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发明公开
分析用衬底审中-实审

公开(公告)号：CN112639449A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980057800.8

申请日：2019-09-11

Applicant: 王子控股株式会社

Inventor： 篠塚启 , 沈凌峰 , 大纮太郎 , 得能寿子 , 本郷弘毅 , 远藤江梨子

IPC: G01N21/65 , G01N21/41

Abstract: 本发明的分析用衬底具备：基材(10)，至少第一面(10a)包含介电体或半导体；及金属膜(20)，具有设置在基材(10)的第一面(10a)上的凸部(21)及凸部(22)；凸部(21)的顶部(21a)的高度是金属膜(20)的表面高度分布中与基材(10)的距离最大的峰的高度，凸部(22)的顶部(22a)的高度是金属膜(20)的表面高度分布中与基材(10)的距离第二大的峰的高度，凸部(21)及凸部(22)的除槽区域(H3)以外的部分的宽度的平均值为200nm以下，所述槽区域(H3)是与基材(10)的距离最小的峰的高度。

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