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公开(公告)号：CN115136584A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202080096607.8
申请日：2020-11-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的光传感器具备：根据入射光而产生电荷的受光部；用于传送由所述受光部产生的电荷的电荷传送栅极；和用于生成施加于所述电荷传送栅极的电荷传送信号的信号生成部，所述信号生成部以在属于第n(n为1以上的整数)帧的第1期间的第1时间范围，将所述电荷传送栅极设为电荷传送状态，并且在属于第m(m为与n不同的1以上的整数)帧的第2期间的第2时间范围，将所述电荷传送栅极设为电荷传送状态的方式，生成所述电荷传送信号，在使所述第1期间的开始时刻与所述第2期间的开始时刻一致时，所述第1时间范围的一部分与所述第2时间范围的一部分相互重叠。
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公开(公告)号：CN114846607A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080089971.1
申请日：2020-11-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/107 , H04N5/369
Abstract: 一种倍增型图像传感器，其包括：具有第1表面和第2表面的半导体层；设置于第2表面的配线层。半导体层包含以沿着第1表面的方式配置的多个像素。多个像素各自具有：第1半导体区域；相对于第1半导体区域的至少一部分形成于第2表面侧，按多个像素中的每一个分割出的第2半导体区域；以与第1半导体区域分离的方式形成在第2半导体区域内，构成像素电路的一部分的阱区域。第1半导体区域的至少一部分和第2半导体区域的至少一部分形成雪崩倍增区域。
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公开(公告)号：CN109690777A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780052894.0
申请日：2017-05-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/144 , H04N5/369 , H04N5/374 , G01S7/481 , G01S17/89 , H01L27/146
CPC classification number: G01S7/481 , G01S17/89 , H01L27/144 , H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 距离传感器具备硅基板和传送电极。硅基板具备相互相对的第一主面和第二主面。在硅基板的第一主面侧设置有根据入射光产生电荷的电荷产生区域和收集来自电荷产生区域的电荷的电荷收集区域。传送电极在第一主面上配置于电荷产生区域和电荷收集区域之间。传送电极根据输入的信号使电荷从电荷产生区域流入电荷收集区域。在第二主面的至少与电荷产生区域对应的区域形成有多个凸部。多个凸部具有相对于硅基板的厚度方向倾斜的斜面。在凸部中硅基板的(111)面作为斜面露出。凸部的高度为200nm以上。
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公开(公告)号：CN109073734A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027269.0
申请日：2017-04-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种距离传感器，其向蓄积节点注入等量的电流，并且基于各个蓄积节点的电荷量的差分信息求取至对象物的距离，其中，蓄积节点与光敏区域的电荷因第一和第二传送电极(11，12)的驱动而分开的电荷收集区域(9b，9c)分别结合，该距离传感器通过向各个蓄积节点注入等量的电流而避免各蓄积节点的起因于干扰光的饱和，另一方面，由于按分别表示电极驱动图案的多个帧使第一和第二传送电极(11，12)驱动而不易受到电流注入的影响，获得各个蓄积节点的电荷量的差分信息。
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公开(公告)号：CN107533128A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680024207.X
申请日：2016-04-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明所涉及的距离测定装置的处理部控制重置开关并在从将蓄积区域连接于重置电位直至下一次将该蓄积区域连接于重置电位为止的帧期间(Tf)内的多个电荷传送循环中，在一个以上的放出期间使光源部放出调制光并且在一个帧期间(Tf)内使电荷传送循环(Cy)每一次的放出期间的数目增加。处理部控制在与一个以上的放出期间同步的一个以上的传送期间赋予传送电极的电压并使在光感应区域产生的电荷蓄积于蓄积区域，在分别对应于多个电荷传送循环(Cy)的多个读出循环中，从传感器部取得对应于在与多个电荷传送循环(Cy)相交替的时间点被蓄积于蓄积区域的电荷量的多个读出值，根据所取得多个读出值计算距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102844890B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180019185.5
申请日：2011-02-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L27/146 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L31/0236
Abstract: 半导体光检测元件（1A）具备：硅基板（2），具有半导体层（21）、以及在半导体层（21）上生长且具有比半导体层（21）低的杂质浓度的外延半导体层（20）；导体，设置在外延半导体层（20）表面上。在外延半导体层（20），形成有光感应区域。在半导体层（21）的至少与光感应区域相对的表面（2BK），形成有不规则的凹凸（22）。不规则的凹凸（22）光学性地露出。
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公开(公告)号：CN116325168A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180070159.9
申请日：2021-10-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的光传感器(1)具备：电荷产生区域(29)，其根据入射光产生电荷；电荷收集区域(33)，其传输在电荷产生区域(29)产生的电荷；和至少1个传输栅电极(41)，其配置在电荷产生区域(29)与电荷收集区域(33)之间的传输区域(35)上。电荷产生区域(29)包含：雪崩倍增区域(23)，其产生雪崩倍增；和倾斜电势形成区域(59)，其将以随着靠近传输区域(35)而电势变低的方式倾斜的倾斜电势形成于电荷产生区域(29)。
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公开(公告)号：CN115516636A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180033487.1
申请日：2021-01-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/107 , H01L27/144
Abstract: 光传感器包括：具有分别呈层状形成的第1导电型的第1倍增区域和第2导电型的第2倍增区域的雪崩倍增区域；当将在第1倍增区域和第2倍增区域的厚度方向上第2倍增区域相对于第1倍增区域所在的一侧作为第1侧时，相对于第2倍增区域配置在第1侧的第2导电型的电荷收集区域；和相对于第2倍增区域配置在第1侧的第1导电型的第1导电型区域。第2倍增区域具有在厚度方向上与电荷收集区域重叠的第1部分和在厚度方向上与第1导电型区域重叠的第2部分。第1部分的杂质的浓度高于第2部分的杂质的浓度。
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公开(公告)号：CN109073734B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201780027269.0
申请日：2017-04-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种距离传感器，其向蓄积节点注入等量的电流，并且基于各个蓄积节点的电荷量的差分信息求取至对象物的距离，其中，蓄积节点与光敏区域的电荷因第一和第二传送电极(11，12)的驱动而分开的电荷收集区域(9b，9c)分别结合，该距离传感器通过向各个蓄积节点注入等量的电流而避免各蓄积节点的起因于干扰光的饱和，另一方面，由于按分别表示电极驱动图案的多个帧使第一和第二传送电极(11，12)驱动而不易受到电流注入的影响，获得各个蓄积节点的电荷量的差分信息。
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公开(公告)号：CN115088249A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202180014608.8
申请日：2021-01-21
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的光学干涉断层摄影装置具备：光源、包括进行往复动作的可动反射镜的反射镜器件、支承对象物的支承部、生成干涉光的分束器、检测干涉光的光传感器和控制部。光传感器所包括的多个像素中的各个包括：受光部、多个传送栅极和排出栅极。控制部，以对干涉光的干涉图信号的每1个周期，在相互分离的至少3个时间范围，多个传送栅极依次成为电荷传送状态，且在至少3个时间范围以外的时间范围，排出栅极成为电荷排出状态的方式，对光传感器施加电信号。
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