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公开(公告)号：CN102253682B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201010174977.7
申请日：2010-05-18
Applicant: 沈阳工程学院
CPC classification number: Y02E10/58
Abstract: 一种光伏电池的最大功率点跟踪控制方法，是为了解决曲面光伏电池上各个点的最大功率点不同，光伏系统采用一个MPPT控制将造成功率损失的技术问题。采用将每个光电转换单元或小块平面光伏电池都连接一个MPPT控制器，使组成光伏电池的各单元都工作在最大功率点上；对于有规则形状的曲面光伏电池，不需要对每一个光电转换单元或小块平面光伏电池最大功率点逐一计算，采用总控制器与分控制器相结合的计算方法，通过最佳倾角处对应的MPPT分控制器计算出此处的最大功率点，再通过总控制器计算曲面上任意点处最大功率点电压或占空比值的递推关系，将得出各个最大功率点的占空比送入各个分控制器中。特点及有益效果：提高了光伏系统的发电效率，降低了整个系统的成本。
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公开(公告)号：CN102253682A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010174977.7
申请日：2010-05-18
Applicant: 沈阳工程学院
CPC classification number: Y02E10/58
Abstract: 一种光伏电池的最大功率点跟踪控制方法，是为了解决曲面光伏电池上各个点的最大功率点不同，光伏系统采用一个MPPT控制将造成功率损失的技术问题。采用将每个光电转换单元或小块平面光伏电池都连接一个MPPT控制器，使组成光伏电池的各单元都工作在最大功率点上；对于有规则形状的曲面光伏电池，不需要对每一个光电转换单元或小块平面光伏电池最大功率点逐一计算，采用总控制器与分控制器相结合的计算方法，通过最佳倾角处对应的MPPT分控制器计算出此处的最大功率点，再通过总控制器计算曲面上任意点处最大功率点电压或占空比值的递推关系，将得出各个最大功率点的占空比送入各个分控制器中。特点及有益效果：提高了光伏系统的发电效率，降低了整个系统的成本。
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公开(公告)号：CN103014676B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210578485.3
申请日：2012-12-27
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: ECR-PEMOCVD系统低温沉积ZnO透明导电薄膜的制备方法，属于新材料沉积制备领域。本发明按照以下步骤进行：（1）把普通康宁玻璃片清洗基片送入镀膜室；（2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空至1.0×10-3Pa，将基片加热至20~600℃，向反应室内通入氧气、氩气携带的二乙基锌以及氩气携带的三甲基镓或三甲基铝，其中氧气、二乙基锌、三甲基镓的量由质量流量计控制流量比为（90~150）：（4~8）:（1~2）,氧气、二乙基锌、三甲基铝的量由质量流量计控制流量比为（90~150）：（4~8）:1；控制气体总压强为0.8~2.0Pa；在电子回旋共振频率为650W，反应1~30min,得到Ga或Al掺杂ZnO光电透明导电薄膜。本发明的镓掺杂ZnO或者铝掺杂ZnO的透明光电导电薄膜产品具有性能优异、易于实现大面积生产的产业化的优势。
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公开(公告)号：CN103014705B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210576175.8
申请日：2012-12-27
Applicant: 沈阳工程学院
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法，属透明导电材料领域。本发明一种按照以下步骤进行：（1）将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）磁控溅射Al膜的沉积；（3）有机物化学气相沉积制备中间层ZnO薄膜：（4）磁控溅射Cu膜的沉积：（5）对Cu/ZnO/Al的多层结构的透明导电薄膜进行高温退火，退火温度为100~400℃，退火时间为30min，得到Cu、Al共同掺杂的ZnO光电透明导电薄膜。本发明制备工艺简单，沉积过程易于控制。本发明制备的透明导电薄膜均匀性好，光电性能优异，电阻率可低至8.0×10-4Ω·cm，而其透光率可达82%以上。可用于制造太阳能电池、发光二极管、LCD以及手机等光电器件的透明电极。
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公开(公告)号：CN103715284A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310742938.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/03762 , H01L31/03926 , H01L31/075 , H01L31/1848 , H01L31/202 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , H01L31/03529 , H01L31/022483 , H01L31/20
Abstract: 本发明属于柔性太阳能电池制造技术领域，特别涉及一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池具体结构是：Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底；其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极，然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜，最后制备金属Al电极。本发明的可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池具有优异的柔软性，重量轻，携带方便，具有产业化潜力和市场空间，而且制备工艺简单，能实现规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103352204A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310300499.3
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
Inventor： 张东 , 鞠振河 , 孙笑雨 , 郑洪 , 李昱材 , 杜士鹏 , 王立杰 , 张晓慧 , 李双美 , 王刚 , 王健 , 刘莉莹 , 郭瑞 , 王帅杰 , 关新 , 高微 , 王宝石 , 衣云龙 , 金月新 , 张玉艳
