公开(公告)号：CN110382738B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201880013217.2

申请日：2018-02-22

Applicant: 国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  电化株式会社

Inventor： 黑田圣治 ,  荒木弘 ,  长谷川明 ,  渡边诚 ,  酒井笃士 ,  谷口佳孝 ,  山田铃弥

IPC: C23C24/04 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  H05K1/09 ,  H05K3/14

Abstract: 本发明公开了铝电路基板的制造方法，所述制造方法包括：向陶瓷基材吹喷包含铝粒子及/或铝合金粒子的经加热的金属粉体，由此在陶瓷基材的表面上形成金属层的工序。金属粉体中至少一部分的温度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为金属粉体的软化温度以上且为金属粉体的熔点以下。金属粉体中至少一部分的速度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为450m/s以上且1000m/s以下。

公开(公告)号：CN110382738A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880013217.2

申请日：2018-02-22

Applicant: 国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  电化株式会社

Inventor： 黑田圣治 ,  荒木弘 ,  长谷川明 ,  渡边诚 ,  酒井笃士 ,  谷口佳孝 ,  山田铃弥

IPC: C23C24/04 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  H05K1/09 ,  H05K3/14

Abstract: 本发明公开了铝电路基板的制造方法，所述制造方法包括：向陶瓷基材吹喷包含铝粒子及/或铝合金粒子的经加热的金属粉体，由此在陶瓷基材的表面上形成金属层的工序。金属粉体中至少一部分的温度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为金属粉体的软化温度以上且为金属粉体的熔点以下。金属粉体中至少一部分的速度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为450m/s以上且1000m/s以下。