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公开(公告)号：CN113204244B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110439859.2
申请日：2021-04-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于定位导航的登机桥对接方法，该方法涉及登机桥轮位控制领域。该方法依靠GPS引导登机桥移动到目标位置。在GPS定位准确的情况下，本发明可以很精确的计算出，由当前位置移动到目标位置轮位的行进方向与最佳控制角度。本发明可以仅通过一次计算便可以得到轮位行进方向以及最佳控制角度(相对于立柱坐标系)和轮位行进方向，之后沿该角度直线行驶则可直线到达目标点。在实际对接过程中，若出现轮架偏离路线的情况，可以通过多次计算轮位相对于轮架的控制角度，调整登机桥沿最佳路径行走，经过实际测试本发明的计算方法可以使得登机桥准确快速地移动到目标点。
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公开(公告)号：CN114447103A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210097619.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/417 , H01L29/778
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有逆向导通能力的GaN RC‑HEMT器件。本发明在传统GaN HEMT器件的基础上引入了MOS型沟道二极管作为续流二极管，漏源负压使槽型源极结构的侧壁形成电子积累层，纵向续流沟道开启，电流从阳极出发经过纵向沟道后通过势垒层二下方的横向2DEG通路到达阴极，反向续流主通路的导通压降基本不受栅驱动负压的影响；当漏源负压达到一定值时，传统HEMT的反向续流通路即势垒层一下方的横向2DEG沟道开启，进一步增加反向导通电流。此外多沟道结构形成的极化结也有利于提升器件耐压，解决了集成肖特基续流阻断时泄漏电流大且温度影响稳定性的问题。
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公开(公告)号：CN112909077B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110169319.7
申请日：2021-02-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种双异质结极化增强的准纵向GaN HEMT器件。本发明相对于传统的GaN HEMT，采用P型GaN层提高二维空穴气浓度，耐压时双异质结界面处的二维电子气和空穴气分别耗尽，留下极性相反的固定极化电荷，电场线由正电荷指向负电荷，得到准矩形分布的横向电场；零偏时P型GaN层与二维空穴气共同阻断器件的纵向沟道，当P型GaN层被耗尽产生反型层且二维空穴气被耗尽时器件正常导通。本发明的有益效果为，相比于传统HEMT器件，本发明具有高阈值电压及高击穿电压的优势。
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公开(公告)号：CN113690311A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111000737.X
申请日：2021-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/872
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成续流二极管的GaN HMET器件。本发明主要特征在于：器件正向导通时，肖特基二极管处于关断状态，一方面利用肖特基金属与半导体之间的功函数差，耗尽阳极区域的二维电子气，另一方面利用阳极区域部分保留的介质层，降低肖特基二极管关断时的泄漏电流；器件反向续流时，肖特基阳极侧壁与二维电子气(2DEG)直接接触，有利于降低反向传导损耗；绝缘栅极结构允许器件在具有较厚势垒层的情况下，实现增强型HEMT，有利于降低正向导通电阻以及增强器件的栅控能力；集成的肖特基二极管与GaN HEMT在漏极一侧共享漂移区，相较于并联二极管实现续流，有利于减小器件面积和寄生参数以及降低正向传导与反向传导时的导通电阻。
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公开(公告)号：CN109446972B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201811241695.7
申请日：2018-10-24
Applicant: 电子科技大学中山学院
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明实施例提供一种基于肌电信号的步态识别模型建立方法、识别方法及装置，所述模型建立方法包括以下步骤：采集肌电信号；降噪处理；添加类标签并提取以下肌电信号特征：斜率变化率、威利森幅度、方差对数、波形长度和特征DB7‑MAV；计算DBI指标和SCAT指标并获得综合评定结果；将综合评定结果作为样本按预定比例随机分为训练样本组和测试样本组，并分别输入LightGBM模型中进行训练和测试，根据训练集误差和测试集误差调整LightGBM模型中的参数，重复进行分组、训练、测试和调整参数，直到模型测试结果的误差符合预定标准的数据模型，将人体步态类型与综合评定结果的对应关系存入数据模型。本发明实施例可高效、准确地建立数据模型，且步态识别率高，识别结果更可靠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112864243A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110038284.3
