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公开(公告)号：CN104967095B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201510454566.6
申请日：2015-07-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H5/04
Abstract: 本发明公开了一种过温保护电路，包括恒定电流产生电路、输出控制电路、输出整形电路，恒定电流产生电路用于为过温保护电路提供稳定的电流偏置；输出控制电路用于将温度信号转换为电信号，并控制过温保护电路的输出；输出整形电路用于将输出控制电路的输出信号进行整形输出，第一电阻和M1管用于对芯片温度进行实时检测并作出响应；本发明提出的过温保护电路结构简单，无需任何高精度的电压比较器，所用元器件数量少，对温度的控制精度高，能非常准确的在热关断温度阈值点产生关断信号，便于调试，具有温度滞回功能，防止了芯片在温度阈值点附近热振荡的发生，非常适合于在电源管理或者LED驱动等芯片中使用。
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公开(公告)号：CN104967095A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510454566.6
申请日：2015-07-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H5/04
Abstract: 本发明公开了一种过温保护电路，包括恒定电流产生电路、输出控制电路、输出整形电路，恒定电流产生电路用于为过温保护电路提供稳定的电流偏置；输出控制电路用于将温度信号转换为电信号，并控制过温保护电路的输出；输出整形电路用于将输出控制电路的输出信号进行整形输出，第一电阻和M1管用于对芯片温度进行实时检测并作出响应；本发明提出的过温保护电路结构简单，无需任何高精度的电压比较器，所用元器件数量少，对温度的控制精度高，能非常准确的在热关断温度阈值点产生关断信号，便于调试，具有温度滞回功能，防止了芯片在温度阈值点附近热振荡的发生，非常适合于在电源管理或者LED驱动等芯片中使用。
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公开(公告)号：CN104979214B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510238123.3
申请日：2015-05-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/266 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种超结结构的制备方法，属于半导体工艺制造技术领域。包括以下步骤：1)在衬底上制备第一N型外延层；2)采用多次高能离子注入工艺，在第一N型外延层需要制作P型柱的区域注入P型杂质，形成第一注入区；3)在第一N型外延层和第一注入区上形成第二N型外延层；4)采用多次高能离子注入工艺，在第二N型外延层需要制作P型柱的区域注入P型杂质，形成第二注入区；5)重复步骤3)、4)的“外延‑多次高能离子注入”过程，直到满足超结结构的耐压要求。本发明采用多次不同能量和剂量的高能离子注入实现了P、N条的注入，得到了P、N条宽较小的超结结构，克服了传统外延注入因高温退火推结导致的P条横扩严重。
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公开(公告)号：CN104752512B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201510099115.5
申请日：2015-03-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有多电极结构的横向高压器件，属于半导体功率器件领域。包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源极金属和漏极金属；其特征在于，在所述第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区之间区域的上方的介质层中还设置有n个电极，n≥2，所述n个电极中任意两电极在横向方向上的投影之间有间隔，且每个电极偏置在不同的电位。本发明提供的横向高压器件可在提高器件耐压的同时降低器件的导通电阻，有效缓解了横向高压器件导通电阻与耐压之间的矛盾。
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公开(公告)号：CN104638024B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510081821.7
申请日：2015-02-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种基于SOI的横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述基于SOI的横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底，N型轻掺杂硅、P型重掺杂区、N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、P型掺杂区、埋氧层；P型重掺杂区位于N型重掺杂区和P型掺杂区之间，N型重掺杂区部分包含于P型重掺杂区之中，N型重掺杂区与P型重掺杂区短接并与金属阴极欧姆接触，P型掺杂区与金属阳极欧姆接触。本发明恒流二极管采用PN结短接结构，可减小芯片面积，降低成本；同时采用SOI技术，可有效防止在集成系统中衬底漏电流带来的不利影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104967096A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510456262.3
