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公开(公告)号：CN113130627B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110393954.3
申请日：2021-04-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L27/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成沟道二极管的碳化硅鳍状栅MOSFET。本发明的主要特征在于：具有沟槽结构，且在沟槽区底部集成了沟道二极管，当器件处于反向续流工作模式时，沟道二极管导通实现续流功能，降低了反向导通压降并有效抑制体二极管的导通，消除双极退化带来的影响；采用鳍状栅结构，保证沟槽下方P区域良好接地，使沟槽底部氧化层的峰值电场低于临界击穿值，提高器件在阻断工作模式下的可靠性；位于沟槽内的两个对称鳍状栅，以及位于鳍状栅下方的沟槽底部第三导电材料，构成复合分离栅结构，降低栅漏电容，减少开关损耗，使器件在高频应用中更具优势。
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公开(公告)号：CN111933711B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202010831004.X
申请日：2020-08-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成了SBD的超结MOSFET。本发明相对与传统结构，具有以下几个特点：一、器件采用双槽结构，分别为槽栅结构和肖特基槽型结构，肖特基槽型结构的槽侧壁引入肖特基接触，能够有效节省版图面积和增大续流能力；二、双槽下方引入横向伸长的P型屏蔽层对双槽进行保护，可以抑制集成肖特基二极管的反向泄漏电流，并避免肖特基接触和槽栅底部提前击穿，有效提高击穿电压；三、漂移区采用了超结结构，有效地克服了P型屏蔽层带来的小电流能力问题。本发明的有益效果为，相对于传统集成SBD的SiC MOSFET结构，本发明能够节省版图面积、增强续流能力和抑制体二极管开启能力，同时具有更低的导通压降和更高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN110504308B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910805724.6
申请日：2019-08-29
Applicant: 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高速低损耗的多槽栅高压功率器件。相对与传统结构，本发明在发射极端与集电极端均引入多个槽栅结构。正向导通时，集电极端槽栅侧壁沟道关断，N+集电区与N型缓冲层连通路径被阻断，因而可消除电压折回效应。发射极端槽栅结构不仅增加沟道密度以降低沟道区电阻，而且阻挡槽栅和载流子存储层可有效提高漂移区载流子浓度，因此新器件可获得更低的正向导通压降。关断过程中，随着集电极电压升高，集电极端槽栅侧壁沟道开启，使N+集电区与N型缓冲层连通而形成电子快速抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。因此，本发明具有更小的正向导通压降和关断损耗，而且没有电压折回效应。
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公开(公告)号：CN110504168B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910805736.9
申请日：2019-08-29
Applicant: 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L21/334 , H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种多槽栅横向高压功率器件制造方法。本发明相对与传统结构，新结构在发射极端的N型存储层与集电极端的N型缓冲层、发射极端与集电极端的P型阱区可分别同步推结完成以降低器件热预算成本；发射极端与集电极端的多槽栅结构也可同步制作完成，在器件两端形成多沟道槽栅结构，以此改善器件导通压降与关断损耗。本发明的有益效果为简化器件工艺步骤与成本，实现易集成、低功耗的SOI LIGBT。
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公开(公告)号：CN106973461A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710311508.7
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
CPC classification number: H05B33/0809 , H05B33/0842
Abstract: 一种LED驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件和高压二极管组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，压敏电阻Rv保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106954314A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710311575.9
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
CPC classification number: H05B33/0809 , H05B33/0845
Abstract: 一种带调光功能的LED恒流驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件和高压二极管组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，高压泄流电路保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。
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公开(公告)号：CN110504309B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910805741.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高速低功耗高压功率器件。与传统的短路阳极相比，新结构将N+阳极区置于P阱区中，阴极端采用分段的槽栅与阴极槽结构。正向导通时，阳极端P阱区作为电子的势垒可以消除电压折回效应，而分段槽栅增大了器件沟道密度以降低器件沟道区电阻，阴极槽在物理上阻挡空穴被P+阴极区快速抽走以提高电导调制作用，从而获得更低的导通压降；器件关断过程中，阳极端由N+阳极区/P阱区/N型缓冲层形成的寄生的薄基区NPN管开启，加速存储在漂移区内电子的抽取，提高器件的关断速度，降低关断损耗。相对于传统的短路阳极结构，本发明在更小的元胞尺寸下消除了电压折回现象，具有更低的导通压降和关断损耗。
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公开(公告)号：CN110504309A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910805741.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高速低功耗高压功率器件。与传统的短路阳极相比，新结构将N+阳极区置于P阱区中，阴极端采用分段的槽栅与阴极槽结构。正向导通时，阳极端P阱区作为电子的势垒可以消除电压折回效应，而分段槽栅增大了器件沟道密度以降低器件沟道区电阻，阴极槽在物理上阻挡空穴被P+阴极区快速抽走以提高电导调制作用，从而获得更低的导通压降；器件关断过程中，阳极端由N+阳极区/P阱区/N型缓冲层形成的寄生的薄基区NPN管开启，加速存储在漂移区内电子的抽取，提高器件的关断速度，降低关断损耗。相对于传统的短路阳极结构，本发明在更小的元胞尺寸下消除了电压折回现象，具有更低的导通压降和关断损耗。
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公开(公告)号：CN110504308A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910805724.6
申请日：2019-08-29
Applicant: 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高速低损耗的多槽栅高压功率器件。相对与传统结构，本发明在发射极端与集电极端均引入多个槽栅结构。正向导通时，集电极端槽栅侧壁沟道关断，N+集电区与N型缓冲层连通路径被阻断，因而可消除电压折回效应。发射极端槽栅结构不仅增加沟道密度以降低沟道区电阻，而且阻挡槽栅和载流子存储层可有效提高漂移区载流子浓度，因此新器件可获得更低的正向导通压降。关断过程中，随着集电极电压升高，集电极端槽栅侧壁沟道开启，使N+集电区与N型缓冲层连通而形成电子快速抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。因此，本发明具有更小的正向导通压降和关断损耗，而且没有电压折回效应。
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公开(公告)号：CN110504168A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910805736.9
申请日：2019-08-29
Applicant: 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L21/334 , H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种多槽栅横向高压功率器件制造方法。本发明相对与传统结构，新结构在发射极端的N型存储层与集电极端的N型缓冲层、发射极端与集电极端的P型阱区可分别同步推结完成以降低器件热预算成本；发射极端与集电极端的多槽栅结构也可同步制作完成，在器件两端形成多沟道槽栅结构，以此改善器件导通压降与关断损耗。本发明的有益效果为简化器件工艺步骤与成本，实现易集成、低功耗的SOI LIGBT。
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