申请日：2021-01-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/778
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有钝化层渐变氟离子终端的GaN HMET器件。本发明主要特征在于：在器件栅极和漏级之间引入氟离子注入终端结构，且氟离子注入区域面积由靠近栅极一侧向漏极一侧逐渐减小，有效降低栅极边缘电场尖峰，并在漂移区中部引入新的电场尖峰，调制器件横向电场；氟离子注入终端结构位于厚钝化层中，可避免离子注入对AlGaN材料的物理损伤和对2DEG迁移率的影响，改善器件特性并抑制电流崩塌。本发明的有益效果为，该结构能实现更高的耐压以及更小的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN115050813B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202210829590.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法。该制造方法中，先采用光刻工艺，形成宽度依次变小的窗口，之后通过宽度依次变小的窗口一次性干法刻蚀实现深度依次变浅的阶梯槽，最后进行一次性氟离子注入，形成渐变掺杂阶梯氟离子终端。该终端能更好地优化表面电场，提升器件耐压，并且该制造方法通过一次性氟离子注入形成栅下氟离子区和渐变掺杂阶梯氟离子终端，同时实现了增强型和提高器件耐压，降低工艺的难度。另外，该制造方法中氟离子注入到钝化层中而非直接注入到势垒层AlGaN中，可减小对二维电子气迁移率的影响，抑制动态电阻增加和电流崩塌效应，改善器件正向导通和动态特性。
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公开(公告)号：CN119171031A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411290589.3
申请日：2024-09-14
Applicant: 电子科技大学 , 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种铁氧体限幅电路及其组成的高功率微波前门限幅保护装置，属于微波技术领域，所述铁氧体限幅电路包括铁氧体基板，在所述铁氧体基板的正面设置有中心对称的微带电路结构，所述微带电路结构包括长传输线和短传输线，以及输入输出微带线，所有长传输线和短传输线整体呈周期性折叠结构或者准周期性折叠结构；本发明在带内实通过铁氧体的非线性损耗效应，对高功率微波进行吸收式限幅，在HPM电磁环境下可以开启前门防护，且具有较好的限幅效果，并且装置的尺寸较小，利于在微波接收机中应用。
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公开(公告)号：CN113516005B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110341970.8
申请日：2021-03-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06V40/20 , G06V10/74 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习和姿态估计的舞蹈动作评价系统，该系统包括数据采集单元、VideoPose3D关节点坐标提取模块、动作分析神经网络舞蹈编码模块和舞蹈评价模块。通过数据采集单元拍摄舞蹈视频，传送到关节点坐标提取模块中提取关节点坐标数据信息，然后通过动作分析神经网络对坐标数据进行编码，最后由舞蹈评价模块对比该编码与标准动作编码的余弦相似度，将计算结果转化为评价指标，完成对舞蹈动作的评价。在动作分析神经网络的训练过程中，使用MMD_NCA损失作为网络的约束指标，降低了网络编码结果的误差，提高舞蹈评价模块评价结果的准确性与可靠性。该系统可以实现对舞蹈动作的教学与矫正，有效提高舞者的舞蹈水平。
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公开(公告)号：CN117372802A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311219630.3
申请日：2023-09-20
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06V10/774 , G06V10/776 , G06V10/82 , G06N3/08
Abstract: 本发明属于图像增广技术领域，公开了一种基于随机擦除的飞机图像增广方法及系统，准备待增广图像数据集；对所有图像进行随机擦除增广；对所有增广图像进行合格性判定；通过检测擦除区域和目标区域的相交区域与目标区域面积的比值的方式来对增广图像的有效性进行初步评估；比较增广的面积比值和合格性阈值，如果超过合格性阈值，此次增广视作不合格增广；面积比值的值等于0，此次增广也视作不合格增广；若出现不合格增广，则返回步骤二，对该图像重新进行随机擦除操作，直到出现合格增广为止。本发明在传统的图像擦除增广方法基础上提出了一种对图像增广的质量的衡量方法。本发明可有效扩充图像数据集数量，提高训练模型性能。
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