公开(公告)号：CN106129118B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201610727532.4

申请日：2016-08-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  李路 ,  方冬 ,  杨文 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区以及环形隔离介质；环形漏极N+接触区包围环形N型漂移区，环形N型漂移区包围环形隔离介质，环形隔离介质隔离P‑well区，环形隔离介质处于P‑well区和N型漂移区之间，P‑well区与N型漂移区不相连且相互的间距为LP，本发明改善了直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡与电场曲率效应的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

公开(公告)号：CN106129125B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201610602001.2

申请日：2016-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李成州 ,  卢璐 ,  于亮亮 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/77 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明提供一种三端自带防护功能的横向恒流器件及其制造方法，器件包括横向恒流二极管结构与瞬态电压抑制二极管结构，横向恒流二极管包括P型轻掺杂衬底、第一P型重掺杂区、第二金属阴极、扩散N型阱区、第二P型重掺杂区、第三P型轻掺杂区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、氧化介质层、第一金属阴极；瞬态电压抑制二极管结构包括P型轻掺杂衬底、第一P型重掺杂区、第二金属阴极、扩散N型阱区、第二N型重掺杂区、氧化介质层、金属阳极；本发明在浪涌波动袭击恒流器件时率先击穿，泄放大电流，来保护恒流二极管以及其后驱动的LED灯串，提高了恒流器件及整个系统的可靠性，大大缩减了面积，降低了研发成本。

公开(公告)号：CN105072765B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510512992.0

申请日：2015-08-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  代刚 ,  张康 ,  张波

IPC: H05B37/02

Abstract: 一种桥式LED恒流驱动芯片，属于半导体技术领域。包括4个高反向耐压恒流器件，第一高反向耐压恒流器件阳极与第四高反向耐压恒流器件阴极连接形成第一节点，第一高反向耐压恒流器件阴极与第二高反向耐压恒流器件阴极连接形成第二节点，第二高反向耐压恒流器件阳极与第三高反向耐压恒流器件阴极连接形成第三节点，第三高反向耐压恒流器件阳极与第四高反向耐压恒流器件阳极连接形成第四节点；第一节点和第三节点分别连接第一交流输入端和第二交流输入端，第二节点和第四节点分别连接第一直流输出端和第二直流输出端。本发明驱动芯片将整流和恒流功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，且进一步降低了成本。

公开(公告)号：CN106252393A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610728924.2

申请日：2016-08-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李成州 ,  于亮亮 ,  肖倩倩 ,  张波

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/41 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P-well区、源极P+接触区；曲率结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层、分别与直线结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层相连并形成环形结构，N型漂移区由内边界向外边界分成21、22….2NN个子区域，漏极N+接触区包围子区域21、22….2N，由于本发明的结构曲率结终端部分的N型漂移区与P型衬底交界处的N型掺杂浓度相比传统结构要降低许多，所以P型衬底能更有效的耗尽N型漂移区，所以器件的耐压得到更好优化。

公开(公告)号：CN106206750A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610604546.7

申请日：2016-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  方冬 ,  于亮亮 ,  李成州 ,  李路 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/82 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/82 ,  H01L27/06 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构；恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用N型掺杂衬底、第三P型重掺杂区、阳极、N型掺杂外延层；恒流器件结构还包括：第一扩散P型阱区、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、N型沟道区、第一氧化层、第一金属阴极，双向瞬态电压抑制二极管结构还包括：第二P型重掺杂区、第二氧化层、第二金属阴极，本发明将双向瞬态电压抑制二极管和恒流器件集成在一起，使得恒流器件具备了一定的抗浪涌能力，增强了恒流器件以及由其组成的系统的可靠性，大大缩减了面积。

公开(公告)号：CN106206574A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610605159.5

申请日：2016-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李成州 ,  卢璐 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H01L27/08 ,  H01L29/861 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0814 ,  H01L21/822 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括垂直型恒流二极管和瞬态电压抑制二极管，垂直型恒流二极管包括金属阳极、N型衬底、第一轻掺杂N型外延层、第一P型区、第二重掺杂N型外延层、第一N型重掺杂区、第一金属阴极；瞬态电压抑制二极管包括金属阳极、N型衬底、第一轻掺杂N型外延层、第二重掺杂N型外延层、第二P型区、氧化层、第二金属阴极，本发明将瞬态电压抑制二极管和垂直型恒流二极管集成在一起，使恒流二极管具备了抗浪涌能力，增强了恒流二极管以及系统的可靠性，可通过调节第二P型区的结深和浓度来得到合适的瞬态电压抑制二极管的击穿电压、钳位电压及峰值脉冲电流。

公开(公告)号：CN104638020A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510080599.9

申请日：2015-02-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  何逸涛 ,  于亮亮 ,  张康 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提出了一种基于外延的垂直型恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述基于外延的垂直型恒流二极管包括依次连接的元胞结构和终端结构，所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成，所述终端结构由截止环和多个依次连接的场限环组成。本发明基于外延的垂直型恒流二极管采用与外延层掺杂类型相反的P型掺杂半导体材料作为衬底，使得所述垂直型恒流二极管的电流为空穴电流和电子电流两种载流子电流，增大了器件的电流密度；同时衬底辅助耗尽导电沟道区，削弱了引入PN结带来的夹断电压增加的缺陷，使器件的线性区更加陡峭。

公开(公告)号：CN104638024B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201510081821.7

申请日：2015-02-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  代刚 ,  陈钢 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种基于SOI的横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述基于SOI的横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底，N型轻掺杂硅、P型重掺杂区、N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、P型掺杂区、埋氧层；P型重掺杂区位于N型重掺杂区和P型掺杂区之间，N型重掺杂区部分包含于P型重掺杂区之中，N型重掺杂区与P型重掺杂区短接并与金属阴极欧姆接触，P型掺杂区与金属阳极欧姆接触。本发明恒流二极管采用PN结短接结构，可减小芯片面积，降低成本；同时采用SOI技术，可有效防止在集成系统中衬底漏电流带来的不利影响。

公开(公告)号：CN107094330A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710311698.2

申请日：2017-05-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李路 ,  梁龙飞 ,  朱旭晗 ,  宋旭 ,  于亮亮 ,  张波

IPC: H05B33/08

Abstract: 一种带调光功能的LED驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，高压泄流电路保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。

公开(公告)号：CN107027219A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710311506.8

申请日：2017-05-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李路 ,  朱旭晗 ,  宋旭 ,  于亮亮 ,  梁龙飞 ,  张波

IPC: H05B33/08

CPC classification number: Y02B20/341 ,  H05B33/0842

Abstract: 一种LED恒流驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件和高压二极管组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，双向瞬态电压抑制器TVS保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。