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公开(公告)号：CN109791874A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780058139.3
申请日：2017-09-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , G03F1/36 , G03F7/20 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在层内以交错配置形式提供第一表面特征及第二表面特征，所述层设置在所述衬底上；以及在含有反应性物质的反应性气氛的存在下，在第一曝光中将第一离子引导至所述第一表面特征的第一侧及所述第二表面特征的第一侧，其中所述第一曝光蚀刻所述第一表面特征的所述第一侧及所述第二表面特征的所述第一侧，其中在所述引导之后，所述第一表面特征与所述第二表面特征合并形成第三表面特征。
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公开(公告)号：CN108780740A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016912.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F1/74 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/32403 , H01J37/32422 , H01L21/0337 , H01L21/3085 , H01L21/31144 , H01L21/76879 , H01L21/76883
Abstract: 本发明提供一种方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。
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公开(公告)号：CN108475679A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680074925.8
申请日：2016-11-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/768 , H01L29/78 , H01L29/66
CPC classification number: H01L27/10826 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/2633 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L21/28167 , H01L27/10879 , H01L29/42368
Abstract: 本文中提供用于形成动态随机存取存储器元件的栅极氧化物层的方法，所述方法包括：提供带鳍片基底，带鳍片基底中形成有凹槽；以及向凹槽的侧壁表面中执行离子植入，以形成具有非均匀厚度的栅极氧化物层，其中栅极氧化物层在侧壁表面的顶部区段处的厚度大于栅极氧化物层在侧壁表面的底部区段处的厚度。在某些方法中，将离子植入设置成以随着离子植入能量和/或离子剂量而变化的多个不同的植入角度进行的一系列离子植入，从而增大侧壁表面的顶部区段的栅极氧化物的厚度。在某些方法中，在离子植入期间或在离子植入之后也将带鳍片基底暴露至等离子体。
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公开(公告)号：CN107924818A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048977.8
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L29/06 , G03F7/20 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/3086
Abstract: 一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征具有沿衬底平面内的第一方向的第一尺寸及沿所述衬底平面内的第二方向的第二尺寸，其中第二方向垂直于第一方向；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于衬底平面的垂线以非零入射角沿第一方向将第一曝光中的第一离子引导至表面特征；其中第一曝光沿第一方向蚀刻表面特征，其中在所述引导之后，表面特征保持沿第二方向的第二尺寸，且其中所述表面特征具有沿第一方向的不同于第一尺寸的第三尺寸。
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公开(公告)号：CN108780740B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201780016912.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F1/74 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种对衬底进行加工的方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。本发明能够在所期望方向上以所期望的量在衬底内使表面特征偏移，且能够产生原本无法获得的特征尺寸及形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109791874B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201780058139.3
申请日：2017-09-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , G03F1/36 , G03F7/20 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种将衬底及设置在其上的层图案化的方法以及一种形成器件结构的方法。所述方法可包括：在层内以交错配置形式提供第一表面特征及第二表面特征，所述层设置在所述衬底上；以及在含有反应性物质的反应性气氛的存在下，在第一曝光中将第一离子引导至所述第一表面特征的第一侧及所述第二表面特征的第一侧，其中所述第一曝光蚀刻所述第一表面特征的所述第一侧及所述第二表面特征的所述第一侧，其中在所述引导之后，所述第一表面特征与所述第二表面特征合并形成第三表面特征。本发明提供优点在于在不增大多个凹陷特征的长度的同时增大所述多个凹陷特征的宽度的能力以及在衬底层内形成复杂二维形状的能力，从而能够忠实地产生目标形状结构。
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公开(公告)号：CN114975106A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210535376.7
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , G03F7/20
Abstract: 一种图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供层，所述层具有多个孔；以及沿轨迹引导多个离子以沿第一方向拉长所述多个孔，所述第一方向在由所述衬底的前表面界定的衬底平面内延伸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。
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公开(公告)号：CN108475611B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680074818.5
申请日：2016-11-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种用于增大反应离子与中性物质的比的方法。本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。
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公开(公告)号：CN110945431A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048752.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: G03F7/20 , G03F1/74 , H01L21/027
Abstract: 一种对衬底进行图案化的方法可包括：在所述衬底上提供毯覆式光致抗蚀剂层；向所述毯覆式光致抗蚀剂层中执行植入物质的离子植入程序，所述植入物质在极紫外光(EUV)范围中的波长下包括增强的吸收效率；以及在所述执行所述离子植入程序之后，执行图案化曝光，以将所述毯覆式光致抗蚀剂层曝光于极紫外光辐射。
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公开(公告)号：CN108475611A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680074818.5
申请日：2016-11-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/221 , C23C14/48 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01J37/32422 , H01L21/0217 , H01L21/02274
Abstract: 本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。
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