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公开(公告)号：CN101851742B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910106258.9
申请日：2009-03-31
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C23C14/24 , H01L31/18 , H01L21/203
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域。本发明提供了一种化合物半导体薄膜的制备方法，其包括：在真空条件下，加热蒸发源中的源材料，使其蒸镀到基片上；所述基片绕其几何中心，在所述基片所在的平面内旋转，所述基片相对水平面倾斜。本发明所提供制备方法制出的化合物半导体薄膜厚度均匀性好，且薄膜面积大；并且工艺简单高效、容易实现，同时本发明能够直接适用于工业生产，具有巨大的商业价值。
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公开(公告)号：CN102386244A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010274863.X
申请日：2010-08-31
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/073 , H01L31/022425 , H01L31/1828 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于化合物太阳能电池技术领域，具体公开了一种CdTe太阳能电池过渡层。其包括ZnTe层和Cu层交替堆积的多层结构；多层结构中与CdTe层接触的为第一层，第一层为ZnTe层；多层结构中ZnTe层的厚度范围为10～40nm，多层结构中Cu层的厚度为1～10nm；多层结构的总厚度为25～120nm。本发明还公开了该CdTe电池过渡层的其制备方法及使用该过渡层的CdTe电池。本发明所提供的CdTe电池的过渡层，可以有效抑制Cu原子扩散所带来的电池性能衰减的问题，电池性能稳定。并且过渡层的制备方法简单，可以大规模流水线生产。并且条件参数易于控制。
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公开(公告)号：CN102234753A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010166815.9
申请日：2010-04-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于热浸镀技术领域，具体公开了一种浸锡预处理液。其包括1～8wt％三氯乙烯、1.5～3wt％二元酸、0.5～2wt％有机胺盐酸盐、1～3wt％络合剂、1～9wt％二元脂肪醇、70～80wt％有机溶剂、2～10wt％去离子水。本发明所提供的浸锡预处理液可以有效去除基材表面的氧化层，以及油污灰尘等其他杂质；并且制成的焊带表面光滑、无针孔、无缺锡等现象，焊带的电阻率小，从而可以提高太阳能电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN102206837A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010141213.8
申请日：2010-03-31
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明属于电解技术领域，尤其是金属氧化物陶瓷惰性阳极技术领域。首先提供一种惰性阳极，包括主体氧化物和添加剂，所述主体氧化物包括氧化镍和氧化铁，所述添加剂选自氧化锰、氧化钛、氧化锡、氧化锌、氧化锆、氧化铝中的至少两种，且所述添加剂的质量占主体氧化物质量的0.1～1wt％。本发明提供的惰性阳极解决了现有的金属氧化物陶瓷作为惰性阳极时，导电性较差的技术问题，使电导率平均提高约8.4S/cm。另外，本发明提供的惰性阳极的抗腐蚀性也有提高。相应的，本发明还提供一种惰性阳极生产方法。
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公开(公告)号：CN102080221A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910188471.9
申请日：2009-11-30
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C23C18/00
Abstract: 本发明为解决化学水浴沉积得到的硫化镉薄膜表面常吸附有固体颗粒的技术问题，提供一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法，包括如下步骤：首先，将衬底浸入到T1＝75～90℃的0.1～0.5mol/L的氨水中，所述氨水含有二价镉的可溶性盐和铵盐，二价镉的可溶性盐浓度为0.001～0.01mol/L，铵盐浓度为0.01～0.1mol/L；然后，向上步得到的溶液中加入硫脲，使溶液中S2-的摩尔浓度与Cd2+的摩尔浓度满足[S2-]：[Cd2+]＝1～6，在T1＝75～90℃搅拌进行成膜反应，当体系从溶液变成胶体时，降温至T2＝55～70℃继续成膜反应，直到衬底上沉积的硫化镉薄膜的厚度达到预定值时，反应结束；取出沉积了硫化镉薄膜的衬底，清洗、干燥。本发明使面积1cm2的硫化镉薄膜表面平均吸附的颗粒个数小于2个。另外，本发明的方法得到的薄膜的均匀性和对基体的附着力也有改善。
