公开(公告)号：CN106129125A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610602001.2

申请日：2016-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李成州 ,  卢璐 ,  于亮亮 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/77 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/77 ,  H01L27/06 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种三端自带防护功能的横向恒流器件及其制造方法，器件包括横向恒流二极管结构与瞬态电压抑制二极管结构，横向恒流二极管包括P型轻掺杂衬底、第一P型重掺杂区、第二金属阴极、扩散N型阱区、第二P型重掺杂区、第三P型轻掺杂区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、氧化介质层、第一金属阴极；瞬态电压抑制二极管结构包括P型轻掺杂衬底、第一P型重掺杂区、第二金属阴极、扩散N型阱区、第二N型重掺杂区、氧化介质层、金属阳极；本发明在浪涌波动袭击恒流器件时率先击穿，泄放大电流，来保护恒流二极管以及其后驱动的LED灯串，提高了恒流器件及整个系统的可靠性，大大缩减了面积，降低了研发成本。

公开(公告)号：CN105392240A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510995850.4

申请日：2015-12-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  方冬 ,  李成州 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0809 ,  H05B33/0845

Abstract: 一种LED照明驱动系统，包括变压器和驱动芯片，变压器包括两个交流输入端和两个输出端；驱动芯片包括第一器件、第二器件、第三器件、第四器件，第一器件的阳极与第四器件的阴极连接形成第一节点，第一器件的阴极与第二器件的阴极相连接形成第二节点，第二器件的阳极与第三器件的阴极相连接形成第三节点，第三器件的阳极与第四器件的阳极相连接形成第四节点；变压器的第一交流输出端与第一节点相连接，变压器的第二交流输出端与第三节点相连接。本发明驱动系统将整流功能和恒流功能结合在一起，使得LED的驱动更简单可靠，可实现驱动系统的小型化；利用变压器将输入交流电转换到合适的电压，使系统功耗进一步降低，提高驱动系统的效率。

公开(公告)号：CN106298874B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610727469.4

申请日：2016-08-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李成州 ,  于亮亮 ,  肖倩倩 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区；曲率结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层、分别与直线结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层相连并形成环形结构，N型漂移区的内外边界之间的部分沿周向依次分成多个不相连的子区域21、22....2N；漏极N+接触区包围子区域21、22….2N，由于本发明的结构曲率结终端部分的N型漂移区与P型衬底交界处的N型掺杂浓度相比传统结构要降低许多，所以P型衬底能更有效的耗尽N型漂移区，所以器件的耐压得到更好优化。

公开(公告)号：CN106098755B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201610728886.0

申请日：2016-08-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李成州 ,  于亮亮 ,  肖倩倩 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区；曲率结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层、分别与直线结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层相连并形成环形结构，N型漂移区的内外边界之间的部分沿周向依次分成多个三角形子区域21、22….2N；漏极N+接触区包围三角形子区域21、22….2N，由于本发明的结构曲率结终端部分的N型漂移区与P型衬底交界处的N型掺杂浓度相比传统结构要降低许多，所以P型衬底能更有效的耗尽N型漂移区，所以器件的耐压得到更好优化。

公开(公告)号：CN106098755A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610728886.0

申请日：2016-08-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李成州 ,  于亮亮 ,  肖倩倩 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区；曲率结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层、分别与直线结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层相连并形成环形结构，N型漂移区的内外边界之间的部分沿周向依次分成多个三角形子区域21、22….2N；漏极N+接触区包围三角形子区域21、22….2N，由于本发明的结构曲率结终端部分的N型漂移区与P型衬底交界处的N型掺杂浓度相比传统结构要降低许多，所以P型衬底能更有效的耗尽N型漂移区，所以器件的耐压得到更好优化。

公开(公告)号：CN106129125B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201610602001.2

申请日：2016-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李成州 ,  卢璐 ,  于亮亮 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/77 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明提供一种三端自带防护功能的横向恒流器件及其制造方法，器件包括横向恒流二极管结构与瞬态电压抑制二极管结构，横向恒流二极管包括P型轻掺杂衬底、第一P型重掺杂区、第二金属阴极、扩散N型阱区、第二P型重掺杂区、第三P型轻掺杂区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、氧化介质层、第一金属阴极；瞬态电压抑制二极管结构包括P型轻掺杂衬底、第一P型重掺杂区、第二金属阴极、扩散N型阱区、第二N型重掺杂区、氧化介质层、金属阳极；本发明在浪涌波动袭击恒流器件时率先击穿，泄放大电流，来保护恒流二极管以及其后驱动的LED灯串，提高了恒流器件及整个系统的可靠性，大大缩减了面积，降低了研发成本。

公开(公告)号：CN106252393A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610728924.2

申请日：2016-08-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李成州 ,  于亮亮 ,  肖倩倩 ,  张波

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/41 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P-well区、源极P+接触区；曲率结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层、分别与直线结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层相连并形成环形结构，N型漂移区由内边界向外边界分成21、22….2NN个子区域，漏极N+接触区包围子区域21、22….2N，由于本发明的结构曲率结终端部分的N型漂移区与P型衬底交界处的N型掺杂浓度相比传统结构要降低许多，所以P型衬底能更有效的耗尽N型漂移区，所以器件的耐压得到更好优化。

公开(公告)号：CN106206750A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610604546.7

申请日：2016-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  方冬 ,  于亮亮 ,  李成州 ,  李路 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/82 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/82 ,  H01L27/06 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构；恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用N型掺杂衬底、第三P型重掺杂区、阳极、N型掺杂外延层；恒流器件结构还包括：第一扩散P型阱区、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、N型沟道区、第一氧化层、第一金属阴极，双向瞬态电压抑制二极管结构还包括：第二P型重掺杂区、第二氧化层、第二金属阴极，本发明将双向瞬态电压抑制二极管和恒流器件集成在一起，使得恒流器件具备了一定的抗浪涌能力，增强了恒流器件以及由其组成的系统的可靠性，大大缩减了面积。

公开(公告)号：CN106206574A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610605159.5

申请日：2016-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李成州 ,  卢璐 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H01L27/08 ,  H01L29/861 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0814 ,  H01L21/822 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括垂直型恒流二极管和瞬态电压抑制二极管，垂直型恒流二极管包括金属阳极、N型衬底、第一轻掺杂N型外延层、第一P型区、第二重掺杂N型外延层、第一N型重掺杂区、第一金属阴极；瞬态电压抑制二极管包括金属阳极、N型衬底、第一轻掺杂N型外延层、第二重掺杂N型外延层、第二P型区、氧化层、第二金属阴极，本发明将瞬态电压抑制二极管和垂直型恒流二极管集成在一起，使恒流二极管具备了抗浪涌能力，增强了恒流二极管以及系统的可靠性，可通过调节第二P型区的结深和浓度来得到合适的瞬态电压抑制二极管的击穿电压、钳位电压及峰值脉冲电流。

公开(公告)号：CN106206751A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610604715.7

申请日：2016-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  方冬 ,  于亮亮 ,  李成州 ,  李路 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/77 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/77 ,  H01L27/06 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构；恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用N型掺杂衬底、第三P型重掺杂区、阳极，恒流器件结构还包括：第一扩散P型阱区、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、N型沟道区、第一氧化层、第一金属阴极，双向瞬态电压抑制二极管结构还包括：第二P型重掺杂区、第二氧化层、第二金属阴极，本发明将双向瞬态电压抑制二极管和恒流器件集成在一起，使得恒流器件具备了一定的抗浪涌能力，增强了恒流器件以及由其组成的系统的可靠性，大大缩减了面积。