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公开(公告)号：CN118448438A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410485095.4
申请日：2024-04-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供了一种引入固定电荷的SOI功率器件，为SA‑LIGBT或SSA‑LIGBT结构，包括依次叠放的半导体衬底、介质埋层和半导体有源层，在所述介质埋层与半导体有源层之间设有一段第一电荷层和/或在场氧层与半导体有源层之间设有第二电荷层，所述电荷层内为连续均匀分布的正电荷。本发明针对传统SA‑LIGBT或SSA‑LIGBT输出特性中存在回摆现象的缺点，通过在介质埋层与半导体有源层之间插入固定电荷，减小上述回摆效应的电压，显著抑制回摆现象的发生。
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