一种CdS薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101820018B

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN200910105671.3

    申请日:2009-02-27

    Abstract: 本发明公开了一种CdS薄膜的制备方法,其涉及太阳能电池技术领域。该方法包括:第一步,制备蒸发源:将源材料和CdCl2加入到分散剂中制成浆料,将所述浆料涂敷在蒸发容器的表面,烘干形成源材料涂层;第二步,近空间升华:在真空条件下,在保护气气氛下,加热蒸发容器,使涂层蒸发,在衬底上沉积成膜;第三步,退火:在沉积完成后,在退火温度下,对其恒温保持10-40min。该方法直接在沉积完成后保温一段时间即可达到退火的目的,减少了对设备的要求和节省了工序。而且能大幅度提高源材料的利用率;还有该方法在制备大面积的CdS薄膜时,其膜厚分布均匀。

    一种草酸亚铁水合盐晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN101417941B

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN200710165366.4

    申请日:2007-10-26

    Abstract: 本发明提供了一种草酸亚铁水合盐晶体的制备方法,该方法包括使二价铁盐与沉淀剂在溶剂存在下接触反应,然后再将所得接触反应的产物A与草酸混合接触,进行反应,其中,所述草酸为固体草酸或至少含有部分固体草酸的草酸悬浮液。使用该方法制备的草酸亚铁水合盐晶体的颗粒粒度较小、粒度分布均匀且分散性更好。

    一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102080221A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN200910188471.9

    申请日:2009-11-30

    Abstract: 本发明为解决化学水浴沉积得到的硫化镉薄膜表面常吸附有固体颗粒的技术问题,提供一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法,包括如下步骤:首先,将衬底浸入到T1=75~90℃的0.1~0.5mol/L的氨水中,所述氨水含有二价镉的可溶性盐和铵盐,二价镉的可溶性盐浓度为0.001~0.01mol/L,铵盐浓度为0.01~0.1mol/L;然后,向上步得到的溶液中加入硫脲,使溶液中S2-的摩尔浓度与Cd2+的摩尔浓度满足[S2-]:[Cd2+]=1~6,在T1=75~90℃搅拌进行成膜反应,当体系从溶液变成胶体时,降温至T2=55~70℃继续成膜反应,直到衬底上沉积的硫化镉薄膜的厚度达到预定值时,反应结束;取出沉积了硫化镉薄膜的衬底,清洗、干燥。本发明使面积1cm2的硫化镉薄膜表面平均吸附的颗粒个数小于2个。另外,本发明的方法得到的薄膜的均匀性和对基体的附着力也有改善。

    一种CdS薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101820018A

    公开(公告)日:2010-09-01

    申请号:CN200910105671.3

    申请日:2009-02-27

    Abstract: 本发明公开了一种CdS薄膜的制备方法,其涉及太阳能电池技术领域。该方法包括:第一步,制备蒸发源:将源材料和CdCl2加入到分散剂中制成浆料,将所述浆料涂敷在蒸发容器的表面,烘干形成源材料涂层;第二步,近空间升华:在真空条件下,在保护气气氛下,加热蒸发容器,使涂层蒸发,在衬底上沉积成膜;第三步,退火:在沉积完成后,在退火温度下,对其恒温保持10-40min。该方法直接在沉积完成后保温一段时间即可达到退火的目的,减少了对设备的要求和节省了工序。而且能大幅度提高源材料的利用率;还有该方法在制备大面积的CdS薄膜时,其膜厚分布均匀。

