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公开(公告)号：CN108630747A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810480779.X
申请日：2018-05-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种LDMOS-SCR器件，包括P型硅衬底，P型硅衬底上设有深N阱，深N阱内从左到右依次设有P阱和N阱，P阱内设有第一P+注入区和N+注入区组件，N+注入区组件包括从左到右依次设置的第一N+注入区和第二N+注入区，N阱内设有第二P+注入区和第三N+注入区；第一N+注入区和第二N+注入区之间设有N型沟道，N型沟道区上方设有第一薄栅氧化层，薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅，第一多晶硅栅连接栅极，N+注入区组件中其中一个N+注入区连接阴极，第三N+注入区连接阳极，第一P+注入区与N+注入区组件之间构成第一二极管，第二P+注入区和N+注入区之间构成第二二极管，第一N+注入区和第二N+注入区之间设有NMOS结构。本发明能够解决触发电压较高的问题。
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公开(公告)号：CN114643072B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202111401690.8
申请日：2021-11-24
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种金属单原子修饰的三维多孔MXenes复合材料的可控制备方法。本发明制备的复合材料以三维多孔双非金属掺杂的MXenes纳米片为基底，掺杂金属元素以单原子的形式锚定在上述纳米片上。同时，该制备方法简单、快捷高效，具有普适性，能够制备一系列不同金属单原子修饰的三维多孔MXenes复合材料。
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公开(公告)号：CN108899314B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201810502138.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，在衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间，在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间，第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构，第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，增强静电泄放能力。
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公开(公告)号：CN111584646B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010452327.8
申请日：2020-05-26
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种近红外热电子光探测器及其制备方法，该近红外热电子光探测器包括：n型的SOI片，所述SOI片作为基底，所述SOI片的顶层硅膜厚度为5～20微米，所述SOI片内设有埋氧层，所述SOI片内部的下方设有减薄区，所述减薄区将所述埋氧层隔断，所述减薄区的外周设有底电极；纳米电极，所述纳米电极设于所述顶层硅膜上，所述纳米电极与所述顶层硅膜形成肖特基结；氮化硅保护层，所述氮化硅保护层设于所述顶层硅膜上，且所述氮化硅保护层将所述纳米电极包裹住，所述氮化硅保护层上设有用于连接外部电路的接触孔。本发明能够减少热电子输运过程中的散射损失，提升器件的光电响应率和响应速度。
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公开(公告)号：CN109346462B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201811162796.5
申请日：2018-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种ESD保护器件，主要由衬底P‑SUB，双阱工艺中的第一N阱、第二N阱和P阱，第一P+注入区，第一N+注入区，第二P+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区，薄栅氧和多晶硅栅构成。本发明的ESD保护器件的阴极嵌入PMOS的SCR结构，形成了一条电流的泄放路径，这条泄放路径削弱了SCR结构的正反馈，以此来抬高静电防护应用中的SCR结构的维持电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108899313B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810495782.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区，第二P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第四N+注入区以及第四P+注入区，第二P+注入区跨接在第一P阱与第一N阱之间，第三P+注入区跨接在第一N阱与第二P阱之间，第一P+注入区以及第一N+注入区均与阳极连接，第四P+注入区以及第四N+注入区均与阴极连接。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，提高器件的ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN109411468B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811253429.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底、埋氧层、N阱以及P阱，在N阱内设有第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区以及第四N+注入区，在P阱内设有第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区以及第四P+注入区，第三P+注入区与第三N+注入区跨接在N阱与P阱之间的交界处，第一P+注入区与阳极相连，第一N+注入区与阴极相连，第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区与N阱构成PMOS管，第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区与P阱构成NMOS管。本发明具有低触发电压、高维持电压、结构简单、易于集成以及鲁棒性高等优点，适用于器件以及电路的静电保护。
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公开(公告)号：CN109166941A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810388951.9
申请日：2018-04-26
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/078 , H01L31/0224 , H01L31/02
Abstract: 本发明提供了一种能源转换器件，具有衬底，在衬底上形成电极3，在电极3上形成介电层，在介电层上分别形成电极1和电极2，在电极1和2以及介电层上形成半导体层，其中电极1与所述半导体层形成欧姆接触，电极2与所述半导体层形成肖特基接触，在衬底硅电极3与电极1之间施加交流信号，在电极1和电极2之间就会形成稳定的直流输出，该能源转换器件不仅制备工艺简单，而且可以收集具有任意幅值的电磁波信号用于转化成直流电，并且无衰减，能长期工作，工艺性能稳定。
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公开(公告)号：CN108899315A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810662973.X
申请日：2018-06-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多叉指静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间，第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，第一P阱与第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，第四P+注入区以及第五P+注入区均与深N阱跨接，N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，该多叉指静电保护器件以N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。本发明能够解决导通不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN108735732A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810540058.3
申请日：2018-05-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种LDMOS静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有第一P阱和第一N阱，所述第一P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区，所述第一N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区；所述第二N+注入区、所述第一P阱、所述第一N阱构成第一NPN结构，所述第一P阱、所述第一N阱、所述第三P+注入区构成第一PNP结构，所述第一NPN结构与所述第一PNP结构形成第一SCR路径；所述第一N+注入区、所述第一P阱、所述第二N+注入区构成第二NPN结构，所述第三P+注入区、所述第一N阱、所述第二P+注入区构成第二PNP结构，所述第二NPN结构与所述第二PNP结构形成第二SCR路径。本发明增加了一条SCR路径，提高了静电泄放能力。
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