-
公开(公告)号：CN109790026A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780060965.1
申请日：2017-08-31
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K9/06 , C08L101/00
Abstract: 本发明提供填充性优异的球状氮化硼微粉等。本发明是一种球状氮化硼微粉，其特征在于，满足以下的(A)～(C)。(A)在球状氮化硼微粒表面10nm中的组成中，存在0.1atm％以上且3.0atm％以下的Si、Ti、Zr、Ce、Al、Mg、Ge、Ga及V中的任意1种或2种以上；(B)球状氮化硼微粉的平均粒径为0.05μm以上且1μm以下；(C)球状氮化硼微粉的平均圆形度为0.8以上。
-
公开(公告)号：CN110998839B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201880050659.4
申请日：2018-07-30
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 功率模块1，其具备底板2、接合于底板2上的陶瓷绝缘基板4、和接合于陶瓷绝缘基板4上的半导体元件6，底板2的与陶瓷绝缘基板4呈相反侧的面2b具有凸状的翘曲2c，温度从150℃到25℃的降温时的底板2的线性热膨胀系数α1(×10‑6/K)及陶瓷绝缘基板4的线性热膨胀系数α2(×10‑6/K)满足下述式(1)。
-
-
公开(公告)号：CN110892798B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201880047042.7
申请日：2018-07-27
Applicant: 电化株式会社
IPC: H05K7/20 , C08J5/04 , H01L23/373
Abstract: 散热片，其特征在于，具有在增强层的玻璃布的两面层叠含有氧化铝的有机硅组合物的层、并且在玻璃布的内部含有有机硅组合物的构成，其中，氧化铝的平均球形度为0.85以上，氧化铝的频率粒度分布中，在15～50μm的区域、1～7μm的区域及0.1～0.8μm的区域有极大峰，氧化铝的平均粒径为7～50μm，有机硅组合物中的氧化铝的含有率为62～78体积％，有机硅树脂的含有率为22～38体积％的范围，玻璃布为捆束多根玻璃长丝而成的玻璃纤维束的织造物，有机硅组合物对玻璃纤维束的浸渗率为20％以上。
-
公开(公告)号：CN106463484B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201580014279.1
申请日：2015-03-18
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/36 , B22D19/00 , C04B41/88 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种适合作为功率模块用基底板的铝‑碳化硅质复合体。一种铝‑碳化硅质复合体，其特征在于，在将碳化硅的含有率为50～80体积％的多孔质碳化硅成形体浸透在含有铝的金属中而成的板厚2～6mm的平板状铝‑碳化硅质复合体的外周，设置以含有平均纤维径为20μm以下且平均纵横比为100以上的陶瓷纤维的铝‑陶瓷纤维复合体作为主体的外周部，铝‑陶瓷纤维复合体在外周部所占的比例为50面积％以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110382738A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880013217.2
申请日：2018-02-22
Applicant: 国立研究开发法人物质·材料研究机构 , 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了铝电路基板的制造方法，所述制造方法包括：向陶瓷基材吹喷包含铝粒子及/或铝合金粒子的经加热的金属粉体，由此在陶瓷基材的表面上形成金属层的工序。金属粉体中至少一部分的温度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为金属粉体的软化温度以上且为金属粉体的熔点以下。金属粉体中至少一部分的速度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为450m/s以上且1000m/s以下。
-
公开(公告)号：CN110169213A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201880006597.7
申请日：2018-01-16
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了制造陶瓷电路基板的方法，所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材和形成于陶瓷基材上的金属电路。公开的方法包括下述工序：将包含铝粒子或铝合金粒子中的至少一者的第一金属粉体与非活性气体一起从喷嘴向陶瓷基材的表面吹喷，由此形成与陶瓷基材接触的第一金属层的工序，其中，第一金属粉体被加热至10～270℃后从喷嘴10喷出，喷嘴10的入口处的非活性气体的表压为1.5～5.0MPa；及在非活性气体气氛下对第一金属层进行加热处理的工序等。
-
公开(公告)号：CN110168140A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201880006590.5
申请日：2018-01-16
Applicant: 国立大学法人信州大学 , 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了制造陶瓷电路基板的方法，所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材和形成于陶瓷基材上的金属层。该方法包括下述工序：将金属粉体加热至10～270℃、同时加速至250～1050m/s的速度后进行吹喷，由此在陶瓷基材上形成金属层的工序；及在非活性气体气氛下对陶瓷基材及金属层进行加热处理的工序。
-
公开(公告)号：CN109790025A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780057395.0
申请日：2017-08-31
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L101/00
CPC classification number: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L101/00
Abstract: 本发明的主要目的在于提供传导率优异、且粒子强度高的氮化硼粉末。一种氮化硼粉末，其是由一次粒子为鳞片状的六方晶氮化硼凝集成块状而得的块状氮化硼形成的，所述氮化硼粉末满足以下的(A)～(C)的特征。(A)鳞片状的六方晶氮化硼的一次粒子的长边长度的平均值为1.5μm以上且3.5μm以下，标准偏差为1.2μm以下；(B)块状氮化硼的块状粒子的累积破坏率为63.2％时的粒子强度为8.0MPa以上，并且累积破坏率为20.0％时的粒子强度为4.5MPa以上；(C)氮化硼粉末的平均粒径为20μm以上且100μm以下。所述氮化硼粉末的制造方法及使用了其的导热树脂组合物。
-
公开(公告)号：CN114729440B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202080079297.9
申请日：2020-11-12
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 复合基板100依次具备陶瓷板10；金属层21，其包含选自由铝和铝合金组成的组中的至少一种；以及喷镀层22，其包含选自由铜和铜合金组成的组中的至少一种，其中，在金属层21与喷镀层22之间，散布有具有铜和铝作为构成元素的金属间化合物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.023 seconds)
