公开(公告)号：CN1738002A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510084836.5

申请日：2005-07-18

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  罗姆股份有限公司 ,  日本电气株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 梅本光雄 ,  冈山芳央 ,  谷田一真 ,  寺尾博 ,  根本义彦

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05548

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有贯通电极，能够使工序简化，将制造成本抑制得极低，同时，谋求有效利用率的提高。在半导体衬底(10)的表面形成第一绝缘膜(11)，蚀刻其一部分，形成露出半导体衬底(10)的一部分的开口部(11a)。其次，形成从开口部(11a)内延伸到第一绝缘膜(11)上的焊盘电极(12)。在半导体衬底(10)的背面上形成第二绝缘膜(15)。然后，形成具有比开口部(11a)大的口径的通路孔(16)。形成从通路孔(16)内延伸到第二绝缘膜(15)上的第三绝缘膜(17)，蚀刻通路孔(16)底部的第三绝缘膜(17)，露出焊盘电极(12)。然后，在通路孔(16)内形成贯通电极(19)及配线层(20)。最后，将半导体衬底(10)切断分离成多个半导体芯片(10A)。

公开(公告)号：CN1674282A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510059014.1

申请日：2005-03-24

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  三洋电机株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 谷田一真 ,  梅本光雄 ,  秋山雪治

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置制造方法，包括：准备半导体芯片的工序，该半导体芯片具有表面和背面，并具有半导体基板、在该半导体基板的上述表面侧形成的功能元件、在厚度方向贯通上述半导体基板之贯通孔内配置的与上述功能元件电连接的贯通电极、与上述贯通电极电连接并且从上述表面突出的表面侧连接部件、与上述贯通电极电连接并且在上述背面上所形成的凹部分内具有接合面的背面侧连接部件；准备固体装置的工序，在该固体装置的一个表面上形成用于与上述表面侧连接部件连接的固体装置侧连接部件；接合工序，通过保持上述半导体芯片的背面而使上述半导体芯片的表面与上述固体装置的上述一个表面相面对，将上述表面侧连接部件与上述固体装置侧连接部件接合。

公开(公告)号：CN1604293A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410011782.5

申请日：2004-09-29

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  梅本光雄

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种半导体装置的制造方法及半导体装置，该制造方法包括：形成钝化膜的工序，上述钝化膜覆盖形成有电极的半导体基板的形成该电极的一面并形成有使规定的该电极露出的开口；在上述钝化膜的开口附近，形成由金属构成的扩散防止接头的工序；向上述半导体基板的形成上述扩散防止接头的一面供给金属材料而形成由该金属构成的晶种层的工序；形成抗蚀剂膜的工序，上述抗蚀剂膜覆盖上述晶种层并形成有使上述扩散防止接头上方的上述晶种层的规定区域露出的开口；向上述抗蚀剂膜的开口内供给金属材料而形成由该金属构成的突起电极的工序；在形成该突起电极的工序后，去除上述抗蚀剂膜的工序；在形成上述突起电极的工序后，去除上述晶种层的工序。

公开(公告)号：CN100563005C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200510059014.1

申请日：2005-03-24

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  三洋电机株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 谷田一真 ,  梅本光雄 ,  秋山雪治

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置制造方法，包括：准备半导体芯片的工序，该半导体芯片具有表面和背面，并具有半导体基板、在该半导体基板的上述表面侧形成的功能元件、在厚度方向贯通上述半导体基板之贯通孔内配置的与上述功能元件电连接的贯通电极、与上述贯通电极电连接并且从上述表面突出的表面侧连接部件、与上述贯通电极电连接并且在上述背面上所形成的凹部分内具有接合面的背面侧连接部件；准备固体装置的工序，在该固体装置的一个表面上形成用于与上述表面侧连接部件连接的固体装置侧连接部件；接合工序，通过保持上述半导体芯片的背面而使上述半导体芯片的表面与上述固体装置的上述一个表面相面对，将上述表面侧连接部件与上述固体装置侧连接部件接合。

