物材料交替堆垛,其中锗锑碲作为相变层实现存储,IV族碲化物材料作为阻隔层不参与相变,既能够抑制相变层材料的结构弛豫,又能够阻碍其元素偏析现象,将会极大地提升相变存储器件的稳定性和精准性,并有效延长器件的使用寿命,同时锗锑碲材料具有较高的结晶温度,能够保证高温环境下的稳定服役。该薄膜可应用于相变存储器及类脑计算芯片领域。

    一种模拟细胞力学微环境的细胞培养装置

    公开(公告)号:CN113214991B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202110593961.8

    申请日:2021-05-28

    Abstract: 本发明公开的一种模拟细胞力学微环境的细胞培养装置,包括气体驱动装置、培养槽以及体声波发生器,在培养槽中设置软体气动腔,将培养液倒置在软体气动腔的表面,通过气体驱动装置对软体气动腔进行充放气,使软体气动腔的顶部变形,以软体气动腔的变形力作为组织宏观水平力学刺激的加载方法,同时通过体声波发生器对培养液中的细胞施加体声波,以体声波作为细胞微观水平力学刺激的加载方法,体声波能够作用于所有类型的细胞上,实现对细胞的精确操纵,同时声波操纵不会对细胞造成损伤,该装置将声流控技术与软驱动技术相结合,使该细胞培养装置能够对细胞兼顾宏观和微观力学刺激,实现体外微组织培养过程中细胞力学微环境的模拟。

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