申请日：2015-07-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H5/04
Abstract: 本发明公开了一种用于高边功率开关的过温保护电路，具体包括：基准电压产生模块、温度检测模块、输出控制及整形模块、正反馈迟滞模块以及保护模块；基准电压产生模块产生与温度和电源电压无关的稳定电压；温度检测模块将温度信号转化为电压信号；输出控制及整形模块根据检测信号的变化输出过温控制信号；正反馈迟滞模块根据过温输出控制信号调节温度检测信号，实现温度迟滞；本发明提出的过温保护电路可用于高边功率开关等功率集成电路中，热关断阈值点不会随着电源电压的变化而变化，同时本发明能和不同输入控制电平的功率开关电路很好的兼容，适用于各种幅值输入控制电平的高边功率开关电路中。
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公开(公告)号：CN104201194A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410424546.X
申请日：2014-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/10
CPC classification number: H01L29/0649
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件。本发明基于全域积累概念，提出一种超低比导通电阻高压功率器件。该器件漂移区使用低掺杂并在引入跨过整个漂移区的全域薄层介质，设计使得器件关态时器件能承受高电压，开态时形成横跨整个漂移区的积累层，降低比导通电阻，缓解了器件比导通电阻与耐压的矛盾关系。本发明器件耐压时漂移区与栅极同时参与耐压，其较低掺杂保证器件纵向电场接近矩形分布，具有最佳的耐压性能。本发明尤其适用于高压功率器件。
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公开(公告)号：CN104967094A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510454508.3
申请日：2015-07-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H5/04
Abstract: 本发明公开了一种过温保护电路，包括：恒定电流产生电路，输出控制电路，输出整形电路，NPN晶体管Q0为控制开关管，滞回控制管M4管既可以为NMOS管也可以为PMOS管，通过过温后引入额外的电流实现温度的滞回，且可以通过调节M4管的宽长比设置滞回温度的大小，本发明提出的过温保护电路结构简单，无需任何高精度的电压比较器，所用器件数量少，输出精度高，能准确的在热关断温度阈值点产生关断信号，便于调试，且具有温度滞回功能，滞回温度设置灵活，防止热振荡现象的产生，非常适合于在电源和驱动电路等芯片中使用。
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公开(公告)号：CN104934465A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510238045.7
申请日：2015-05-12
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L21/02365
Abstract: 本发明提供了一种超结结构的制备方法，属于半导体工艺制造技术领域。包括以下步骤：1)在衬底上制备第一N型外延层，并在需要制作P型柱的区域刻蚀出沟槽；2)在步骤1)形成的沟槽中填充P型材料，并平坦化表面；3)在平坦化处理后的第一N型外延层和填充的P型材料上形成第二N型外延层，并在需要制作P型柱的区域刻蚀出沟槽；4)在步骤3)形成的沟槽中填充P型材料，并平坦化表面；5)重复步骤3)、4)的“外延-刻槽-填充”过程，直至达到超结结构的耐压要求。本发明采用多次“外延-刻槽-填充”的方法实现了较大深宽比槽的刻蚀和填充，且可以得到P、N条宽较小的超结结构，有效降低了超结结构的导通电阻，优化了超结结构的性能。
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公开(公告)号：CN104967094B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510454508.3
申请日：2015-07-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H5/04
Abstract: 本发明公开了一种过温保护电路，包括：恒定电流产生电路，输出控制电路，输出整形电路，NPN晶体管Q0为控制开关管，滞回控制管M4管既可以为NMOS管也可以为PMOS管，通过过温后引入额外的电流实现温度的滞回，且可以通过调节M4管的宽长比设置滞回温度的大小，本发明提出的过温保护电路结构简单，无需任何高精度的电压比较器，所用器件数量少，输出精度高，能准确的在热关断温度阈值点产生关断信号，便于调试，且具有温度滞回功能，滞回温度设置灵活，防止热振荡现象的产生，非常适合于在电源和驱动电路等芯片中使用。
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