公开(公告)号：CN109923742B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201780066313.9

申请日：2017-09-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 佐藤进 ,  滨口达史 ,  泉将一郎 ,  风田川统之 ,  伊藤仁道 ,  御友重吾 ,  中岛博

IPC: H01S5/183

Abstract: 该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。

公开(公告)号：CN110268587A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201780071445.0

申请日：2017-10-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  御友重吾 ,  中岛博 ,  伊藤仁道 ,  佐藤进 ,  风田川统之

IPC: H01S5/183

Abstract: 本公开的实施方式的面发射激光器设置有：电流收缩区域，具有由从第二半导体层侧注入到层叠体内部的杂质形成的开口部；以及第一半导体层侧的第一DBR层和第二半导体层侧的第二DBR层，该第一DBR层和该第二DBR层在反向面对开口部的位置中夹紧层叠体。在开口部中，靠近第一DBR层的开口直径大于靠近第二DBR层的开口直径。

公开(公告)号：CN109314124A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780038461.X

申请日：2017-05-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 渡边知雅 ,  丸山俊介 ,  风田川统之

IPC: H01L27/146

Abstract: 根据本发明的实施例的受光元件设置有：多个像素；多个像素公共的光电转换层；设置在光电转换层的光入射面侧的第一电极层；和第一电极层的埋设在彼此相邻的多个像素之间的遮光部。

公开(公告)号：CN107851967A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042134.7

申请日：2016-05-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  泉将一郎 ,  滝口由朗 ,  风田川统之

IPC: H01S5/183

Abstract: 该发光元件设置有：层状结构20，通过将由GaN基化合物半导体制成的第一化合物半导体层21、活性层23和第二化合物半导体层22分层来形成该层状结构；模式损耗有效点54，其设置在第二化合物半导体层22上并且形成模式损耗有效区域55，该模式损耗有效区域对振荡模式损耗的增加/减少具有作用；第二电极32；第二光反射层42；第一光反射层41；以及第一电极31。在层状结构20中，形成有电流注入区域51、围绕电流注入区域51的非电流注入内部区域52以及围绕非电流注入内部区域52的非电流注入外部区域53。所述模式损耗有效区域55的投影图像覆盖非电流注入外部区域53的投影图像。

公开(公告)号：CN106663919A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580031161.X

申请日：2015-04-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 风田川统之 ,  滨口达史 ,  泉将一郎 ,  仓本大

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343

Abstract: 该发光元件至少具有：GaN衬底(11)；第一光反射层(41)，其形成所述GaN衬底(11)上，并且用作选择性生长掩膜层(44)；形成在所述第一光反射层上的第一化合物半导体层(21)、有源层(23)以及第二化合物半导体层(22)；以及形成在所述第二化合物半导体层(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。所述GaN衬底(11)表面的平面方向的离角等于或小于0.4°，所述第一光反射层(41)的面积等于或小于0.8S0，其中，所述GaN衬底(11)的面积由S0表示，并且作为所述第一光反射层的最低层(41A)，热膨胀缓解薄膜(44)形成在所述GaN衬底(11)上。

公开(公告)号：CN104347774A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410390677.0

申请日：2014-08-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  仓本大 ,  风田川统之

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/10

Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法，所述发光元件包括：层叠结构体，所述层叠结构体包括第一化合物半导体层、有源层和第二化合物半导体层，所述第一化合物半导体层包括第一表面和面对所述第一表面的第二表面，所述有源层与所述第一化合物半导体层的第二表面接触；其中所述第一化合物半导体层的第一表面具有第一表面区域和第二表面区域，所述第一表面区域和所述第二表面区域在高度或者粗糙度的至少之一上不同，在至少一部分所述第一表面区域上形成第一光反射层，和在至少一部分所述第二表面区域上形成第一电极。

公开(公告)号：CN106463909B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201580031408.8

申请日：2015-04-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  风田川统之 ,  泉将一郎 ,  仓本大

IPC: H01S5/183

Abstract: 该发光元件至少设置有：形成在基板(11)的前表面上的第一光反射层(41)；层压结构(20)，形成在第一光反射层(41)上并且由第一化合物半导体层(21)、活性层(23)以及第二化合物半导体层(22)构成；以及形成在第二化合物半导体层(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。层压结构(20)由多个层压结构单元(20A)构成，层压结构单元(20A)分别构成发光元件单元(10A)，并且发光元件单元(10A)中的共振器长度随着发光元件单元中的每一个而变化。

公开(公告)号：CN107851967B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201680042134.7

申请日：2016-05-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  泉将一郎 ,  滝口由朗 ,  风田川统之

IPC: H01S5/183

Abstract: 该发光元件设置有：层状结构(20)，通过将由GaN基化合物半导体制成的第一化合物半导体层(21)、活性层(23)和第二化合物半导体层(22)分层来形成该层状结构；模式损耗有效点(54)，其设置在第二化合物半导体层(22)上并且形成模式损耗有效区域(55)，该模式损耗有效区域对振荡模式损耗的增加/减少具有作用；第二电极(32)；第二光反射层(42)；第一光反射层(41)；以及第一电极(31)。在层状结构(20)中，形成有电流注入区域(51)、围绕电流注入区域(51)的非电流注入内部区域(52)以及围绕非电流注入内部区域(52)的非电流注入外部区域(53)。所述模式损耗有效区域(55)的投影图像覆盖非电流注入外部区域(53)的投影图像。

公开(公告)号：CN104348084B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201410379682.1

申请日：2014-08-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  仓本大 ,  前田勇树 ,  风田川统之

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/18

Abstract: 公开了一种发光元件及其制造方法。该制造方法顺序地包括(a)形成具有凸部形状的第一光反射层；(b)通过层叠第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层而形成层叠结构体；(c)在第二化合物半导体层的第二表面上形成第二电极和由多层膜形成的第二光反射层；(d)将第二光反射层固定至支撑基板；(e)去除用于制造发光元件的基板，并暴露出第一化合物半导体层的第一表面和第一光反射层；(f)蚀刻第一化合物半导体层的第一表面；以及(g)至少在第一化合物半导体层的已蚀刻的第一表面上形成第一电极。

公开(公告)号：CN104160521B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380008509.4

申请日：2013-02-05

Applicant: 索尼公司 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 田才邦彦 ,  中岛博 ,  风田川统之 ,  簗岛克典 ,  盐谷阳平 ,  熊野哲弥 ,  京野孝史

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

Abstract: 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。