公开(公告)号：CN102050451B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200910109955.X

申请日：2009-10-29

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 安荣玲 ,  丁显波 ,  周勇

IPC: C01B33/039 ,  C01B33/04

Abstract: 本发明属于硅提纯技术领域，具体公开了一种硅烷纯化剂。该纯化剂其包括载体、催化粒子；所述催化粒子负载载体上；其中，所述载体表面釉化处理。本发明还公开了该纯化剂的制备方法，包括以下步骤，将载体放入浸泡液中浸泡，后取出烘干；然后高温煅烧釉化，再氢气还原，最后惰性气氛下冷却；所述浸泡液为釉化剂溶液、催化粒子盐溶液。本发明所提供的硅烷纯化剂，纯化效果好，不会引进其它杂质，并且纯化收率高，硅烷损失少。并且该硅烷纯化剂的机械强度好。

公开(公告)号：CN101987730A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200910109206.7

申请日：2009-07-30

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 丁显波 ,  安荣玲 ,  周勇 ,  姜占锋

IPC: C01B33/04

Abstract: 本发明公开了一种硅烷中微量杂质的去除方法，包括采用大孔型阳离子交换树脂，对所述大孔型阳离子交换树脂进行改性；将改性后大孔型阳离子交换树脂装填入吸附塔中，经吹扫除氧后使硅烷气体通过。本发明提供的硅烷中微量杂质去除方法显著的去除了硅烷中的B2H6、PH3和AsH3等微量组分，使各组分含量降至0.5×10-9以下，达到电子及半导体行业对高纯度硅烷的使用要求。

公开(公告)号：CN102050451A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910109955.X

申请日：2009-10-29

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 安荣玲 ,  丁显波 ,  周勇

IPC: C01B33/039 ,  C01B33/04

Abstract: 本发明属于硅提纯技术领域，具体公开了一种硅烷纯化剂。该纯化剂其包括载体、催化粒子；所述催化粒子负载载体上；其中，所述载体表面釉化处理。本发明还公开了该纯化剂的制备方法，包括以下步骤，将载体放入浸泡液中浸泡，后取出烘干；然后高温煅烧釉化，再氢气还原，最后惰性气氛下冷却；所述浸泡液为釉化剂溶液、催化粒子盐溶液。本发明所提供的硅烷纯化剂，纯化效果好，不会引进其它杂质，并且纯化收率高，硅烷损失少。并且该硅烷纯化剂的机械强度好。

公开(公告)号：CN101987730B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN200910109206.7

申请日：2009-07-30

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 丁显波 ,  安荣玲 ,  周勇 ,  姜占锋

IPC: C01B33/04

Abstract: 本发明公开了一种硅烷中微量杂质的去除方法，包括采用大孔型阳离子交换树脂，对所述大孔型阳离子交换树脂进行改性；将改性后大孔型阳离子交换树脂装填入吸附塔中，经吹扫除氧后使硅烷气体通过。本发明提供的硅烷中微量杂质去除方法显著的去除了硅烷中的B2H6、PH3和AsH3等微量组分，使各组分含量降至0.5×10-9以下，达到电子及半导体行业对高纯度硅烷的使用要求。

公开(公告)号：CN102344140A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010244453.0

申请日：2010-07-29

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 安荣玲 ,  周勇

IPC: C01B33/027

Abstract: 本发明属于硅提纯技术领域，尤其涉及一种晶体硅的沉积方法。该方法包括：将原料气体等离子化，然后通入到磁场中分离，形成气流I和气流II；气流I带正电荷，气流II带负电荷；再将气流I、II分别导入钟罩式反应器I、II中沉积；所述原料气体包括硅烷气体。本发明的方法，有效抑制了沉积过程中的均相反应，减少气相中硅粒子的产生，使硅烷的利用率提高，提高了硅烷的转化效率，降低了方法的循环成本，从而所制备的晶体硅的纯度以及产率均有了大幅的提高。

公开(公告)号：CN201560125U

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200920204189.0

申请日：2009-08-31

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 安荣玲 ,  丁显波 ,  周勇

IPC: C01B33/107

Abstract: 本实用新型公开了一种结构精简、耗能低、转化效率高的三氯氢硅歧化制备二氯氢硅的装置。包括原料供应装置，反应釜、冷凝器及收料装置；反应釜包括从下至上的釜底段、加热段、催化反应段、精馏段、釜顶段；加热段和/或催化反应段设有三氯氢硅入口；釜底段设有釜底出口、釜顶段设有釜顶出口、回流液入口；原料供应装置通过管道与三氯氢硅入口连接；冷凝器包括冷凝器入口及载气出口、冷凝器回流液出口及冷凝器馏出液出口；冷凝器入口与釜顶出口通过管道连接，所述冷凝器回流液出口通过管道与回流液入口连接；所述冷凝器馏出液出口与收料装置连接。