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公开(公告)号：CN118936296A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411012648.0
申请日：2024-07-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本专利公开了一种基于碲纳米网(Te NMs)的柔性应变传感器。器件制作步骤是先使用气相生长方法在柔性材料基底上生长碲纳米网，然后使用物理掩膜方法结合电子束蒸发制作金属电极。本专利利用碲原子链间的范德华键和准范德华界面处的自发失配弛豫，在100℃低温下于柔性衬底上制备了碲纳米网作为应变传感器的传感层。制作的应变传感器在小应变下具有灵敏度高、耐用性好等特点。本专利的优点是器件制作方法简单、可靠、灵敏度高，适用于测量微应变的场景。
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公开(公告)号：CN115420189A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211039782.0
申请日：2022-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向人体健康监测的柔性应变传感器及其制备方法，所述面向人体健康监测的柔性应变传感器包括柔性衬底、位于衬底上的二硒化钯(PdSe2)薄膜、金属电极及聚合物封装钝化膜。所述制备方法具体步骤为：在柔性衬底上直接生长一层二硒化钯薄膜，二硒化钯通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)硒化制备而成，在二硒化钯薄膜上镀金属电极，再使用聚合物膜封装。本发明的优点是二硒化钯材料低温合成兼容柔性基底，工艺简洁，易于集成，便于大规模生产高灵敏面向人体健康监测的柔性应变传感器。
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公开(公告)号：CN113322522A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110629862.0
申请日：2021-06-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: C30B29/46 , C30B29/64 , C30B25/02 , C23C16/448 , C23C16/30
Abstract: 本发明公开了一种外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法。采用化学气相沉积技术，通过钨酸钠做辅助剂，辅助生长大面积二硫化钨薄膜。其中氧化钨与钨酸钠的质量比为1:2‑1:12。本发明使用钨酸钠做辅助剂，一方面可以促进氧化钨的的液化，并可以保护氧化钨在反应阶段不被硫化；另一方面钠盐有助于降低形核密度，实现大面积单层二硫化钨薄膜的制备。本发明能够在低压单温区管式炉条件下制备出外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜。该实验方法可控性好、工艺简单、原料成本低，且适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN112965340A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110155435.3
申请日：2021-02-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种紧凑型无掩模光刻系统及其曝光方法，应用于无掩模数字光刻领域，针对现有技术存在的光路折叠导致紫外光能量急剧缩减的问题，本发明将紫光与红光集成在同一个平面，保证紫光与红光形成同轴光源，红光用作照明以及曝光图形对准，紫光用于曝光分布与光轴四周，解决了目前无掩模光刻系统中，结构复杂、所用元件过多导致光刻系统体积过大的问题；因光路复杂引发的光能利用率低而导致的光刻系统光刻效率低下的问题。
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公开(公告)号：CN108374199B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201810252741.7
申请日：2018-03-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔GeS单晶纳米片及其制备方法，包括以下步骤：(1)对衬底进行预处理，然后将衬底置于管式炉中；(2)将装有GeS粉末的石英舟置于石英管中心，然后抽真空，并用氩气冲洗2～3次，通入氩气，直至压强保持在20～40Torr；(3)升温，待温度达到后，开始沉积，沉积结束后，自然冷却至室温，得多孔GeS单晶纳米片；其中，升温过程、沉积过程和自然冷却过程中均以10～30sccm的速率通入氩气，但升温过程和自然冷却过程中通入的氩气方向与沉积过程方向相反。本发明方法降低了生产成本和制备难度，制备得到的多孔GeS单晶纳米片可用于制备大储能的Li电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107611215B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710232453.0
申请日：2017-04-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硅/二维半导体异质结型光电探测器及制备方法。该光电探测器由下至上依次层叠的硅材料层、绝缘介质层、二维半导体材料层和金属电极；绝缘介质层中心开有通孔，二维半导体材料通过通孔与硅材料形成异质结，通过结区电流变化检测外界光的变化。该光电检测器制备方法简单，其制备过程均与半导体工艺兼容，适合大规模工业生产；制得的光电检测器拥有硅基易集成的特点，结构简单，可控性强，同时具有光响应度高、响应速度快的特点，对可见光的响应度优于普通的硅光探测器件，光探测响应时间为微妙量级。
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公开(公告)号：CN110174824A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910460820.1
申请日：2019-05-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于投影式无掩膜光刻设备的对准套刻光路及其方法，应用于无掩膜光刻技术领域，针对传统的掩模光刻对准系统要在掩模版上构造标记，对于投影式无掩膜光刻设备，传统的对准方式不适用的问题，本发明通过透镜或透镜组准直对准光源产生的光束；通过合束光学元件将光束耦合进投影曝光主光路；对准光束照射到图像生成装置后反射，形成对准图形；对准图形经过微缩透镜组实现图像的微缩投影；调整工件台的垂直距离实现对准图形在待光刻基片的清晰成像；调整工件台的水平坐标和旋转角度，实现对准图形与待光刻基片的位置对准；最后打开曝光光源，完成投影曝光；实现了投影式无掩膜光刻设备的对准套刻。
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公开(公告)号：CN103400919B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310279611.X
申请日：2013-06-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种场电子激励下的紫外光源结构，其特征在于：包括阴极发射体和与阴极发射体之间以真空为间隔的受激发光体，阴极发射体与受激发光体的间距为100～1000μm；所述阴极发射体包括金属或半导体衬底和至少部分覆盖于金属或半导体衬底上的场发射阵列；所述受激发光体包括从外到内依次设置的透明衬底、导电层、宽禁带半导体纳米晶层和金属反射层。该结构将以纳米冷阴极材料为基础的阴极发射体和以宽禁带半导体纳米材料为基础的受激发光体相配合，在电子束激励下显示了很好的带边紫外荧光发射，并且该结构制备工艺简单，成本低，发光效率高，环境污染小，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN105551579A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510974843.6
申请日：2015-12-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及薄膜及其制备方法，提供一种可电致变色的多层透明导电薄膜及其制备方法，所述多层透明导电薄膜包括从上往下依次设置的衬底、第一WO3薄膜层，Ag导电层，W缓冲层和第二WO3薄膜层；其制备方法首先通过反应溅射法在衬底上制备第一WO3薄膜层；然后分别通过直流溅射和磁控溅射在第一WO3薄膜层表面制备Ag导电层和W缓冲层；最后再通过反应溅射法在W膜层表面制备第二WO3薄膜层，本发明经过优化多层透明导电薄膜结构及制备工艺，采用溅射法制备得可电致变色的多层透明导电薄膜，且该薄膜具备可见光范围内的高透过率，高电导率，以及具有可见光透射率调节范围大、着色效率高、循环稳定性好和环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN119899514A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510209117.9
申请日：2025-02-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚乙烯吡咯烷酮(PVP)修饰的光子晶体胶体薄膜及其制备方法。该光子晶体胶体薄膜由经PVP表面修饰的二氧化硅微球(SiO2)在以聚乙二醇苯醚丙烯酸酯(PEGPEA)和二乙二醇乙醚丙烯酸酯(DEGEEA)为主要成分的弹性胶体内部自组装，并通过光引发剂1173进行紫外固化而形成。与传统光子晶体薄膜相比，本发明的光子晶体胶体薄膜有效抑制了角度依赖性，实现了光子晶体结构色的稳定表征。同时，该薄膜具备柔性良好、灵敏度高、环境友好以及工艺简单的特点，在大批量工业化生产中展现出极高的生产效率，具有显著的技术优势和应用潜力。
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