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公开(公告)号：CN103361136B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210087018.0
申请日：2012-03-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C10L3/10
Abstract: 本发明提供了一种天然气中杂质的去除方法，该方法为将天然气通入管式加热炉中进行热分解后去除固体杂质；所述热分解的温度为800-1200℃，所述管式加热炉的加热区的长度为0.5-3m，天然气的流量为0.1-5L/min。本发明还公开了一种去除天然气中杂质所用的设备。用本发明提供的天然气中杂质去除方法，可以使天然气提纯后热裂解制备的炭黑中B、P、As、S等的含量降低很多，除杂质效果显著。
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公开(公告)号：CN102050451B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200910109955.X
申请日：2009-10-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C01B33/039 , C01B33/04
Abstract: 本发明属于硅提纯技术领域，具体公开了一种硅烷纯化剂。该纯化剂其包括载体、催化粒子；所述催化粒子负载载体上；其中，所述载体表面釉化处理。本发明还公开了该纯化剂的制备方法，包括以下步骤，将载体放入浸泡液中浸泡，后取出烘干；然后高温煅烧釉化，再氢气还原，最后惰性气氛下冷却；所述浸泡液为釉化剂溶液、催化粒子盐溶液。本发明所提供的硅烷纯化剂，纯化效果好，不会引进其它杂质，并且纯化收率高，硅烷损失少。并且该硅烷纯化剂的机械强度好。
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公开(公告)号：CN101987296A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910109201.4
申请日：2009-07-30
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种歧化制备硅烷的催化剂、此催化剂的制备方法及歧化SiH2Cl2制备SiH4的工艺。本发明的催化剂为歧化卤代硅烷制备较高含氢卤代硅烷及硅烷的催化剂，催化剂为M/酸性阳离子交换树脂，其中，M选自Ru、Rh、Fe、Co、Ni、Pd、Cd、Cu、Zn、Ag、Pt、Au中的一种或几种。在歧化制备硅烷中具有较高的活性及耐高温性能，特别是在大规模工艺生产中最高使用温度可以到达150℃，可以提高歧化反应温度，有利于提高反应的一次转化效率；此载体对硅烷产品不具有吸附能力，有利于催化剂的稳定性和产率的提高。且其制备方法简单易得，稳定性强。
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公开(公告)号：CN102029195B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200910190566.4
申请日：2009-09-30
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明为解决现有催化剂易导致反应产物污染、纯度较低、同时降低催化剂催化活性的技术问题，提供一种催化剂的预处理方法。本发明首先去除催化剂中的杂质成分；然后用有机溶剂替换去除催化剂中的水分含量；最后挥发掉有机溶剂，并最好在使用催化剂前，再进行活化。本发明提供的预处理方法，防止由于催化剂中存留杂质和水分而导致产物的分解及设备的腐蚀。同时解决催化剂处理后转移过程的再污染问题，增加了催化剂的活化工艺，在催化剂前处理的同时进一步提高催化剂活性，提高产品的一次转化率。
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公开(公告)号：CN102050451A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910109955.X
申请日：2009-10-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C01B33/039 , C01B33/04
Abstract: 本发明属于硅提纯技术领域，具体公开了一种硅烷纯化剂。该纯化剂其包括载体、催化粒子；所述催化粒子负载载体上；其中，所述载体表面釉化处理。本发明还公开了该纯化剂的制备方法，包括以下步骤，将载体放入浸泡液中浸泡，后取出烘干；然后高温煅烧釉化，再氢气还原，最后惰性气氛下冷却；所述浸泡液为釉化剂溶液、催化粒子盐溶液。本发明所提供的硅烷纯化剂，纯化效果好，不会引进其它杂质，并且纯化收率高，硅烷损失少。并且该硅烷纯化剂的机械强度好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101565852A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200810089244.6
申请日：2008-04-25
