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公开(公告)号：CN118866974A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411343002.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括衬底以及在衬底上层叠设置的漂移层和多个源区，MOS器件还包括：栅氧层，栅氧层至少与源区接触，栅氧层包括在第一方向上交替设置的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层包括不同的第一绝缘材料，第一方向平行于衬底与漂移层接触的表面。该MOS器件包括不同绝缘材料的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层在平行于衬底与漂移层接触的表面上交替设置，采用常规的栅氧和高K介质材料替换单一的栅氧，提高耐击穿属性，降低介质层中的电场强度，减弱FN隧穿电流，提高栅介质可靠性。以解决相关技术中栅氧在高压场合下容易击穿导致可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN118866973A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411342996.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，源区结构设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，源区结构包括第一注入区、第二注入区和多个第三注入区，第一注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，第一注入区具有第一侧面和第二侧面，第二注入区分别与第一注入区的底面和第一侧面接触，第三注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，且第三注入区与第二侧面接触，至少一个第三注入区的底面与漂移层接触，第一注入区具有第一掺杂类型，第二注入区和第三注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中外接FRD导致的MOS器件可靠性较低的问题。
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公开(公告)号：CN119069537B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411565542.3
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H10D30/66 , H10D62/822 , H10D30/01
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，该MOS器件包括：衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，MOS器件还包括：至少一个源区结构，源区结构包括第一重掺杂区、第二重掺杂区和第一体区，第一重掺杂区和第一体区具有第一掺杂类型，第二重掺杂区具有第二掺杂类型，第一体区至少位于第一重掺杂区和第二重掺杂区靠近衬底的一侧，第一体区与漂移层具有不同的半导体材料；栅极结构，栅极结构包括栅极和第一栅介质，第一栅介质至少位于栅极与源区结构之间，其中，第一栅介质至少与第一体区和第二重掺杂区接触。以解决相关技术中MOS器件的沟道迁移率低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119361479A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411477514.6
申请日：2024-10-22
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及半导体刻蚀领域，公开了一种半导体刻蚀监测方法、装置、设备和存储介质，包括：确定晶圆的光谱图像数据中每一像素点的光谱向量；选取刻蚀层一像素点确定为第一基准像素点，且确定第一基准像素点对应的光谱向量为第一基准向量；将光谱图像数据中每一像素点的光谱向量与第一基准向量进行相似度对比，确定光谱图像数据中刻蚀层与终止层的分布区域；针对终止层的分布区域，从多个光谱波段中选取符合预设条件的光谱波段范围确定为终止层的特征谱段；基于终止层的特征谱段，对待刻蚀晶圆的刻蚀终点进行监测。本申请解决了在实际工艺中造成刻蚀终点监测不准的问题，根据终止层的特征谱段对刻蚀终点监测，提高刻蚀终点监测的准确性。
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公开(公告)号：CN118866973B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411342996.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，源区结构设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，源区结构包括第一注入区、第二注入区和多个第三注入区，第一注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，第一注入区具有第一侧面和第二侧面，第二注入区分别与第一注入区的底面和第一侧面接触，第三注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，且第三注入区与第二侧面接触，至少一个第三注入区的底面与漂移层接触，第一注入区具有第一掺杂类型，第二注入区和第三注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中外接FRD导致的MOS器件可靠性较低的问题。
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公开(公告)号：CN119069537A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565542.3
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/165 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，该MOS器件包括：衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，MOS器件还包括：至少一个源区结构，源区结构包括第一重掺杂区、第二重掺杂区和第一体区，第一重掺杂区和第一体区具有第一掺杂类型，第二重掺杂区具有第二掺杂类型，第一体区至少位于第一重掺杂区和第二重掺杂区靠近衬底的一侧，第一体区与漂移层具有不同的半导体材料；栅极结构，栅极结构包括栅极和第一栅介质，第一栅介质至少位于栅极与源区结构之间，其中，第一栅介质至少与第一体区和第二重掺杂区接触。以解决相关技术中MOS器件的沟道迁移率低的问题。
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公开(公告)号：CN119008525A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410972759.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种去掉碳化硅晶圆背面氧化层的方法，包括对碳化硅晶圆的正面进行正面工艺加工，在碳化硅晶圆的正面贴膜。采用腐蚀法去除碳化硅晶圆背面的氧化物，去除碳化硅晶圆正面的薄膜，得到去除氧化物后晶圆。对去除氧化物后晶圆的背面进行减薄，得到减薄后晶圆。由于在碳化硅晶圆的正面贴膜，可以防止在去除氧化物的过程中腐蚀掉正面膜层。在减薄加工之前，先去除碳化硅晶圆背面的氧化物，可以降低减薄工艺的磨损比。相比于采用研磨的方式去除碳化硅晶圆背面的氧化物，采用腐蚀法去除碳化硅晶圆背面的氧化物，可以提高去除氧化物的效率，避免碳化硅晶圆产生较大的翘曲。
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公开(公告)号：CN118937356A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410870859.1
申请日：2024-07-01
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 宋旋坤
Abstract: 本发明提供了一种残胶检测装置和方法，包括：通过测试工件确定残胶的第一特征光谱区间；所述特征光谱区间包括特征波段及对应的光谱数据；获取待检测工件表面的光谱数据；提取所述光谱数据中与所述第一特征光谱区间相对应的第二特征光谱区间，并将第一特征光谱区间和第二特征光谱区间进行比对；若二者的相似度大于第一阈值，则判断拍摄位置为残胶区域，若二者的相似度小于等于第一阈值，则判断拍摄位置为非残胶区域。本申请通过预先获取的第一特征光谱区间与实时拍摄的光谱数据中的第二特征光谱区间的对比，快速获取待检测工件表面的残胶位置，同时提高了检测精度。
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