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公开(公告)号：CN102099899B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200980128331.0
申请日：2009-07-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 爱德温·A·阿雷瓦洛
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J2237/31701 , H01L21/26513
Abstract: 一种等离子体掺杂方法，包括提供包括掺质重卤化物气体的掺质气体至等离子体室。于所述等离子体室中，使用所述掺质重卤化物气体形成等离子体，以及所述等离子体产生适当的掺质离子与前驱掺质分子的重碎片。对所述等离子体室中的基底施加偏压，使得所述适当的掺质离子会以适当的离子能量撞击所述基底，从而将所述适当的掺质离子与所述前驱掺质分子的重碎片植入所述基底，其中至少选择所述离子能量与所述掺质重卤化物组成中的一者，使得所述基底中的植入轮廓实质上由所述适当的掺质离子决定。
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公开(公告)号：CN102576655A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080040505.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 海伦·L·梅纳德 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02532 , H01L21/0259 , H01L21/02667 , H01L21/2236 , H01L31/0725 , H01L31/182 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示一种使材料在基板上沉积且结晶的方法。在一特定实施例中，所述方法可包含产生含有与沉积相关的物质以及携带能量的物质的电浆。在第一时间段期间，无偏压电压施加于所述基板，且物质经由电浆沉积而沉积于所述基板上。在第二时间段期间，电压施加于所述基板，所述电压吸引离子且吸引至所述沉积物质中，从而引起所述沉积层结晶。可重复所述程序直至获得足够厚度。在另一实施例中，可改变所述偏压电压或偏压脉冲的持续时间以改变所发生的结晶化程度。在另一实施例中，可使用掺杂剂掺杂所述沉积层。
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公开(公告)号：CN102471880A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029436.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡莫尔·哈迪德 , 拉杰许·都蕾 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32935
Abstract: 一种调整等离子体的组成物的方法，用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速，以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子，但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞，造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化，以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
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公开(公告)号：CN101631894A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200780050199.7
申请日：2007-12-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克拉姆·辛 , 哈勒德·M·波辛 , 艾德蒙德·J·温德 , 安东尼·雷诺 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/22 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/4554 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/3141 , H01L21/3185 , H01L21/32155
Abstract: 一种原子层沉积的技术。在一实施例中，此技术为一种应变薄膜的形成方法。此方法可包括向基板表面供应一种或多种前驱物质，此前驱物质具有至少一第一物种的原子以及至少一第二物种的原子，从而在基板表面上形成一层前驱物质。此方法还包括将基板表面暴露于等离子体产生的第三物种的亚稳态原子，其中亚稳态原子从基板表面脱附所述至少一第二物种的原子，以形成所述至少一第一物种的原子层。通过控制原子层沉积工艺中的一种或多种参数，可达成至少一第一物种的所述原子层内的期望的应力大小。
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公开(公告)号：CN103109342B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180028561.7
申请日：2011-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/3244
Abstract: 揭示等离子体处理衬底的方法、处理衬底的方法及在设备中等离子体处理衬底的方法。在一个特定示范性实施例中，等离子体处理衬底的方法可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，所述多电平RF功率波形至少具有在第一脉冲持续时间期间的第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102422389B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201080020274.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: B44C1/227 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/3344 , H01J2237/3345
Abstract: 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言，揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中，等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中，等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可形成多种不同形状的特征。
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公开(公告)号：CN102471880B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080029436.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡莫尔·哈迪德 , 拉杰许·都蕾 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32935
Abstract: 一种调整等离子体的组成物的方法，用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速，以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子，但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞，造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化，以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
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公开(公告)号：CN103109342A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180028561.7
申请日：2011-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/3244
Abstract: 揭示用于等离子体处理衬底的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，其中所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，其中所述多电平RF功率波形至少具有第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，其中所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
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公开(公告)号：CN101821836B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880110355.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。
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公开(公告)号：CN102422389A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020274.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: B44C1/227 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/3344 , H01J2237/3345
Abstract: 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言，揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中，等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中，等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可形成多种不同形状的特征。
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