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公开(公告)号：CN107941629A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201810025979.6
申请日：2018-01-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种片状柔性材料弯曲试验设备及方法，其中设备包括安装台，还包括装夹单元和弯曲轴单元，所述装夹单元包括装夹部，所述弯曲轴单元包括沿Z轴方向延伸的弯曲轴，所述弯曲轴远离所述装夹部的一端具有用于抵触所述片状柔性材料的圆弧状侧壁，所述装夹部相对所述弯曲轴沿Y轴方向运动。本发明至少具有以下优点：在试验过程中，片状柔性材料承受的外界拉力小，弯曲半径调节范围大，结构优化。
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公开(公告)号：CN103824888A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410073082.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/788 , H01L29/42324
Abstract: 本发明公开了一种具有微浮结构的半导体器件，在器件栅电极的栅绝缘层中增加悬浮、孤立的微悬浮体，改变器件结构，热载流子经过遂穿效应透过沟道和微悬浮体之间的栅绝缘层并存储在微悬浮体内，使微悬浮体成为带电体，能够减弱器件漏极的电场强度，进一步减少热载流子的产生，可以提高半导体器件的稳定性，延长使用寿命，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118866692B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411338457.3
申请日：2024-09-25
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/32
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件，其包括：S1、将栅极结构及金属氧化物薄膜形成于绝缘衬底上；S2、设置源极、栅极及漏极，分别在金属氧化物薄膜上形成源区及漏区，源区与漏区之间为沟道区，多个止挡件设置于沟道区上方，且沿载流子移动路径间隔排列；S3、通过止挡件在沟道区中制备多个交替排列的本体部及缺陷部，其中，缺陷部的缺陷浓度高于本体部缺陷浓度。本申请相比于现阶段常规半导体器件来说，其不仅具有金属氧化物半导体器件关态泄漏电流低、亚阈值摆幅小的优势，同时还具有能够与多晶硅薄膜晶体管相媲美的导电性能，由此在本行业内具有广泛使用前景。
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公开(公告)号：CN118866692A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411338457.3
申请日：2024-09-25
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/32
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件，其包括：S1、将栅极结构及金属氧化物薄膜形成于绝缘衬底上；S2、设置源极、栅极及漏极，分别在金属氧化物薄膜上形成源区及漏区，源区与漏区之间为沟道区，多个止挡件设置于沟道区上方，且沿载流子移动路径间隔排列；S3、通过止挡件在沟道区中制备多个交替排列的本体部及缺陷部，其中，缺陷部的缺陷浓度高于本体部缺陷浓度。本申请相比于现阶段常规半导体器件来说，其不仅具有金属氧化物半导体器件关态泄漏电流低、亚阈值摆幅小的优势，同时还具有能够与多晶硅薄膜晶体管相媲美的导电性能，由此在本行业内具有广泛使用前景。
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公开(公告)号：CN118348900B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410781099.7
申请日：2024-06-18
Applicant: 苏州大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种基于物联网的田间环境控制方法及装置，属于智能控制领域，其中方法包括：建立农田数据集；进行区域划分，建立管理分区；获取作物信息，执行农田内作物数据采集，生成管理分区的作物分布；进行作物阶段生长评价，建立阶段预测结果；以无人机组执行同监测点的同角度图像采集，并执行时序阶段透视识别，建立作物实际生长结果；进行一致性认证，生成惩罚因子，对阶段预测结果惩罚处理，生成田间环境的控制方案。本发明解决了现有技术中田间环境控制精准度不足的技术问题，通过自适应分区配置监测点，结合时序阶段透视识别和惩罚机制形成自适应环境调控闭环，达到了提升田间环境控制精准度的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118448438A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410485095.4
申请日：2024-04-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供了一种引入固定电荷的SOI功率器件，为SA‑LIGBT或SSA‑LIGBT结构，包括依次叠放的半导体衬底、介质埋层和半导体有源层，在所述介质埋层与半导体有源层之间设有一段第一电荷层和/或在场氧层与半导体有源层之间设有第二电荷层，所述电荷层内为连续均匀分布的正电荷。本发明针对传统SA‑LIGBT或SSA‑LIGBT输出特性中存在回摆现象的缺点，通过在介质埋层与半导体有源层之间插入固定电荷，减小上述回摆效应的电压，显著抑制回摆现象的发生。
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公开(公告)号：CN116664970A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310480495.1
申请日：2023-04-28
Applicant: 苏州大学 , 连云港杰瑞电子有限公司 , 江苏智行未来汽车研究院有限公司
IPC: G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/10 , G06V20/56 , G06N3/044 , G06N3/045 , G06N3/0475 , G06N3/096
Abstract: 本发明提供一种基于迁移学习的毫米波雷达稠密点云生成方法及系统，该方法包括采集交通场景下的毫米波雷达感知数据图像和激光雷达感知数据图像；对所述毫米波雷达感知数据图像和所述激光雷达感知数据图像进行预处理，得到数据集；将所述数据集输入到预先构建好的循环生成对抗网络模型中进行训练，得到训练好的网络模型；将毫米波雷达采集的路况数据输入所述训练好的网络模型中学习激光雷达特征，输出稠密点云结果。本发明针对现有毫米波雷达输出点云数据稀疏的问题，实现基于迁移学习的毫米波雷达稠密点云生成技术，在避免大量实测数据采集的同时提高毫米波雷达感知性能，准确获得交通状况信息。
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公开(公告)号：CN103730514B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201410030048.7
申请日：2014-01-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L29/45 , H01L29/7839 , H01L29/78612 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括衬底、半导体沟道区、栅绝缘层、源区、漏区、源极、漏极及栅极，所述薄膜晶体管还包括用于向半导体沟道区提供空穴或电子的载流子注入结构。本发明涉及的薄膜晶体管可以显著降低动态热载流子效应造成的器件退化和阈值电压漂移，提高薄膜晶体管器件和电路的可靠性，并简化了阈值电压补偿电路设计的复杂性，另外，本发明的薄膜晶体管工艺难度低并且对器件正常工作无影响。
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公开(公告)号：CN117954474A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211338864.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请公开了一种抗辐照场效应晶体管器件及其在抗辐照环境中的应用，用于解决现有技术场效应晶体管抗辐照方法受限的问题，该场效应晶体管器件包括衬底；隔离体，设置在衬底上；半导体堆叠，设置在隔离体上，半导体堆叠包括：有源层，设置在隔离体上，有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；以及栅极结构，与有源层配合；其中，在与衬底垂直的方向上，隔离体围绕半导体堆叠设置，隔离体包括在有源层厚度方向侵入沟道区域的电场调节部，且电场调节部在有源层宽度方向贯通沟道区域。
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