公开(公告)号：CN119153403A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410555735.4

申请日：2024-05-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小清水亮 ,  椿茂树

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/07

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。光电二极管的阳极区和阴极区形成在半导体衬底中。在半导体衬底的主表面处，多个第一STI区形成在阴极区上，并且氧化物膜形成在多个第一STI区之间。屏蔽电极形成在多个第一STI区和氧化物膜上。多个第一STI区中的每个第一STI区的厚度比第二STI区的厚度小。

公开(公告)号：CN115377210A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210472083.9

申请日：2022-04-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小清水亮 ,  中柴康隆

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的栅极电介质膜、形成在栅极电介质膜上的栅极电极、与栅极电极一体形成的场板部、与场板部接触的阶梯电介质膜、以及高电介质常数膜，该高电介质常数膜与阶梯电介质膜接触并且具有高于硅的电介质常数。

公开(公告)号：CN107799500A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710668355.1

申请日：2017-08-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 确利和 ,  深谷和秀 ,  小清水亮

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/528 ,  H01L24/27 ,  H01L24/43

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及制造该半导体装置的方法。层间绝缘膜具有通孔。侧壁导电层沿着一个通孔的侧壁表面布置，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。第二金属布线层嵌入在一个通孔中，并且包含铝。插塞层嵌入在另一个通孔中，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。