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Inventor： 丁显波
Abstract: 本发明提供了一种晶体连续生产设备，该设备包括熔融装置，所述熔融装置具有进料口和出料口，其中，该设备还包括多个结晶成型装置，多个结晶成型装置依次排列，依次排列的多个结晶成型装置中端部的一个结晶成型装置用于接收来自出料口的熔融状态的液体，并使熔融状态的液体冷却和结晶，依次排列在所述端部的结晶成型装置之后的结晶成型装置用于使来自所述端部的结晶成型装置的晶体继续生长并成型为带状晶体。本发明还提供了一种多晶硅的连续生产方法。本发明的晶体连续生产设备能够连续生产晶体，特别是用本发明的晶体连续生产设备、采用本发明的多晶硅连续生产方法制备的多晶硅可用于制备多晶硅太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103285863B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210047067.1
申请日：2012-02-28
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: B01J23/75 , C01B33/107
Abstract: 本发明提供了一种用于制备二氯氢硅的催化剂的制备方法，包括下述步骤：步骤1：将活性炭浸泡于柠檬酸的水溶液中，浸泡完成后取出并干燥；步骤2：将经过浸泡的活性炭浸渍于钴盐的水溶液中，浸渍完成后取出并干燥，然后进行焙烧；步骤3：将经过焙烧的活性炭中进行还原反应，得到所述的催化剂。本发明还提供了通过上述制备方法制备得到的催化剂以及采用这种催化剂的二氯氢硅的制备方法。本发明的制备方法能够有效提高催化剂的催化活性，使得催化剂的催化效率高；采用这种催化剂制备二氯氢硅，可使二氯氢硅的产率达到12%以上。
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公开(公告)号：CN102344145B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201010244420.6
申请日：2010-07-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Inventor： 丁显波
IPC: C01B33/04
CPC classification number: C01B33/043
Abstract: 本发明属于硅提纯技术领域，具体公开了一种三氯氢硅制备硅烷的方法。该方法包括：(1)将三氯氢硅气体与氢气的混合气体，通过20～100℃催化床，然后送入精馏塔分离出二氯氢硅气体；(2)将步骤(1)得到二氯氢硅气体与氢气的混合气体，通过20～80℃催化床，然后送入精馏塔分离得到硅烷气体；催化床中含有阴离子交换树脂。本发明的方法其转化效率大大提高，两步转化率最大可以分别达到18％、20％。同时副产物SiCl4的量大大降低，减少了回收再利用的SiCl4的量，大大降低了整个工艺能耗。
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公开(公告)号：CN102344145A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010244420.6
申请日：2010-07-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Inventor： 丁显波
IPC: C01B33/04
CPC classification number: C01B33/043
Abstract: 本发明属于硅提纯技术领域，具体公开了一种三氯氢硅制备硅烷的方法。该方法包括：(1)将三氯氢硅气体与氢气的混合气体，通过20～100℃催化床，然后送入精馏塔分离出二氯氢硅气体；(2)将步骤(1)得到二氯氢硅气体与氢气的混合气体，通过20～80℃催化床，然后送入精馏塔分离得到硅烷气体；催化床中含有阴离子交换树脂。本发明的方法其转化效率大大提高，两步转化率最大可以分别达到18％、20％。同时副产物SiCl4的量大大降低，减少了回收再利用的SiCl4的量，大大降低了整个工艺能耗。
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公开(公告)号：CN101987296B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN200910109201.4
申请日：2009-07-30
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种歧化制备硅烷的催化剂、此催化剂的制备方法及歧化SiH2Cl2制备SiH4的工艺。本发明的催化剂为歧化卤代硅烷制备较高含氢卤代硅烷及硅烷的催化剂，催化剂为M/酸性阳离子交换树脂，其中，M选自Ru、Rh、Fe、Co、Ni、Pd、Cd、Cu、Zn、Ag、Pt、Au中的一种或几种。在歧化制备硅烷中具有较高的活性及耐高温性能，特别是在大规模工艺生产中最高使用温度可以到达150℃，可以提高歧化反应温度，有利于提高反应的一次转化效率；此载体对硅烷产品不具有吸附能力，有利于催化剂的稳定性和产率的提高。且其制备方法简单易得，稳定性强。
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