公开(公告)号：CN104638022B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201510080894.4

申请日：2015-02-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  代刚 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种SOI横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述SOI横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底、埋氧层、N型轻掺杂硅、P型重掺杂区、N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、P型掺杂区；P型重掺杂区位于N型重掺杂区和P型掺杂区之间，P型重掺杂区和N型重掺杂区与金属阴极欧姆接触，P型掺杂区与金属阳极欧姆接触，P型重掺杂区和N型重掺杂区之间的N型轻掺杂硅通过氧化介质层与金属阴极隔离。本发明采用SOI技术，可有效防止集成系统中衬底漏电流带来的不利影响；同时采用双载流子导电，增大了器件的电流密度，使器件的线性区更陡峭，夹断电压在5V以内。

公开(公告)号：CN105206659B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201510543015.7

申请日：2015-08-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  代刚 ,  张晓菲 ,  王裕如 ,  方冬 ,  张波

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁连接，延伸路径为圆弧路径；这样可以有效缓解连接处电场的曲率效应。在连接处延伸方向的垂直方向，P型埋层9超出N型漂移区2一些距离，改善电荷不平衡问题。本发明的有益效果为，改善直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡与连接处电场曲率效应的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

公开(公告)号：CN105101555A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510512994.X

申请日：2015-08-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  代刚 ,  方东 ,  张波

IPC: H05B37/02

Abstract: 一种LED恒流驱动芯片，属于半导体技术领域。包括第一高反向耐压恒流器件、第二高反向耐压恒流器件、第一高压二极管和第二高压二极管；第一高反向耐压恒流器件阳极与第二高压二极管阴极连接形成第一节点，第一高反向耐压恒流器件阴极与第二高反向耐压恒流器件阴极连接形成第二节点，第二高反向耐压恒流器件阳极与第一高压二极管阴极连接形成第三节点，第一高压二极管阳极与第二高压二极管阳极连接形成第四节点；第一节点和第三节点分别连接第一交流输入端和第二交流输入端，第二节点和第四节点分别连接第一直流输出端和第二直流输出端。本发明驱动芯片将整流和恒流功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。

公开(公告)号：CN105047724A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510572141.5

申请日：2015-09-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  张康 ,  代刚 ,  何逸涛 ,  于亮亮 ,  张晓菲

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体的说涉及一种横向恒流二极管及其制造方法。本发明所述的横向恒流二极管，其特征在于通过在普通恒流二极管的源极引入负反馈电阻，从而使恒流二极管的特性更加优良。本发明的有益效果为，引入的电阻在器件工作时具有一定压降，使沟道更易夹断，能快速进入恒流区，有效提高横向恒流二极管的击穿电压，使得横向恒流二极管具有较低夹断电压，并有效提高了横向恒流二极管的恒定电流以及有效工作电压范围。本发明尤其适用于横向恒流二极管。

公开(公告)号：CN105047694A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510542990.6

申请日：2015-08-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  王裕如 ,  张晓菲 ,  代刚 ,  方冬 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/7823

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁连接，延伸方向与直接结终端结构中N型漂移区2和P型埋层9内壁垂直方向都具有ɑ度夹角，ɑ度夹角为45度；这样可以有效缓解连接处电场的曲率效应。在连接处延伸方向的垂直方向，P型埋层9超出N型漂移区2距离为5微米，改善电荷不平衡问题。本发明的有益效果为，改善直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡与连接处电场曲率效应的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

公开(公告)号：CN104752512A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510099115.5

申请日：2015-03-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  周锌 ,  李阳 ,  代刚 ,  陈钢 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明提供了一种具有多电极结构的横向高压器件，属于半导体功率器件领域。包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源极金属和漏极金属；其特征在于，在所述第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区之间区域的上方的介质层中还设置有n个电极，n≥2，所述n个电极中任意两电极在横向方向上的投影之间有间隔，且每个电极偏置在不同的电位。本发明提供的横向高压器件可在提高器件耐压的同时降低器件的导通电阻，有效缓解了横向高压器件导通电阻与耐压之间的矛盾。

公开(公告)号：CN104638024A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510081821.7

申请日：2015-02-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  代刚 ,  陈钢 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66136

Abstract: 本发明提供了一种基于SOI的横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述基于SOI的横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底，N型轻掺杂硅、P型重掺杂区、N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、P型掺杂区、埋氧层；P型重掺杂区位于N型重掺杂区和P型掺杂区之间，N型重掺杂区部分包含于P型重掺杂区之中，N型重掺杂区与P型重掺杂区短接并与金属阴极欧姆接触，P型掺杂区与金属阳极欧姆接触。本发明恒流二极管采用PN结短接结构，可减小芯片面积，降低成本；同时采用SOI技术，可有效防止在集成系统中衬底漏电流带来的不利影响。

公开(公告)号：CN104638021A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510080605.0

申请日：2015-02-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  代刚 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66136

Abstract: 本发明提出了一种横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底、扩散N型阱区、P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、第二N型重掺杂区；P型重掺杂区位于第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间，第一N型重掺杂区部分包含于P型重掺杂区之中，第一N型重掺杂区与P型重掺杂区短接并与金属阴极形成欧姆接触，第二N型重掺杂区与金属阳极形成欧姆接触。本发明恒流二极管采用PN结短接结构，可减小芯片面积，降低成本；同时在P型衬底上采用N阱工艺，衬底可辅助耗尽沟道，加快导电沟道的耗尽，实现较低的夹断电压。

公开(公告)号：CN105140269B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510473666.3

申请日：2015-08-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  王裕如 ,  张晓菲 ,  代刚 ,  周锌 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米。在实际工艺中，N型漂移区2通过离子注入形成，在退火推结后，N型漂移区会向Y方向扩散，将P型埋层超出N型漂移区2一些距离，使得扩散出去的N型漂移区有P型杂质耗尽，这样，在直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，电荷不平衡的问题得以改善，从而得到更优化的击穿电压。本发明的有益效果为，改善直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

公开(公告)号：CN104638021B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510080605.0

申请日：2015-02-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  代刚 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提出了一种横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底、扩散N型阱区、P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、第二N型重掺杂区；P型重掺杂区位于第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间，第一N型重掺杂区部分包含于P型重掺杂区之中，第一N型重掺杂区与P型重掺杂区短接并与金属阴极形成欧姆接触，第二N型重掺杂区与金属阳极形成欧姆接触。本发明恒流二极管采用PN结短接结构，可减小芯片面积，降低成本；同时在P型衬底上采用N阱工艺，衬底可辅助耗尽沟道，加快导电沟道的耗尽，实现较低的夹断电压。