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种电学性能良好、散热性能良好的ECR-PEMOCVD系统对InN/GaN/自支撑金刚石膜结构的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD（电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积）系统，将反应室抽真空，加热基片至400~600℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气；控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在自支撑金刚石膜基片的GaN缓冲层薄膜。
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公开(公告)号：CN103014676A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210578485.3
申请日：2012-12-27
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: ECR-PEMOCVD系统低温沉积ZnO透明导电薄膜的制备方法，属于新材料沉积制备领域。本发明按照以下步骤进行：（1）把普通康宁玻璃片清洗基片送入镀膜室；（2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空至1.0×10-3Pa，将基片加热至20~600℃，向反应室内通入氧气、氩气携带的二乙基锌以及氩气携带的三甲基镓或三甲基铝，其中氧气、二乙基锌、三甲基镓的量由质量流量计控制流量比为（90~150）：（4~8）:（1~2）,氧气、二乙基锌、三甲基铝的量由质量流量计控制流量比为（90~150）：（4~8）:1；控制气体总压强为0.8~2.0Pa；在电子回旋共振频率为650W，反应1~30min,得到Ga或Al掺杂ZnO光电透明导电薄膜。本发明的镓掺杂ZnO或者铝掺杂ZnO的透明光电导电薄膜产品具有性能优异、易于实现大面积生产的产业化的优势。
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公开(公告)号：CN101763094A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910220682.6
申请日：2009-12-11
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: G05B19/418
Abstract: 光伏照明控制器智能检测系统，为了解决现有检测方法只是通过数据采集器读出电流、电压等数据，再通过人工对几十万数据逐条观察后，进行分析判断得出检测结果，不仅浪费了大量的人力和时间，而且判断结果与检测人员的水平和经验有直接的关系，很不规范等技术问题而设计的。该检测系统主要由智能控制仪和检测软件系统两部分组成，通过智能控制仪采集控制器电流和电压的检测数据，自动检测出控制器各项重要技术指标合格与否，从而计算机自动判断出控制器是否符合要求；同时自动打印输出控制器检测报告。改变了目前靠人工观察、分析的检测方法，节省了大量的人力和时间，大大提高了工作效率和工作质量。
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公开(公告)号：CN103746016B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310746388.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/03048 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L31/035209 , H01L31/035236 , H01L31/03762 , H01L31/03926 , H01L31/075 , H01L31/1848 , H01L31/202 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于柔性太阳能电池制造技术领域，特别涉及一种可调带隙量子阱结构的不锈钢衬底太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池具体结构是：Al电极/GZO/P型InxGa1-xN/I层本征nc-Si:H/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN绝缘层/柔性不锈钢衬底，其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极，然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、I层本征nc-Si:H薄膜、P型InxGa1-xN薄膜、GZO薄膜，最后制备金属Al电极。本发明的可调带隙量子阱结构的不锈钢衬底太阳能电池具有优异的柔软性，重量轻，携带方便，具有产业化潜力和市场空间，而且制备工艺简单，能实现规模生产。
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公开(公告)号：CN103746016A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310746388.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/03048 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L31/035209 , H01L31/035236 , H01L31/03762 , H01L31/03926 , H01L31/075 , H01L31/1848 , H01L31/202 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , H01L31/03529 , H01L31/022483 , H01L31/20
Abstract: 本发明属于柔性太阳能电池制造技术领域，特别涉及一种可调带隙量子阱结构的不锈钢衬底太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池具体结构是：Al电极/GZO/P型InxGa1-xN/I层本征nc-Si:H/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN绝缘层/柔性不锈钢衬底，其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极，然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、I层本征nc-Si:H薄膜、P型InxGa1-xN薄膜、GZO薄膜，最后制备金属Al电极。本发明的可调带隙量子阱结构的不锈钢衬底太阳能电池具有优异的柔软性，重量轻，携带方便，具有产业化潜力和市场空间，而且制备工艺简单，能实现规模生产。
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