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公开(公告)号：CN101987296A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910109201.4
申请日：2009-07-30
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种歧化制备硅烷的催化剂、此催化剂的制备方法及歧化SiH2Cl2制备SiH4的工艺。本发明的催化剂为歧化卤代硅烷制备较高含氢卤代硅烷及硅烷的催化剂，催化剂为M/酸性阳离子交换树脂，其中，M选自Ru、Rh、Fe、Co、Ni、Pd、Cd、Cu、Zn、Ag、Pt、Au中的一种或几种。在歧化制备硅烷中具有较高的活性及耐高温性能，特别是在大规模工艺生产中最高使用温度可以到达150℃，可以提高歧化反应温度，有利于提高反应的一次转化效率；此载体对硅烷产品不具有吸附能力，有利于催化剂的稳定性和产率的提高。且其制备方法简单易得，稳定性强。
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公开(公告)号：CN101134558B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610062456.6
申请日：2006-09-01
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C01B3/04
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明提供了一种利用金属氢化合物催化水解制备氢气的方法，将金属氢化合物溶入到碱性溶液中，形成反应介质，将所述反应介质与催化剂接触，制备得到氢气，其中，所述碱性溶液为强碱弱酸盐水溶液，所述强碱弱酸盐水溶液的浓度为5-30重量％。降低了现有金属氢化合物催化水解制氢方法中生成氢气携带的碱性从而提高了催化剂的催化效率和设备的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101820018A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200910105671.3
申请日：2009-02-27
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: H01L21/02631 , C23C14/0629 , C23C14/24 , C23C14/5806 , H01L21/02557 , H01L31/1828 , Y02E10/543
Abstract: 本发明公开了一种CdS薄膜的制备方法，其涉及太阳能电池技术领域。该方法包括：第一步，制备蒸发源：将源材料和CdCl2加入到分散剂中制成浆料，将所述浆料涂敷在蒸发容器的表面，烘干形成源材料涂层；第二步，近空间升华：在真空条件下，在保护气气氛下，加热蒸发容器，使涂层蒸发，在衬底上沉积成膜；第三步，退火：在沉积完成后，在退火温度下，对其恒温保持10-40min。该方法直接在沉积完成后保温一段时间即可达到退火的目的，减少了对设备的要求和节省了工序。而且能大幅度提高源材料的利用率；还有该方法在制备大面积的CdS薄膜时，其膜厚分布均匀。
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公开(公告)号：CN101378236A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710147649.6
申请日：2007-08-31
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池系统的保护装置和保护方法，其中，该保护装置包括光强检测装置、清洗装置和控制装置；光强检测装置用于检测太阳光的光强，并将检测到的光强发送到控制装置；清洗装置用于清洗太阳能电池系统中的太阳能电池和聚光部分；控制装置分别与所述光强检测装置、清洗装置电连接，用于确定太阳能电池在该光强下的理论输出功率，并采集在该光强下太阳能电池系统的实际输出功率，将实际输出功率与理论输出功率进行比较，根据比较结果，控制清洗装置的开启和关闭。通过该保护装置，可以时刻保持太阳能电池和聚光部分的清洁，从而实现太阳能电池会阳光最大程度的吸收，保证了太阳能电池系统的工作效率。
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公开(公告)号：CN101060168A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610075718.2
申请日：2006-04-18
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 一种防爆膜的制备方法，其中，该方法包括在金属基材上制备盲孔，然后将腐蚀溶液与盲孔接触，接触的条件使得到的防爆膜的厚度为0.015－0.025毫米。本发明提供的防爆膜的制备方法简单，对材料的收缩比没有要求，生产成本低，且采用本发明提供的方法制备得到的防爆膜的厚度均一，可广泛应用于二次充电电池的防爆装置以及各种安全阀门和外包装材料中，尤其可有效应用于制作在低压下准确破裂的安全阀块上。
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