一种化合物半导体薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101851742B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN200910106258.9

    申请日:2009-03-31

    Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域。本发明提供了一种化合物半导体薄膜的制备方法,其包括:在真空条件下,加热蒸发源中的源材料,使其蒸镀到基片上;所述基片绕其几何中心,在所述基片所在的平面内旋转,所述基片相对水平面倾斜。本发明所提供制备方法制出的化合物半导体薄膜厚度均匀性好,且薄膜面积大;并且工艺简单高效、容易实现,同时本发明能够直接适用于工业生产,具有巨大的商业价值。

    一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法

    公开(公告)号:CN102683473B

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201110064198.6

    申请日:2011-03-17

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明提供了一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法,包括以下步骤:1)在太阳能电池阴极基底上形成金属预置层,所述金属预置层为CuIn、CuGa或CuInGa;2)惰性气氛下将Se和/或S熔融,形成熔融液;3)将形成有金属预置层的太阳能电池阴极基底浸入熔融液中,进行硒化和/或硫化反应,反应完成后即在太阳能电池阴极基底上形成所述光吸收层。本发明提供的方法通过将金属预置层与熔融的Se和/或S接触,提高硒化和/或硫化的转化率;另外,该方法无需在真空下进行,对设备要求低,操作简单,成本也相对较低,适于工业化生产。

    黄铜矿型太阳能电池光吸收层及其电池制备方法

    公开(公告)号:CN102117862B

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN200910238944.1

    申请日:2009-12-31

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明为解决现有技术中制备得到的光吸收层均匀性不够好的技术问题,提供一种均匀性进一步提高的黄铜矿型太阳能电池光吸收层及其太阳能电池的制备方法。一种黄铜矿型太阳能电池光吸收层制备方法,包括如下步骤:S1:制备一金属预置层;S2:在金属预置层表面形成硒层、或硫层、或硒硫层;S3:再在上述步骤S2中的硒层、或硫层、或硒硫层上形成一层金属预置层,形成一A/B/A形的中间产物;S4:将所述中间产物进行硒化和/或硫化处理。采用本发明A/B/A三明治形结构,在两层金属预置层内部夹一层Se或者S或者SeS层可以在硒化和/或硫化过程中内部反应更充分,均匀性进一步提高,结晶更好,晶相单一。

    一种化合物半导体薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101851742A

    公开(公告)日:2010-10-06

    申请号:CN200910106258.9

    申请日:2009-03-31

    Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域。本发明提供了一种化合物半导体薄膜的制备方法,其包括:在真空条件下,加热蒸发源中的源材料,使其蒸镀到基片上;所述基片绕其几何中心,在所述基片所在的平面内旋转,所述基片相对水平面倾斜。本发明所提供制备方法制出的化合物半导体薄膜厚度均匀性好,且薄膜面积大;并且工艺简单高效、容易实现,同时本发明能够直接适用于工业生产,具有巨大的商业价值。

    一种薄膜太阳能电池
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102956722B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201110238424.8

    申请日:2011-08-19

    Inventor: 仓芹 钟北军 周勇

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明提供了一种薄膜太阳能电池包括依次层叠的基底/背电极/吸收层/缓冲层/透明导电层/上电极,其中,吸收层包括1-CuInS2薄膜/1-CuInSx1Se(2-x1)薄膜/CuInSe2薄膜/2-CuInSx2Se(2-x2)薄膜/2-CuInS2薄膜复合层,1-CuInSx1Se(2-x1)薄膜中S原子的总数与Se和S原子的总数比为0.1-1;2-CuInSx2Se(2-x2)薄膜中S原子的总数与Se和S原子的总数比为0.1-1。本发明的吸收层为多种带隙能的光吸收层的复合,吸收层中S浓度呈V型分布能提高太阳能电池的开路电压和光电转化效率,同时减少有毒Se的使用,且S成本低,对环境污染较小,易大规模化生产。

    锂离子二次电池正极活性物质磷酸亚铁锂的制备方法

    公开(公告)号:CN101209823B

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN200610167394.5

    申请日:2006-12-31

    Inventor: 钟北军 曹文玉

    Abstract: 一种锂离子二次电池正极活性物质磷酸亚铁锂的制备方法,该方法包括将含有锂化合物、铁化合物、磷化合物和碳源添加剂的混合物烧结,冷却得到的烧结产物,其中,所述铁化合物为三价铁化合物;所述含有锂化合物、铁化合物、磷化合物和碳源添加剂的混合物中还含有纳米添加剂;所述烧结的方法为在惰性气氛中,在第一烧结温度下恒温烧结,再在第二烧结温度下恒温烧结,第二烧结温度高于第一烧结温度至少100℃。采用本发明的方法得到的磷酸亚铁锂为球形或类球形,由本发明制备的磷酸亚铁锂制备的电池兼顾高容量和良好大电流放电性能。

    黄铜矿型太阳能电池光吸收层及其电池制备方法

    公开(公告)号:CN102117862A

    公开(公告)日:2011-07-06

    申请号:CN200910238944.1

    申请日:2009-12-31

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明为解决现有技术中制备得到的光吸收层均匀性不够好的技术问题,提供一种均匀性进一步提高的黄铜矿型太阳能电池光吸收层及其太阳能电池的制备方法。一种黄铜矿型太阳能电池光吸收层制备方法,包括如下步骤:S1:制备一金属预置层;S2:在金属预置层表面形成硒层、或硫层、或硒硫层;S3:再在上述步骤S2中的硒层、或硫层、或硒硫层上形成一层金属预置层,形成一A/B/A形的中间产物;S4:将所述中间产物进行硒化和/或硫化处理。采用本发明A/B/A三明治形结构,在两层金属预置层内部夹一层Se或者S或者SeS层可以在硒化和/或硫化过程中内部反应更充分,均匀性进一步提高,结晶更好,晶相单一。

    一种电池极片除料装置及电池极片除料方法

    公开(公告)号:CN115566144B

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202110744365.5

    申请日:2021-07-01

    Abstract: 一种电池极片除料装置,其中,电池极片包括集流体和附着在集流体表面的覆料,电池极片除料装置用于去除电池极片预定区域的覆料,并包括:定位件,所述定位件包括侧板和所述侧板围成的中空空间,侧板用于与集流体接触以将预定区域的覆料隔离在中空空间;喷洒口,所述喷洒口位于所述中空空间内,喷洒口用于与液源连通以对预定区域的覆料喷洒液体,所述液体使预定区域的覆料的流动性增大;吸料口,所述吸料口位于中空空间内,并用于与真空发生装置连通,以将所述预定区域的覆料吸离所述集流体。采用该电池极片除料装置进行除料,可以高效且有效的去除掉电池极片上需要焊接极耳位置处的覆料,大大降低了除料后集流体的受损程度以及集流体上覆料的残留。

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