公开(公告)号：CN100521176C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200710196110.X

申请日：2004-05-13

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  田中直敬

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体芯片，包括：具有表面及背面的半导体基板；在该半导体基板的所述表面形成的功能元件；以及与该功能元件电连接，配置在该功能元件的侧面沿厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔内，并将所述半导体基板的所述表面侧及所述背面侧电连接的贯通电极，所述贯通电极，包括：具有形成至所述贯通孔深度方向的中途、以便塞住所述贯通孔的部分的籽晶层；配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述表面侧的表面侧电极；以及配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述背面侧的背面侧电极。

公开(公告)号：CN1505138A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119538.6

申请日：2003-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  株式会社东芝 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 根本义彦 ,  谷田一真 ,  高桥健司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明得到易制造的半导体器件。具备：互相相向配置的第1和第2半导体衬底1、2；在第1半导体衬底1的相向面上形成、由第1半导体电路3和第1电极7构成的第1半导体元件5；在第2半导体衬底2的相向面上形成、由第2半导体电路4和第2电极8构成的第2半导体元件6；夹在第1与第2电极7、8之间的布线层9；及贯通第1半导体衬底1，经布线层9与第1和第2电极7、8连接的贯通电极12，第2半导体衬底2在贯通电极12的侧面方向隔开配置，从第1半导体衬底1突出的贯通电极12的侧面和第2半导体元件6的侧面被绝缘材料13覆盖，贯通电极12的一端从第1半导体衬底1背面露出，另一端位于与第2半导体衬底2背面相同的高度，并从绝缘材料13露出。

公开(公告)号：CN104347646A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410007866.5

申请日：2014-01-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 谷田一真

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明的一个实施方式的目的在于提供一种能够不使遮光部薄层化地提高光接收灵敏度的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。根据本发明的一个实施方式，提供固体摄像装置。固体摄像装置具备半导体层和遮光部。半导体层将多个光电变换元件以2维阵列状排列。遮光部设置于半导体层的内部，具有遮光部件，该遮光部件与半导体层的界面被绝缘膜覆盖。进而，遮光部具备遮光区域和元件分离区域。遮光区域设置在半导体层的内部的光电变换元件的受光面侧，将从特定的方向向光电变换元件入射的光遮蔽。元件分离区域从遮光区域朝向多个光电变换元件之间并向半导体层的深度方向凸设，将多个光电变换元件电气地光学地元件分离。

公开(公告)号：CN103000642A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210068481.0

申请日：2012-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本乡悟史 ,  谷田一真 ,  高桥健司

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: 公开一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施例，半导体装置包括：装置基板；和支持基板。支持基板，在上述装置基板上接合。上述装置基板，在与上述支持基板的接合面侧的外周部具有第1沟槽。

公开(公告)号：CN105575890A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510740559.2

申请日：2015-11-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芦立浩明 ,  谷田一真

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明的实施方式是涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，该半导体装置包括低黏接性膜、一对基板、及金属电极。低黏接性膜相较于半导体氧化膜而对金属的黏接性更低。一对基板隔着低黏接性膜而设置。金属电极贯通低黏接性膜而连接一对基板，且于一对基板之间具有较埋设于一对基板的部位更细的部位。埋设于一基板的金属电极的一部分在与另一基板上的低黏接性膜之间隔着空隙而设置。

公开(公告)号：CN105575891A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510740864.1

申请日：2015-11-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 谷田一真 ,  芦立浩明

IPC: H01L21/768

Abstract: 实施方式的半导体装置的制造方法包含以下步骤：在设于第1基板及第2基板的各表面的绝缘层的表面形成开口；向开口埋入金属；使绝缘层的表面活化；通过碳酸水对第1基板侧的开口所埋入的金属的表面进行清洗；以及将第1基板侧的绝缘层与第2基板侧的绝缘层贴合，而将第1基板侧的埋入的金属与第2基板侧的埋入的金属连接。