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公开(公告)号：CN110169213B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201880006597.7
申请日：2018-01-16
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了制造陶瓷电路基板的方法，所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材和形成于陶瓷基材上的金属电路。公开的方法包括下述工序：将包含铝粒子或铝合金粒子中的至少一者的第一金属粉体与非活性气体一起从喷嘴向陶瓷基材的表面吹喷，由此形成与陶瓷基材接触的第一金属层的工序，其中，第一金属粉体被加热至10～270℃后从喷嘴10喷出，喷嘴10的入口处的非活性气体的表压为1.5～5.0MPa；及在非活性气体气氛下对第一金属层进行加热处理的工序等。
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公开(公告)号：CN111212811A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201880066505.4
申请日：2018-08-17
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , H01L23/36
Abstract: 本发明主要目的是提供传导率优异、粒子强度高的氮化硼粉末。氮化硼粉末，其包含一次粒子为鳞片状的六方晶氮化硼凝集成块状粒子而得的块状氮化硼，所述氮化硼粉末具有以下的(A)～(C)的特征：(A)块状粒子的累积破坏率为63.2％时的粒子强度为5.0MPa以上；(B)氮化硼粉末的平均粒径为2μm以上且20μm以下；(C)氮化硼粉末的根据X射线衍射求出的取向性指数为20以下。
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公开(公告)号：CN106463484A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580014279.1
申请日：2015-03-18
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/36 , B22D19/00 , C04B41/88 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种适合作为功率模块用基底板的铝-碳化硅质复合体。一种铝-碳化硅质复合体，其特征在于，在将碳化硅的含有率为50～80体积％的多孔质碳化硅成形体浸透在含有铝的金属中而成的板厚2～6mm的平板状铝-碳化硅质复合体的外周，设置以含有平均纤维径为20μm以下且平均纵横比为100以上的陶瓷纤维的铝-陶瓷纤维复合体作为主体的外周部，铝-陶瓷纤维复合体在外周部所占的比例为50面积％以上。
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公开(公告)号：CN110999544B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201880050613.2
申请日：2018-07-30
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 陶瓷电路基板，其具备陶瓷基材1、和设置于陶瓷基材1两面的包含Al及/或Cu的金属层2a、2b，所述陶瓷电路基板的25℃～150℃时的线性热膨胀系数的测定值α1为5×10‑6～9×10‑6/K，所述α1相对于25℃～150℃时的线性热膨胀系数的理论值α2的比α1/α2为0.7～0.95，金属层2a、2b中的至少一者形成了金属电路。
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公开(公告)号：CN111212811B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201880066505.4
申请日：2018-08-17
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , H01L23/36
Abstract: 本发明主要目的是提供传导率优异、粒子强度高的氮化硼粉末。氮化硼粉末，其包含一次粒子为鳞片状的六方晶氮化硼凝集成块状粒子而得的块状氮化硼，所述氮化硼粉末具有以下的(A)～(C)的特征：(A)块状粒子的累积破坏率为63.2％时的粒子强度为5.0MPa以上；(B)氮化硼粉末的平均粒径为2μm以上且20μm以下；(C)氮化硼粉末的根据X射线衍射求出的取向性指数为20以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115700021A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180041144.X
申请日：2021-06-11
Applicant: 电化株式会社
IPC: H05K7/20 , C04B35/583 , C09K5/14
Abstract: 本发明为散热片，其是将导热性树脂组合物成型而成的散热片，其中，所述导热性树脂组合物是将无机填料成分和树脂成分配混而成的，无机填料成分包含第1无机填料和第2无机填料，无机填料成分的粒度分布具有归因于第1无机填料的第1极大点M1以及归因于第2无机填料的第2极大点M2，第1极大点M1的粒径为15μm以上，第2极大点M2的粒径为第1极大点M1的粒径的三分之二以下，具有第1极大点M1的峰中的峰起点PS至峰终点PE之间的频率的累积量为50％以上，表面粗糙度为1.5～3.0μm，厚度为0.2mm以下。根据本发明，能够提供具有优异的导热性的薄的散热片。
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公开(公告)号：CN112334408A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980040344.6
申请日：2019-06-27
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L101/00 , H01L23/36 , H01L23/373
Abstract: 本公开文本的一个方面提供块状氮化硼粒子，其是六方晶氮化硼的一次粒子聚集而成的，其中，截面中的上述一次粒子的面积比例的平均值为45％以上，截面中的上述一次粒子的面积比例的标准偏差小于25，抗碎强度为8.0MPa以上。
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公开(公告)号：CN115698187A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180041089.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 电化株式会社
IPC: C08L101/00 , C09K5/14 , C08K3/38
Abstract: 本发明为导热性树脂组合物，其是将无机填料成分和树脂成分配混而成的，无机填料成分包含第1无机填料和第2无机填料，无机填料成分的粒度分布具有归因于第1无机填料的第1极大点(M1)以及归因于第2无机填料的第2极大点(M2)，第1极大点(M2)的粒径为15μm以上，第2极大点(M2)的粒径为第1极大点(M1)的粒径的三分之二以下，具有第1极大点(M1)的峰中的峰起点(PS)至峰终点(PE)之间的频率的累积量为50％以上，第1无机填料是六方晶氮化硼一次粒子凝集而成的，压碎强度为6MPa以上。本发明的散热片是将本发明的导热性树脂组合物成型而成的。根据本发明，能够提供适合于制作薄的成型体的具有优异的导热性的导热性树脂组合物和将该导热性树脂组合物成型而成的散热片。
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公开(公告)号：CN110168140B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201880006590.5
申请日：2018-01-16
Applicant: 国立大学法人信州大学 , 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了制造陶瓷电路基板的方法，所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材和形成于陶瓷基材上的金属层。该方法包括下述工序：将金属粉体加热至10～270℃、同时加速至250～1050m/s的速度后进行吹喷，由此在陶瓷基材上形成金属层的工序；及在非活性气体气氛下对陶瓷基材及金属层进行加热处理的工序。
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公开(公告)号：CN110999544A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050613.2
申请日：2018-07-30
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 陶瓷电路基板，其具备陶瓷基材1、和设置于陶瓷基材1两面的包含Al及/或Cu的金属层2a、2b，所述陶瓷电路基板的25℃～150℃时的线性热膨胀系数的测定值α1为5×10-6～9×10-6/K，所述α1相对于25℃～150℃时的线性热膨胀系数的理论值α2的比α1/α2为0.7～0.95，金属层2a、2b中的至少一者形成了金属电路。
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