公开(公告)号：CN102566282A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110306768.8

申请日：2011-10-11

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴丞培 ,  田桓承 ,  赵诚昱 ,  金旼秀 ,  宋知胤 ,  崔有廷

IPC: G03F7/09 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供硬掩模组合物，所述硬掩模组合物包括一种化合物和溶剂，所述化合物包括用以下化学式1表示的结构单元，在化学式1中，A、L、B、R1、R2、n1和n2中的每一个与在具体实施方式中所定义的相同。并且，本发明提供了利用所述硬掩模组合物形成图案的方法，以及包括通过所述图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物具有高的蚀刻选择性和改进的光学特性，同时保证对多重蚀刻的抗蚀性。[化学式1]

公开(公告)号：CN104253024B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201410063061.2

申请日：2014-02-24

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 崔有廷 ,  金润俊 ,  金古恩 ,  金永珉 ,  金惠廷 ,  文俊怜 ,  朴曜徹 ,  朴裕信 ,  朴惟廷 ,  宋炫知 ,  辛乘旭 ,  尹龙云 ,  李忠宪 ,  洪承希

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C08G61/02

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明公开了硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置，其中该硬掩模组合物包括由以下化学式1表示的单体、包含由以下化学式2表示的部分的聚合物、包含由以下化学式3表示的部分的聚合物、或者它们的组合，以及溶剂。在以下化学式1至3中，A、A′、A″、L、L′、X、X′、m、n、Ar、B、Xa以及Xb与具体实施方式中限定的相同。[化学式1][化学式2][化学式3]

公开(公告)号：CN102566281B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201110304927.0

申请日：2011-10-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 宋知胤 ,  金旼秀 ,  田桓承 ,  吴丞培 ,  崔有廷

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明提供了一种硬掩模组合物，其包含由以下化学式1表示的含芳环化合物和溶剂，在化学式1中，A、R1至R6、X1至X6、n1至n6均与说明书中具体定义的相同。本发明还提供了一种通过使用该硬掩模组合物来形成图案的方法和包括通过该图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。本发明的硬掩模组合物能够在确保对多重蚀刻的抗性的同时，具有高蚀刻选择性和改善的光学性能。

公开(公告)号：CN104253024A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410063061.2

申请日：2014-02-24

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 崔有廷 ,  金润俊 ,  金古恩 ,  金永珉 ,  金惠廷 ,  文俊怜 ,  朴曜徹 ,  朴裕信 ,  朴惟廷 ,  宋炫知 ,  辛乘旭 ,  尹龙云 ,  李忠宪 ,  洪承希

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C08G61/02

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  G03F7/40 ,  G03F7/092 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/314 ,  G03F7/00 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明公开了硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置，其中该硬掩模组合物包括由以下化学式1表示的单体、包含由以下化学式2表示的部分的聚合物、包含由以下化学式3表示的部分的聚合物、或者它们的组合，以及溶剂。在以下化学式1至3中，A、A′、A″、L、L′、X、X′、m、n、Ar、B、Xa以及Xb与具体实施方式中限定的相同。[化学式1][化学式2][化学式3]

公开(公告)号：CN103903962B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310430739.1

申请日：2013-09-18

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 崔有廷 ,  金润俊 ,  文俊怜 ,  李范珍 ,  李忠宪 ,  赵娟振

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0332 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件。该硬掩模组合物，其包含：（A）由以下化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体，（B）含芳环的聚合物，以及（C）溶剂。在以下化学式1中，A、A′、A″、L、L′、x、y、和z均与说明书中限定的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN104823106A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201380059123.6

申请日：2013-10-02

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 辛乘旭 ,  金润俊 ,  金惠廷 ,  赵娟振 ,  崔有廷

IPC: G03F1/00 ,  C07C63/15 ,  G03F7/26 ,  C07C15/40

Abstract: 本发明是关于一种由化学式1表示的用于硬掩膜组合物的单体、一种含有单体的硬掩膜组合物、以及一种使用硬掩膜组合物的图案形成方法。在上述的化学式1中，A、A′、L、L′、X以及n与说明书中所定义的相同。

公开(公告)号：CN104812729A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380059507.8

申请日：2013-06-04

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金润俊 ,  权孝英 ,  金惠廷 ,  李忠宪 ,  赵娟振 ,  崔有廷

IPC: C07C39/12 ,  C07C39/04 ,  G03F7/004

CPC classification number: C07C39/14 ,  C07C33/26 ,  C07C39/12 ,  C07C43/23 ,  C07C2603/50 ,  C07C2603/52 ,  C07C2603/54 ,  C09D173/00 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明涉及硬屏蔽组成物用的以化学式1表示的单体、包含此单体的硬屏蔽组成物及使用此硬屏蔽组成物形成图案的方法。于化学式1，A1至A3、X1至X3、L1、L2、n及m是与说明书中所述的相同。

公开(公告)号：CN102566281A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110304927.0

申请日：2011-10-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 宋知胤 ,  金旼秀 ,  田桓承 ,  吴丞培 ,  崔有廷

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明提供了一种硬掩模组合物，其包含由以下化学式1表示的含芳环化合物和溶剂，在化学式1中，A、R1至R6、X1至X6、n1至n6均与说明书中具体定义的相同。本发明还提供了一种通过使用该硬掩模组合物来形成图案的方法和包括通过该图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。本发明的硬掩模组合物能够在确保对多重蚀刻的抗性的同时，具有高蚀刻选择性和改善的光学性能。