公开(公告)号：CN117334724A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310759562.3

申请日：2023-06-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  波多俊幸 ,  柳川洋 ,  关口智久

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/78

Abstract: 一种半导体器件包括芯片安装部分和经由导电粘合材料设置在芯片安装部分上的半导体芯片。这里，半导体芯片的平面形状是四边形。此外，在平面视图中，多个薄部分被分别形成在半导体芯片的多个拐角部分处。此外，被分别形成在半导体芯片的多个拐角部分处的多个薄部分彼此间隔开。此外，多个薄部分中的每个薄部分的厚度小于除多个薄部分之外半导体芯片的厚度。

公开(公告)号：CN115966592A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211077121.7

申请日：2022-09-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 名渊雄太 ,  柳川洋 ,  永久克己 ,  酒井敦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种能够在单元部分的终端部分附近确保足够的击穿电压的半导体器件及其制造方法。单元部分包括彼此相邻的第一单元柱状区域和第二单元柱状区域，以及布置在第一单元柱状区域和第二单元柱状区域之间的第一单元沟槽栅极和第二单元沟槽栅极。外周部分包括连接到第一单元沟槽栅极和第二单元沟槽栅极中的每个单元沟槽栅极的端部的外周沟槽栅极和相对于外周沟槽栅极而被布置在单元部分侧上并且在平面图中跨第一单元沟槽栅极和第二单元沟槽栅极延伸的第一外周柱状区域。