公开(公告)号：CN111584646A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010452327.8

申请日：2020-05-26

Applicant: 湖南大学

Inventor： 彭伟 ,  胡雪萌 ,  尹智华 ,  邓英 ,  赖心宇 ,  曾健平 ,  曾云

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种近红外热电子光探测器及其制备方法，该近红外热电子光探测器包括：n型的SOI片，所述SOI片作为基底，所述SOI片的顶层硅膜厚度为5～20微米，所述SOI片内设有埋氧层，所述SOI片内部的下方设有减薄区，所述减薄区将所述埋氧层隔断，所述减薄区的外周设有底电极；纳米电极，所述纳米电极设于所述顶层硅膜上，所述纳米电极与所述顶层硅膜形成肖特基结；氮化硅保护层，所述氮化硅保护层设于所述顶层硅膜上，且所述氮化硅保护层将所述纳米电极包裹住，所述氮化硅保护层上设有用于连接外部电路的接触孔。本发明能够减少热电子输运过程中的散射损失，提升器件的光电响应率和响应速度。

公开(公告)号：CN111584646B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202010452327.8

申请日：2020-05-26

Applicant: 湖南大学

Inventor： 彭伟 ,  胡雪萌 ,  尹智华 ,  邓英 ,  赖心宇 ,  曾健平 ,  曾云

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种近红外热电子光探测器及其制备方法，该近红外热电子光探测器包括：n型的SOI片，所述SOI片作为基底，所述SOI片的顶层硅膜厚度为5～20微米，所述SOI片内设有埋氧层，所述SOI片内部的下方设有减薄区，所述减薄区将所述埋氧层隔断，所述减薄区的外周设有底电极；纳米电极，所述纳米电极设于所述顶层硅膜上，所述纳米电极与所述顶层硅膜形成肖特基结；氮化硅保护层，所述氮化硅保护层设于所述顶层硅膜上，且所述氮化硅保护层将所述纳米电极包裹住，所述氮化硅保护层上设有用于连接外部电路的接触孔。本发明能够减少热电子输运过程中的散射损失，提升器件的光电响应率和响应速度。