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公开(公告)号：CN110168140B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201880006590.5
申请日：2018-01-16
Applicant: 国立大学法人信州大学 , 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了制造陶瓷电路基板的方法，所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材和形成于陶瓷基材上的金属层。该方法包括下述工序：将金属粉体加热至10～270℃、同时加速至250～1050m/s的速度后进行吹喷，由此在陶瓷基材上形成金属层的工序；及在非活性气体气氛下对陶瓷基材及金属层进行加热处理的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110169213B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201880006597.7
申请日：2018-01-16
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了制造陶瓷电路基板的方法，所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材和形成于陶瓷基材上的金属电路。公开的方法包括下述工序：将包含铝粒子或铝合金粒子中的至少一者的第一金属粉体与非活性气体一起从喷嘴向陶瓷基材的表面吹喷，由此形成与陶瓷基材接触的第一金属层的工序，其中，第一金属粉体被加热至10～270℃后从喷嘴10喷出，喷嘴10的入口处的非活性气体的表压为1.5～5.0MPa；及在非活性气体气氛下对第一金属层进行加热处理的工序等。
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公开(公告)号：CN110382738B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201880013217.2
申请日：2018-02-22
Applicant: 国立研究开发法人物质·材料研究机构 , 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了铝电路基板的制造方法，所述制造方法包括：向陶瓷基材吹喷包含铝粒子及/或铝合金粒子的经加热的金属粉体，由此在陶瓷基材的表面上形成金属层的工序。金属粉体中至少一部分的温度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为金属粉体的软化温度以上且为金属粉体的熔点以下。金属粉体中至少一部分的速度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为450m/s以上且1000m/s以下。
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公开(公告)号：CN110382738A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880013217.2
申请日：2018-02-22
Applicant: 国立研究开发法人物质·材料研究机构 , 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了铝电路基板的制造方法，所述制造方法包括：向陶瓷基材吹喷包含铝粒子及/或铝合金粒子的经加热的金属粉体，由此在陶瓷基材的表面上形成金属层的工序。金属粉体中至少一部分的温度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为金属粉体的软化温度以上且为金属粉体的熔点以下。金属粉体中至少一部分的速度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为450m/s以上且1000m/s以下。
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公开(公告)号：CN110169213A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201880006597.7
申请日：2018-01-16
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了制造陶瓷电路基板的方法，所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材和形成于陶瓷基材上的金属电路。公开的方法包括下述工序：将包含铝粒子或铝合金粒子中的至少一者的第一金属粉体与非活性气体一起从喷嘴向陶瓷基材的表面吹喷，由此形成与陶瓷基材接触的第一金属层的工序，其中，第一金属粉体被加热至10～270℃后从喷嘴10喷出，喷嘴10的入口处的非活性气体的表压为1.5～5.0MPa；及在非活性气体气氛下对第一金属层进行加热处理的工序等。
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公开(公告)号：CN110168140A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201880006590.5
申请日：2018-01-16
Applicant: 国立大学法人信州大学 , 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了制造陶瓷电路基板的方法，所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材和形成于陶瓷基材上的金属层。该方法包括下述工序：将金属粉体加热至10～270℃、同时加速至250～1050m/s的速度后进行吹喷，由此在陶瓷基材上形成金属层的工序；及在非活性气体气氛下对陶瓷基材及金属层进行加热处理的工序。
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