公开(公告)号：CN102224580B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN200980146210.9

申请日：2009-11-24

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胜原真央 ,  米屋伸英

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3274 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/102 ,  H01L51/105

Abstract: 提供了一种在不损坏有机半导体图案的情况下通过容易且适合于增大面积的工艺制造具有抑制了劣化的顶部接触结构的薄膜晶体管的方法。在基板(1)上形成有机半导体图案(7a)。在所述基板(1)上形成电极材料膜(13)以覆盖所述有机半导体图案(7a)。在所述电极材料膜(13)上形成抗蚀剂图案(15)。使用所述抗蚀剂图案(15)作为掩模，通过湿法蚀刻对所述电极材料膜(13)进行构图。通过该工艺，形成源极(13s)和漏极(13d)。

公开(公告)号：CN103988582A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280057633.5

申请日：2012-11-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 野田真 ,  胜原真央

IPC: H05B33/22 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5275 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明提供了一种显示装置(1)，包括：具有开口(19M)的绝缘层(19)；以及包括功能层(15)并设置在所述绝缘层的开口中的发光元件(10)，所述功能层设置在第一电极(14)和第二电极(16)之间并包括发光层。所述绝缘层包括低折射率层，所述低折射率层由折射率比包含在所述功能层中并接近所述绝缘层的层(15A)的折射率低的材料制成。

公开(公告)号：CN103874704A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280049303.1

申请日：2012-10-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林典仁 ,  五十岚绘里 ,  胜原真央

IPC: C07D495/22 ,  C07D495/16 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/0558 ,  C07D495/16 ,  C07D495/22 ,  C09B11/28 ,  C09B57/00 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  C07D493/06

Abstract: 提供了一种例如用以下结构式（1）表示的二氧杂蒽嵌蒽化合物。

公开(公告)号：CN101867017B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201010150255.8

申请日：2010-04-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 野本和正 ,  胜原真央 ,  汤本昭

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/102 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法。用于制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：利用栅极绝缘膜覆盖被图案化在衬底上的栅极电极；在栅极绝缘膜上按顺序形成有机半导体层和电极膜；以及在设置有有机半导体层和电极膜的衬底上形成负型光刻胶膜，并且，通过将栅极电极用作遮光掩模从衬底一侧进行背表面曝光，并进行随后的显影处理，来形成抗蚀剂图案，所述抗蚀剂图案用作通过刻蚀电极膜来形成源极-漏极所用的掩模。

公开(公告)号：CN103682101A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310359072.0

申请日：2013-08-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 野元章裕 ,  胜原真央 ,  栗原研一

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0512 ,  H01L51/0014

Abstract: 本技术公开了一种能够以高成品率制造的晶体管、晶体管的制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法。制造晶体管的方法包括：形成栅电极；形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜，所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对；以及使所述有机半导体膜图案化。

公开(公告)号：CN103069554A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180039625.3

申请日：2011-08-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 后藤修 ,  保原大介 ,  野元章裕 ,  村上洋介 ,  富谷茂隆 ,  小林典仁 ,  清水圭辅 ,  胜原真央 ,  大江贵裕 ,  川岛纪之 ,  高桥由佳 ,  福田敏生 ,  石井由威

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0002 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜形成方法，能够在控制厚度和尺寸的同时轻松快速地形成单晶有机薄膜。在将有机溶液提供给由温度可控的支撑件支撑的成膜基板的一个表面（宽度较宽的溶液积蓄区以及宽度较窄并与所述溶液积蓄区连接的溶液限制区）之后，独立于所述支撑件温度可控的移动体沿所述支撑件的表面移动，同时保持与所述有机溶液接触。将所述支撑件的温度设定为位于关于所述有机溶液的溶解度曲线和超溶解度曲线之间的温度，并将所述移动体的温度设定为比溶解度曲线的温度高的一侧上的温度。

公开(公告)号：CN102867914A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210235274.X

申请日：2012-06-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胜原真央

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566

Abstract: 本公开涉及电子器件和半导体器件的制造方法。所述电子器件至少包含：第一电极；第二电极，其被设置成与所述第一电极间隔开；和活性层，其被设置在所述第一电极上方至所述第二电极上方并且由有机半导体材料形成。电荷注入层形成在所述第一电极和所述活性层之间以及所述第二电极和所述活性层之间，并且所述电荷注入层由通过被氧化而电传导率的值增加了的有机材料形成。

公开(公告)号：CN102832345A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210184596.6

申请日：2012-06-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胜原真央

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0562 ,  H01L51/0017

Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管及其制造方法和电子装置，该薄膜晶体管包括：有机半导体层，由含有至少能与蚀刻气体反应的金属元素和半金属元素的至少一种的含金属材料形成；彼此间隔开的源电极和漏电极；以及有机导电层，介于有机半导体层与源电极和漏电极之间的有机半导体层与源电极和漏电极的重叠区域中，并且有机导电层由不含有能与蚀刻气体反应的金属材料或半金属材料的至少一种的非含金属材料形成。

公开(公告)号：CN102376892A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110214663.X

申请日：2011-07-29

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胜原真央

IPC: H01L51/05 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、显示装置和电子设备，该半导体装置包括：栅极电极，在基板上；栅极绝缘膜，用于覆盖栅极电极；有机半导体层，以沿着栅极电极的宽度覆盖栅极电极的方式堆叠在栅极电极之上，且栅极绝缘膜在有机半导体层与栅极电极之间，有机半导体层具有厚膜部分和薄膜部分，厚膜部分设置在沿着栅极电极的宽度的中心，薄膜部分比厚膜部分薄，并且薄膜部分设置在沿着栅极电极的宽度的两端；以及源极电极和漏极电极，设置为沿着栅极电极的宽度以夹置栅极电极的状态彼此相对，且源极电极和漏极电极的每一个的端部堆叠在有机半导体层的薄膜部分之一上。

公开(公告)号：CN112105295A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201980031325.7

申请日：2019-03-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胜原真央 ,  佐佐木僚

IPC: A61B5/0408

Abstract: 本发明使得可以在不减小可靠性的情况下实现用户便利性和测量准确性两者。根据本发明的生物电位测量电极在与生物体接触的至少一部分中包括：主要由预定的树脂材料、橡胶或弹性体组成的基材树脂层；以及包含在基材树脂层中的导电颗粒。导电颗粒均具有预定的基材颗粒和表面处理区域，在表面处理区域中，基材颗粒的表面的至少一部分被预定的材料涂覆或取代。