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公开(公告)号：CN119153403A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410555735.4
申请日：2024-05-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/07
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。光电二极管的阳极区和阴极区形成在半导体衬底中。在半导体衬底的主表面处，多个第一STI区形成在阴极区上，并且氧化物膜形成在多个第一STI区之间。屏蔽电极形成在多个第一STI区和氧化物膜上。多个第一STI区中的每个第一STI区的厚度比第二STI区的厚度小。
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