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公开(公告)号：CN104681633B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510010197.1
申请日：2015-01-08
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种具备低漏电高耐压终端结构的台面二极管及其制备方法，该台面二极管包括背面衬底、N‑型外延层、阳极有源区P+型层和二极管台面上的复合钝化层，该复合钝化层包括二氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层，本发明的制备方法步骤如下：1、制备普通的台面二极管；2、在二极管的上表面生长一层二氧化硅；3、在二氧化硅层上淀积多晶硅，并进行扩磷处理形成多晶硅层；4、在多晶硅层上淀积氮化硅形成氮化硅层；5、在所述氮化硅层和多晶硅层进行刻蚀，得到设定图形的氮化硅层和多晶硅层；6、采用腐蚀工艺对裸露出的二氧化硅层进行腐蚀处理，得到设定图形的二氧化硅层；本发明能够提高器件的性能，工艺实现简单。
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公开(公告)号：CN103578978A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310487942.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/329
CPC classification number: H01L29/66143
Abstract: 本发明涉及一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法，包括以下工序：选取硅外延片、铂扩散、P+阳极区硅-硅键合、台面制造、硅槽钝化、正面金属化、减薄、背面金属化，本发明工艺流程中在形成P+阳极区之前在N-层表面进行铂扩散工艺，使高浓度复合中心尽可能分布在N-层靠近PN结附近的区域，而在P+层靠近PN结附近不引入或引入很低浓度的复合中心，即实现了复合中心的类似局域分布，有利于实现正向压降和反向恢复时间的更佳折衷，并可减小少子寿命、缩短反向恢复时间，同时可降低复合中心对漏电的影响，有利于提高产品成品率，可用来制造体积小、成品率高、一致性好、可靠性高的高压快恢复二极管芯片。
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公开(公告)号：CN103745930B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310721725.5
申请日：2013-12-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法，能够在保证VDMOS器件的电学特性的同时，减小制造成本；首先在多晶硅上通过腐蚀形成有源区域（1a）和未腐蚀的区域（1b）；在有源区域（1a）上通过沉积形成多晶硅区域（2），多晶硅区域（2）包括多晶硅引线区域（2a）和多晶硅终端结构区域（2b）；在多晶硅引线区域（2a）下方、以及多晶硅引线区域（2a）与多晶硅终端结构区域（2b）之间的下方通过扩散形成N+源区（3）；在多晶硅区域上形成接触孔（4）；在有源区域（1a）上形成金属电极（5），所述金属电极（5）延伸覆盖所有接触孔（4），通过所述金属电极（5）与N+源区（3）连接；所述金属电极（5）与多晶硅终端结构区域（2b）部分重叠。
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公开(公告)号：CN103578978B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310487942.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法，包括以下工序：选取硅外延片、铂扩散、P+阳极区硅-硅键合、台面制造、硅槽钝化、正面金属化、减薄、背面金属化，本发明工艺流程中在形成P+阳极区之前在N-层表面进行铂扩散工艺，使高浓度复合中心尽可能分布在N-层靠近PN结附近的区域，而在P+层靠近PN结附近不引入或引入很低浓度的复合中心，即实现了复合中心的类似局域分布，有利于实现正向压降和反向恢复时间的更佳折衷，并可减小少子寿命、缩短反向恢复时间，同时可降低复合中心对漏电的影响，有利于提高产品成品率，可用来制造体积小、成品率高、一致性好、可靠性高的高压快恢复二极管芯片。
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