    一种磷酸铁锂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN104752717B

    公开(公告)日:2017-05-03

    申请号:CN201310740269.9

    申请日:2013-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种磷酸铁锂的制备方法、由该方法制备得到的磷酸铁锂以及所述磷酸铁锂在制备正极活性材料中的应用。所述磷酸铁锂的制备方法包括将水溶性二价铁源、水溶性磷源以及水溶性锂源混合并反应,所述水溶性磷源为磷酸和/或水溶性磷酸盐,其中,所述混合的方式包括将含有所述水溶性二价铁源以及所述水溶性磷源的水溶液A与含有所述水溶性锂源的水溶液B进行雾化并混合,并且通过控制所述水溶液A和所述水溶液B在雾化过程中的雾化速率将混合产物的pH值控制在5‑7.5。采用本发明的方法能够将得到的磷酸铁锂的粒径控制在亚微米级并具有较好的电化学性能。

    一种CdS薄膜的制备方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101989633B

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN200910109207.1

    申请日:2009-07-30

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开了一种CdS薄膜制备方法。该方法包括如下步骤:(1)配制反应液;(2)沉积薄膜:将衬底置于反应液中,使衬底绕竖直方向的轴旋转,沉积薄膜;(3)超声处理:反应完成后,将衬底取出置于去离子水中超声,后取出并烘干。本发明所提供的CdS薄膜制备方法消除边缘效应,薄膜均匀性好,而且该方法还具有沉积速率快的特点,并且制备出的CdS薄膜表面吸附的CdS颗粒极少。

    一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102206050A

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN201010141032.5

    申请日:2010-03-31

    Abstract: 本发明属于化学水浴沉积技术领域,为解决化学水浴沉积得到的硫化镉薄膜表面常吸附有固体颗粒的技术问题,提供一种化学水浴沉积硫化镉薄膜的方法,包括如下步骤:T=65~90℃下向含有Cd2+、NH4+的水溶液中加入氨水、乙二胺四乙酸、絮凝剂和硫脲,得到化学水浴混合液,所述化学水浴混合液中Cd2+、NH4+、氨水、乙二胺四乙酸、絮凝剂和硫脲浓度分别为0.001~0.01mol/L、0.01~0.1mol/L、0.1~0.5mol/L、0.1~1.0g/L、0.05~0.2g/L和0.001~0.06mol/L;保持T=65~90℃进行成膜反应,直到衬底上沉积的硫化镉薄膜的厚度达到预定值时,反应结束;最后,取出沉积了硫化镉薄膜的衬底,并清洗、干燥。本发明使面积1cm2的硫化镉薄膜表面平均吸附的颗粒个数小于2个。另外,本发明的方法得到的薄膜的均匀性和对基体的附着力也有改善。

    一种草酸亚铁水合盐晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN101417941A

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200710165366.4

    申请日:2007-10-26

    Abstract: 本发明提供了一种草酸亚铁水合盐晶体的制备方法,该方法包括使二价铁盐与沉淀剂在溶剂存在下接触反应,然后再将所得接触反应的产物A与草酸混合接触,进行反应,其中,所述草酸为固体草酸或至少含有部分固体草酸的草酸悬浮液。使用该方法制备的草酸亚铁水合盐晶体的颗粒粒度较小、粒度分布均匀且分散性更好。

    一种磷酸铁锂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN104752717A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201310740269.9

    申请日:2013-12-27

    CPC classification number: H01M4/5825 C01B25/45 H01M10/0525 H01M2220/20

    Abstract: 本发明提供了一种磷酸铁锂的制备方法、由该方法制备得到的磷酸铁锂以及所述磷酸铁锂在制备正极活性材料中的应用。所述磷酸铁锂的制备方法包括将水溶性二价铁源、水溶性磷源以及水溶性锂源混合并反应,所述水溶性磷源为磷酸和/或水溶性磷酸盐,其中,所述混合的方式包括将含有所述水溶性二价铁源以及所述水溶性磷源的水溶液A与含有所述水溶性锂源的水溶液B进行雾化并混合,并且通过控制所述水溶液A和所述水溶液B在雾化过程中的雾化速率将混合产物的pH值控制在5-7.5。采用本发明的方法能够将得到的磷酸铁锂的粒径控制在亚微米级并具有较好的电化学性能。

Patent Agency Ranking