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公开(公告)号:CN102115426A
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN201010613154.X
申请日:2010-12-29
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C07C33/26 , C07C33/36 , C07C2601/14 , C07C2603/54 , G03F7/091
Abstract: 本发明披露了由以下化学式1表示的含芳香环化合物和包含所述化合物的抗蚀剂的下层组合物。在化学式1中,每个取代基与具体实施方式中定义的相同。所述含芳香环化合物可以具有优异的光学性能、机械特性和蚀刻选择性特性,并且可以利用旋涂涂覆方法应用。它对于利用短波长的光刻过程也是有用的,并显示出最小的残留酸含量。本发明还提供了利用抗蚀剂的下层组合物图案化器件的方法。[化学式1]
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公开(公告)号:CN102060980A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN201010242377.X
申请日:2010-07-29
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G61/02 , C08G2261/3424 , C08G2261/45 , C08G2261/76 , C08L65/00 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶下层聚合物、含有这种光刻胶下层聚合物的光刻胶下层组合物以及图案化器件的方法。该聚合物包括由以下化学式1表示的重复单元和/或由以下化学式2表示的重复单元。[化学式1] [化学式2]在以上化学式1或2中,每一取代基与在详细描述中定义的取代基相同。
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公开(公告)号:CN102060980B
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201010242377.X
申请日:2010-07-29
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G61/02 , C08G2261/3424 , C08G2261/45 , C08G2261/76 , C08L65/00 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶下层聚合物、含有这种光刻胶下层聚合物的光刻胶下层组合物以及图案化器件的方法。该聚合物包括由以下化学式1表示的重复单元和/或由以下化学式2表示的重复单元。[化学式1] [化学式2]在以上化学式1或2中,每一取代基与在详细描述中定义的取代基相同。
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公开(公告)号:CN102566282A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110306768.8
申请日:2011-10-11
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/09 , H01L21/02 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/094 , H01L21/02112 , H01L21/0332
Abstract: 本发明提供硬掩模组合物,所述硬掩模组合物包括一种化合物和溶剂,所述化合物包括用以下化学式1表示的结构单元,在化学式1中,A、L、B、R1、R2、n1和n2中的每一个与在具体实施方式中所定义的相同。并且,本发明提供了利用所述硬掩模组合物形成图案的方法,以及包括通过所述图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物具有高的蚀刻选择性和改进的光学特性,同时保证对多重蚀刻的抗蚀性。[化学式1]
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公开(公告)号:CN102115426B
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201010613154.X
申请日:2010-12-29
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C07C33/26 , C07C33/36 , C07C2601/14 , C07C2603/54 , G03F7/091
Abstract: 本发明披露了由以下化学式1表示的含芳香环化合物和包含所述化合物的抗蚀剂的下层组合物。在化学式1中,每个取代基与具体实施方式中定义的相同。所述含芳香环化合物可以具有优异的光学性能、机械特性和蚀刻选择性特性,并且可以利用旋涂涂覆方法应用。它对于利用短波长的光刻过程也是有用的,并显示出最小的残留酸含量。本发明还提供了利用抗蚀剂的下层组合物图案化器件的方法。
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公开(公告)号:CN102566282B
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201110306768.8
申请日:2011-10-11
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/09 , H01L21/02 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/094 , H01L21/02112 , H01L21/0332
Abstract: 本发明提供硬掩模组合物,所述硬掩模组合物包括一种化合物和溶剂,所述化合物包括用以下化学式1表示的结构单元,在化学式1中,A、L、B、R1、R2、n1和n2中的每一个与在具体实施方式中所定义的相同。并且,本发明提供了利用所述硬掩模组合物形成图案的方法,以及包括通过所述图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物具有高的蚀刻选择性和改进的光学特性,同时保证对多重蚀刻的抗蚀性。[化学式1]
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