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公开(公告)号：CN112639449A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057800.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 王子控股株式会社
Abstract: 本发明的分析用衬底具备：基材(10)，至少第一面(10a)包含介电体或半导体；及金属膜(20)，具有设置在基材(10)的第一面(10a)上的凸部(21)及凸部(22)；凸部(21)的顶部(21a)的高度是金属膜(20)的表面高度分布中与基材(10)的距离最大的峰的高度，凸部(22)的顶部(22a)的高度是金属膜(20)的表面高度分布中与基材(10)的距离第二大的峰的高度，凸部(21)及凸部(22)的除槽区域(H3)以外的部分的宽度的平均值为200nm以下，所述槽区域(H3)是与基材(10)的距离最小的峰的高度。
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公开(公告)号：CN104584243B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201380043898.4
申请日：2013-08-21
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
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公开(公告)号：CN108475710A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780006921.0
申请日：2017-01-18
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22 , C30B25/04 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/04 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种能够降低发光层中的结晶的结晶转位密度的半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法。半导体发光元件用基板，具备：基准面，其与构成半导体发光元件用基板的材料的结晶面平行的平坦面；以及多个凸部，其从基准面突出，并在沿着结晶面的二维晶格上排列，并且作为前端面具有与结晶面平行的平坦面，在包含基准面的平面中的互相相邻的凸部的间距P为100nm以上且5.0μm以下，在与基准面相对向的俯视中，单位面积中的前端面的合计面积为第1面积S1，单位面积中的基准面的合计面积为第2面积S2时，满足0.76≦S1/S2≦7.42。
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公开(公告)号：CN105706255A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480055435.4
申请日：2014-10-09
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/005 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/18 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种能够提升在半导体发光元件中的光取出效率的半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件。半导体发光元件用基板(11)具有可形成有包含半导体层的发光构造体的发光构造体形成面(11S)，发光构造体形成面(11S)具备：沿着一个结晶面展开的平坦部(14)、从平坦部(14)突出的多个大径突部(12)、以及小于大径突部(12)的多个小径突部(13)，所述多个小径突部(13)中的至少一部分从所述大径突部(12)的外表面突出。
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公开(公告)号：CN108475710B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201780006921.0
申请日：2017-01-18
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L33/22 , C30B25/04 , H01L21/203 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种能够降低发光层中的结晶的结晶转位密度的半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法。半导体发光元件用基板，具备：基准面，其与构成半导体发光元件用基板的材料的结晶面平行的平坦面；以及多个凸部，其从基准面突出，并在沿着结晶面的二维晶格上排列，并且作为前端面具有与结晶面平行的平坦面，在包含基准面的平面中的互相相邻的凸部的间距P为100nm以上且5.0μm以下，在与基准面相对向的俯视中，单位面积中的前端面的合计面积为第1面积S1，单位面积中的基准面的合计面积为第2面积S2时，满足0.76≦S1/S2≦7.42。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110178057B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201880006744.0
申请日：2018-01-19
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: G02B1/118
Abstract: 本发明是一种防反射结构体(1)，其特征在于：具备多个有底筒状的吸光单元(2)，所述吸光单元(2)包含具有大致圆形的外缘部的底部、及沿所述外缘部竖立的壁部，所述底部的上方被视为开口部；且所述壁部的平均高度为5μm以上100μm以下，所述开口部的平均开口直径为1μm以上10μm以下，在所述底部形成有包含平均间距10nm以上500nm以下且成群竖立的微小突起的剑山结构。
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公开(公告)号：CN110047981A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910194013.X
申请日：2014-10-09
Applicant: 王子控股株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够提升在半导体发光元件中的光取出效率的半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件。半导体发光元件用基板(11)具有可形成有包含半导体层的发光构造体的发光构造体形成面(11S)，发光构造体形成面(11S)具备：沿着一个结晶面展开的平坦部(14)、从平坦部(14)突出的多个大径突部(12)、以及小于大径突部(12)的多个小径突部(13)，所述多个小径突部(13)中的至少一部分从所述大径突部(12)的外表面突出。
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公开(公告)号：CN107431010A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680018960.8
申请日：2016-04-08
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L33/22
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L33/22
Abstract: 具有凹凸构造之基板的制造方法，包括：第1掩模形成工序，在基板(11)之上形成包含由多个粒子(P)所构成的单粒子膜(F)的第1掩模(21)；第2掩模形成工序，在基板(11)之上，通过包含掩模材料的液状体的固化来形成第2掩模(22)；以及蚀刻工序，使用第1掩模(21)和第2掩模(22)来蚀刻基板(11)。
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公开(公告)号：CN106662674A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580037275.5
申请日：2015-06-30
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: G02B1/118
CPC classification number: G02B1/11 , G02B1/118 , G02B5/0231 , G02B27/0018
Abstract: 本发明的光学元件在基体上具备抗反射层，所述抗反射层上形成有具有使用环境下的光的波长以下的最频间距的多个微小凹部，凹部的80％以上具有1个以上的台阶，且满足0.12d≦ws≦0.17d及0.42h≦zs≦0.52h的关系式。其中，d为所述凹部的直径，h为所述凹部的深度，ws为任意切断面上的各台阶的宽度的合计，zs为这些各台阶的深度的平均值。
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