-
公开(公告)号：CN101465663B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810184162.X
申请日：2008-12-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H04B1/40
CPC classification number: H04B1/0082
Abstract: 本发明提供一种收发两用机，可降低多频带通信用电压控制振荡器的个数增加、宽带化、相位噪声的增加。收发两用机包括振荡器(34)、多个通信模块(Tx_B1k1...4)。各通信模块包括分频器(11...14)、混频器(9、10)。一个通信模块(Tx_B1k1)的分频器(11)的分频数设定为偶整数，从分频器提供给混频器的通信用本机信号成为具有90度相位差的正交信号。其他通信模块(Tx_B1k4)的分频器(14)的分频数设定为非整数，从分频器(14)提供给混频器的通信用本机信号成为具有与90度成规定偏置角度的相位差的非正交信号。发送器还包括用于将与偏置角度极性相反且绝对值大致相同的补偿偏置量给予关于其他通信模块(Tx_B1k4)的混频器的通信模拟信号的变换单元(35)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106716609B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201580051484.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 一种碳化硅半导体装置(1)，其具有碳化硅基板(10)、栅绝缘膜(15)、栅电极(27)和层间绝缘膜(2)。碳化硅基板(10)具有主面(10a)。栅绝缘膜(15)设置在碳化硅基板(10)的主面(10a)上。栅电极(27)设置在栅绝缘膜(15)上。以覆盖栅电极(27)的方式设置层间绝缘膜(2)。层间绝缘膜(2)包含：第一绝缘膜(2a)，其与栅电极(27)接触、含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子；第二绝缘膜(2b)，其设置在第一绝缘膜(2a)上并且含有硅原子以及磷原子和硼原子中的至少一种；和第三绝缘膜(2c)，其含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子。第二绝缘膜(2b)具有与第一绝缘膜(2a)接触的第一面(2b1)、第一面(2b1)相反侧的第二面(2b2)、以及连接第一面(2b1)和第二面(2b2)的第三面(2b3)。第三绝缘膜(2c)与第二面(2b2)和第三面(2b3)中的至少一者接触。
-
公开(公告)号：CN101807890B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201010148514.3
申请日：2010-02-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/0272 , H03F3/195 , H03F3/68 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/204 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/414 , H03F2200/417 , H03F2203/45136 , H03G3/3042
Abstract: 一种RF功率放大电路。RF功率放大电路(313)具备前级放大器(310)、后级放大器(311)、控制部(312)。前级放大器响应于RF发送输入信号(Pin)，后级放大器响应于前级放大器输出的放大信号。控制部响应于输出功率控制电压(Vapc)对前级放大器和后级放大器的无功电流进行控制，从而控制前级放大器和后级放大器的增益。响应于输出功率控制电压，前级放大器的无功电流和增益按第一连续函数(2ndAmp)连续变化，后级放大器的无功电流和增益按第二连续函数(3rdAmp)连续变化。第二连续函数比第一连续函数高一次以上的函数。减轻包含多级放大级的RF功率放大电路的低功率和中间功率时的功率附加效率(PAE)的降低。
-
公开(公告)号：CN101595636B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200780050673.6
申请日：2007-12-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/0272 , H03F1/565 , H03F3/245 , H03F3/601 , H03F3/602 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/108 , H03F2200/111 , H03F2200/18 , H03F2200/207 , H03F2200/255 , H03F2200/294 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/411 , H03F2200/423 , H03F2200/451 , H03F2200/456 , H03F2200/462 , H03F2200/465 , H03F2200/537 , H03F2200/541 , H03F2203/7206 , H03F2203/7209
Abstract: 本发明提供一种RF放大装置，包括：放大元件(Q11、Q12)，对无线通信的无线频率输入信号(Pin_LB)进行放大；以及传输线变压器(TLT 11、12)，与放大元件的输入电极与输出电极中的一个电极连接。传输线变压器包括：主线路(Lout)，配置在输入与输出之间；以及副线路(Lin)，配置在输入与输出中的某一个与交流接地点之间并与主线路(Lout)耦合。通过对交流接地点施加与接地电压电平(GND)不同的动作电压(Vdd)，从交流接地点经由副线路(Lin)向放大元件(Q11、Q12)的输出电极供给动作电压(Vdd)。可以在RF放大装置中在实现高性能的负载电路时回避RF模块的模块高度增大，并且回避在半导体芯片或多层布线电路基板中构成的高频放大器的负载电路的占有面积增大。
-
公开(公告)号：CN102291093A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110160332.2
申请日：2011-06-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/0216 , H03F1/0277 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/45475 , H03F3/72 , H03F2200/108 , H03F2200/222 , H03F2200/27 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/504 , H03F2200/555 , H03F2203/7206
Abstract: 本发明提供一种RF功率放大装置及其工作方法。RF功率放大装置(200)包括根据外部电源电压(Vcc1、Vcc2、Vcc3)进行工作的驱动级放大器(230)、第一RF放大器(270a)、第二RF放大器(270b)以及DC电压转换器(280)。驱动级放大器(230)输出提供给第一及第二RF放大器(270a、270b)的输入，第一RF放大器(270a)的有效元件尺寸设定为比第二RF放大器(270b)大。向DC电压转换器(280)提供外部电源电压(Vcc3)，DC电压转换器(280)生成低电压的工作电源电压(Vcc4)并提供给第二RF放大器(270b)的输出端子。能不通过DC电压转换器(280)而向第一RF放大器(270a)的输出端子提供外部电源电压(Vcc2)。根据本发明，能通过减少低功率输出时的消耗电流来减缓由于DC电压转换器导致的安装面积的增大。
-
公开(公告)号：CN1677848B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200510004081.3
申请日：2005-01-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03F3/60
CPC classification number: H04B1/0483 , H04B1/0458
Abstract: 本发明的高频电路装置，具有：放大器，至少对2种调制方式的信号进行功率放大；匹配电路，与上述放大器的输出端子连接；第1路径，在上述匹配电路和天线之间包括双工器，上述放大器与上述天线相耦合，上述放大器与上述天线之间设有上述匹配电路和双工器；以及第2路径，不包括上述双工器，上述放大器与上述天线相耦合，上述放大器与上述天线之间设有上述匹配电路；在上述放大器放大上述至少2种调制方式中的一种信号时，选择上述第1路径；在上述放大器放大上述至少2种调制方式中的另一种信号时，选择上述第2路径；对于上述第1路径和上述第2路径，上述放大器的输出阻抗和从上述放大器往上述天线侧看去的阻抗相匹配。
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.029 seconds)
