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公开(公告)号：CN104662636A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380049448.6
申请日：2013-08-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/3002 , B08B7/0021 , H01J27/024 , H01J37/02 , H01J37/045 , H01J37/08 , H01J2237/022
Abstract: 本发明揭示一种改善离子源的效能及延长其寿命的系统和方法。此离子源包括离子源腔室、抑制电极以及接地电极。在处理模式中，离子源腔室可被施加以第一正电压，而抑制电极被施加以负电压，以便透过孔从离子源腔室内吸引正离子，且使之朝向工件。在清洗模式中，离子源腔室可接地，而抑制电极被具有高电流能力的电源供应器施加以偏压。施加在抑制电极上的电压在抑制电极与离子源腔室之间以及抑制电极与接地电极之间产生等离子体。
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公开(公告)号：CN102484028B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080027722.6
申请日：2010-06-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 威尔汉·P·普拉托 , 奈尔·J·巴森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 奎格·R·钱尼
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J49/10 , H01J27/02 , H01J9/38
CPC classification number: H01J49/10 , H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2209/017 , H01J2237/022 , H01J2237/05 , H01J2237/30466
Abstract: 在离子植入机中，利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高，且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉，此信号便将变平并保持恒定，藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。
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公开(公告)号：CN101689488B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880021715.8
申请日：2008-06-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奈尔·J·巴森
IPC: H01L21/265 , H01J37/08
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/205 , H01J2237/061 , H01J2237/082 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明揭示一种用于离子注入器系统的离子源的具有电子生成与聚焦沟的阴极、离子源及其方法。在一个实施例中，所述阴极包括工作表面，所述工作表面中定位有多个电子生成与聚焦沟。所述离子源的反射极可以类似方式构造。
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公开(公告)号：CN102232241A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200980148112.9
申请日：2009-12-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 具本雄 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 奎格·R·钱尼 , 法兰克·辛克莱 , 奈尔·J·巴森
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J27/022 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J2237/006 , H01J2237/061 , H01J2237/0815 , H01J2237/24514
Abstract: 一种利用受激及/或原子气体注入的离子源。在离子束应用中，可直接使用来源气体，如同已知的供应。另一方面或除此之外，来源气体可在引导至离子源处理室之前藉由通过远端等离子源予以变换。这可用以产生受激中性粒子、重离子、亚稳态分子或多价离子。在另一实施例中，使用多样的气体，其中一种或多种气体通过远端等离子产生器。在某些实施例中，气体在供应给离子源处理室之前于单一等离子产生器中予以组合。在等离子浸没应用中，等离子经由一个或多个额外的气体注入位置注入处理室。这些注入位置容许流入处理室外部的远端等离子源所产生的额外的等离子。
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